锂点保护IC

—AMI7101AMI7103SD3P03锐和微电子（深圳有限公司）锂电池保护电路综述近年来,PDA、数字相机、手机、可携式音讯设备和蓝芽设备等越来越多的产品采用锂电池作为主要电源。锂电池具有体积小、能量密度高、无记忆效应、循环寿命高、高电压电池和自放电率低等优点，与镍镉、镍氢电池不太一样，锂电池必须考虑充电、放电时的安全性，以防止特性劣化。针对锂电池的过充、过度放电、过电流及短路保护很重要，所以通常都会在电池包内设计保护线路用以保护锂电池。由于锂离子电池能量密度高，因此难以确保电池的安全性。在过度充电状态下，电池温度上升后能量将过剩，于是电解液分解而产生气体，因内压上升而产生自燃或破裂的危险；反之，在过度放电状态下，电解液因分解导致电池特性及耐久性劣化，因而降低可充电次数。锂离子电池的保护电路就是要确保这样的过度充电及放电状态时的安全性，并防止特性劣化。锂离子电池的保护电路是由保护IC及两颗功率MOSFET所构成，其中保护IC监视电池电压，当有过度充电及放电状态时切换到以外挂的功率MOSFET来保护电池，保护IC的功能有过度充电保护、过度放电保护和过电流／短路保护。一、过度充电保护过度充电保护IC的原理为：当外部充电器对锂电池充电时，为防止因温度上升所导致的内压上升，需终止充电状态。此时，保护IC需检测电池电压，当到达4.25V时（假设电池过充点为4.25V）即激活过度充电保护，将功率MOSFET由开转为切断，进而截止充电。另外，还必须注意因噪音所产生的过度充电检出误动作，以免判定为过充保护。因此，需要设定延迟时间，并且延迟时间不能短于噪音的持续时间。二、过度放电保护在过度放电的情况下，电解液因分解而导致电池特性劣化，并造成充电次数的降低。采用锂电池保护IC可以避免过度放电现象产生，实现电池保护功能。过度放电保护IC原理：为了防止锂电池的过度放电状态，假设锂电池接上负载，当锂电池电压低于其过度放电电压检测点（假定为2.3V）时将激活过度放电保护，使功率MOSFET由开转变为切断而截止放电，以避免电池过度放电现象产生，并将电池保持在低静态电流的待机模式，此时的电流仅0.1μA。当锂电池接上充电器，且此时锂电池电压高于过度放电电压时，过度放电保护功能方可解除。另外，考虑到脉冲放电的情况，过放电检测电路设有延迟时间以避免产生误动作。三、过电流及短路电流因为不明原因（放电时或正负极遭金属物误触）造成过电流或短路，为确保安全，必须使其立即停止放电。过电流保护IC原理为，当放电电流过大或短路情况产生时，保护IC将激活过（短路）电流保护，此时过电流的检测是将功率MOSFET的Rds(on)当成感应阻抗用以监测其电压的下降情形，如果比所定的过电流检测电压还高则停止放电，运算公式为:V-=I×Rds(on)×2（V-为过电流检测电压，I为放电电流）假设V-=0.2V，Rds(on)=25mΩ，则保护电流的大小为I=4A同样地，过电流检测也必须设有延迟时间以防有突发电流流入时产生误动作。通常在过电流产生后，若能去除过电流因素（例如马上与负载脱离），将会恢复其正常状态，可以再进行正常的充放电动作。四、锂电池保护IC的新功能除了上述的锂电池保护IC功能之外，下面这些新的功能同样值得关注：1.充电时的过电流保护当连接充电器进行充电时突然产生过电流（如充电器损坏），电路立即进行过电流检测，此时Cout将由高转为低，功率MOSFET由开转为切断，实现保护功能。V-=I×Rds(on)×2（I是充电电流；Vdet4，过电流检测电压，Vdet4为-0.1V）在过度充电保护时将经过一段延迟时间，然后就会将功率MOSFET切断以达到保护的目的，当锂电池电压一直下降到解除点（过度充电滞后电压）时就会恢复，此时又会继续充电→保护→放电→充电→放电。