电子技术基础--第一章--半导体二极管及其基本电路

电子技术基础电工电子中心李月乔51971619答疑地点：教5楼D321关于教材•电子课堂/信息工程系/李月乔，下载PDF文件（第1、2章）。•10号左右正式出版书名：《电子技术基础》，中国电力出版社，主编：李月乔。可去教材科或书店购买。•配套习题答案和学习指导，近期，学习委员统计人数。要求2、认真听讲，课后复习，课前预习。1、保证出勤，课堂有序。3、独立完成作业，按时交作业，即时改错。4、多提问，有疑难即时解决。5、多交流，互相促进。本课程与《电路》联系紧密。复习《电路》中参考方向、欧姆定律、KCL、KVL。第一章半导体二极管及其基本电路第一节半导体的基本知识本章作业•1-3•1-13•1-14•1-9第一节半导体的基本知识•一、半导体硅、锗的原子结构与共价键•二、半导体导电的两个方面•三、空穴•四、本征半导体的特性•五、杂质半导体自然界物质按导电能力分类：•导体：导电能力最强，电解液，碳，金属，金属元素价电子数少于4个•绝缘体：导电能力最弱，橡胶，石英，价电子数8个•半导体：导电能力介于二者之间，价电子数4个常用的半导体材料有：•元素半导体：硅（Si）、锗（Ge）•化合物半导体：砷化镓（GaAs）半导体材料硅（Si）锗（Ge）的原子结构与共价键外层电子（价电子）数4个，价电子受原子核的束缚力最小，决定其化学性质本征半导体、空穴、及其导电作用本征半导体：完全纯净、结构完整的半导体晶体。纯度：99.9999999%，“九个9”它在物理结构上呈单晶体形态。T=0K且无外界激发，只有束缚电子，没有自由电子，本征半导体相当于绝缘体T=300K，本征激发，少量束缚电子摆脱共价键成为自由电子+4+4+4+4+4+4+4+4+4共价键内的电子称为束缚电子挣脱原子核束缚的电子称为自由电子本征半导体二、半导体导电的两个方面•自由电子的运动•束缚电子的运动与金属导电相比，金属导电只有自由电子的运动，因为金属没有共价键，而半导体有共价键,所以有两个方面三、空穴直接描述束缚电子的运动不太方便用我们假想的（自然界不存在的）、带正电的、与束缚电子反方向运动的那么一种粒子来描述束缚电子的运动比较方便，这种粒子起名叫做“空穴”半导体中的载流子•自由电子•空穴本征半导体