这种状态的安全性问题将无法获得有效解决，锂电池将一直重复着充电→放电→充电→放电的动作，功率MOSFET的栅极将反复地处于高低电压交替状态，这样可能会使MOSFET变热，还会降低电池寿命，因此锁定模式很重要。假如锂电保护电路在检测到过度充电保护时有锁定模式，MOSFET将不会变热，且安全性相对提高很多。在过度充电保护之后，只要充电器连接在电池包上，此时将进入过充锁定模式。此时，即使锂电池电压下降也不会产生再充电的情形，将充电器移除并连接负载即可恢复充放电的状态。3.减少保护电路组件尺寸将过度充电和短路保护用的延迟电容器整合在到保护IC里面，以减少保护电路组件尺寸。五、对保护IC性能的要求1.过度充电保护的高精密度化当锂离子电池有过度充电状态时，为防止因温度上升所导致的内压上升，须截止充电状态。保护IC将检测电池电压，当检测到过度充电时，则过度充电检测的功率MOSFET使之切断而截止充电。此时应注意的是过度充电的检测电压的高精密度化，在电池充电时，使电池充电到饱满的状态是使用者很关心的问题，同时兼顾到安全性问题，因此需要在达到容许电压时截止充电状态。要同时符合这两个条件，必须有高精密度的检测器，目前检测器的精密度为25mV，该精密度将有待于进一步提高。的耗电随着使用时间的增加，已充过电的锂离子电池电压会逐渐降低，最后低到规格标准值以下，此时就需要再度充电。若未充电而继续使用，可能造成由于过度放电而使电池不能继续使用。为防止过度放电，保护IC必须检测电池电压，一旦达到过度放电检测电压以下，就得使放电一方的功率MOSFET切断而截止放电。但此时电池本身仍有自然放电及保护IC的消耗电流存在，因此需要使保护IC消耗的电流降到最低程度。过电流／短路保护需有低检测电压及高精密度的要求因不明原因导致短路时必须立即停止放电。过电流的检测是以功率MOSFET的Rds(on)为感应阻抗，以监视其电压的下降，此时的电压若比过电流检测电压还高时即停止放电。为了使功率MOSFET的Rds(on)在充电电流与放电电流时有效应用，需使该阻抗值尽量低，目前该阻抗约为20mΩ～30mΩ，这样过电流检测电压就可较低。4.耐高电压电池包与充电器连接时瞬间会有高压产生，因此保护IC应满足耐高压的要求。5.低电池功耗在保护状态时，其静态耗电流必须要小0.1μA。6.零伏可充电有些电池在存放的过程中可能因为放太久或不正常的原因导致电压低到0V，故保护IC需要在0V时也可以实现充电。六、保护IC发展展望如前所述，未来保护IC将进一步提高检测电压的精密度、降低保护IC的耗电流和提高误动作防止功能等，同时充电器连接端子的高耐压也是研发的重点。在封装方面，目前已由SOT23-6逐渐转向SON6封装，将来还有CSP封装，甚至出现COB产品用以满足现在所强调的轻薄短小要求。在功能方面，保护IC不需要整合所有的功能，可根据不同的锂电池材料开发出单一保护IC，如只有过充保护或过放保护功能，这样可以大幅减少成本及尺寸。当然，功能组件单晶体化是不变的目标，如目前手机制造商都朝向将保护IC、充电电路以及电源管理IC等周边电路与逻辑IC构成双芯片的芯片组，但目前要使功率MOSFET的开路阻抗降低，难以与其它IC整合，即使以特殊技术制成单芯片，恐怕成本将会过高。因此，保护IC的单晶体化将需一段时间来解决。的原理及应用一、概述：AMI7101为单元锂离子电池保护集成电路，它被设计于像手机这样的单元锂离子电池电源系统中用来保护锂离子电池在过充电，过放电和过电流等状态下免受损坏和寿命衰减。其超小的封装和更少的外部件需求使在有限空间的电池包中集成AMI7101成为可能。AMI7101中±25mV的过充电检测电压保证了安全和满负荷充电，三种不同规格的过充电保护电压阈值提供不同的保护需求，在存储状态下电池中会流出很小的应急电流。二、特征：缩小封装的SOT-23-6减小面板规格。过低的静态电流为3uA即Vcc=3.9V。过低的断电电流为0.3uA即Vcc=2.0V。精确的过充电保护电压：AMI7101A为4.325V±25mVAMI7101B为4.275V±25mVAMI7101C为4.225V±25mVAMI7101D为4.175V±25mV过充电模式下载入检测功能。过高电流下两级检测水平。三、应用：单元锂离子电池包的保护集成电路典型的应用电路四、测试电路五、工作原理与应用信息：1、过充电保护：当电压高于过充电保护电压VOCP超过了充电延迟时间的期限时，充电过程因为充电控制MOSFET的关闭而终止，其中过充电延迟时间默认为100ms，在如下两种情况下过充电状态会逐渐舒缓：ⅰ）当电池因为自身的放电而使电池的电压低于过充电舒缓电压VOCR或VOCP-VHYS时。ⅱ）当电池电压降低到低于过充电保护电压VOCP而且有一个负载已经连接的时候。如果电池电压高于VOCP时，即使有负载接入，过充电状态也永远不会舒缓。2、过放电保护：当电池电压降到低于过放电保护电压VODP超过了过放电延迟时间TOD的期限时，放电过程会因为放电控制MOSFET的关闭而终止，放电延迟时间默认为10ms，当电池因为充电而导致电压高于放电舒缓电压VODR时，放电延迟立刻舒缓。3、过电流保护：在普通模式下，AMI7101靠CS引脚的感应电压持续监视放电电流，如果CS引脚的电压高于过电流保护电压VOIP超过了电流延迟时间TOI时，过电流保护电路工作而放电过程因为放电控制MOSFET的关闭而终止。当负载舒缓和阻抗在BATT+与BATT-之间时，过电流状态返回到普通模式。AMI7101提供两级过电流检测（0.15V和1.35V）和两个电流延迟时间（TOI1和TOI2）与每个过电流检测级相对应。五、工作原理与应用信息：4、过充电后载入检测功能：过充电载入检测功能靠检测CS引脚的电压执行，一旦在过充电后有一个载入连接到电池包，放电电流流过MOSFET的寄生二极管在CS与GND引脚之间有二极管压降，当CS引脚的电压高于载入检测阈值电压时一个载入就会被检测到。5、过放电后的充电检测：当过放电发生时过放电控制MOSFET关闭导致过放电终止，但是，通过MOSFET寄生二极管的充电还是被允许的，一旦充电器连接到电池包AMI7101立即打开所有的时钟生成与检测电路，如果CS与GND引脚之间的电压低于充电检测阈值电压VCH，充电将要进行这一状态就会被检测到。6、过放电后的电源中断：当过放电发生后，AMI7101就进入电源中断模式，关闭所有的时钟生成与检测电路以减小静态电流到0.3uA（VCC=2.0V），同时CS引脚将通过一个高阻抗电阻上拉到VCC。六、设计指导1、外控制MOSFET的选择：因为过电流保护被预置，过电流检测的阈值电流通过放电控制MOSFET的导通电阻而被检测到，由方程RON=VOIP/（2*IT），（其中IT是过电流阈值电流）外控制MOSFET的导通电阻就会被检测到。例如：当过电流阈值电压被设计成3A，那么外控制MOSFET的导通电阻就应该等于25m欧姆，用户应被告知MOSFET的导通电阻随着热量的散失而导致温度的变化而变化，它也随着MOSFET的栅源电压的变化而变化（MOSFET的导通电阻随着栅源电压的升高而降低），一旦外MOSFET的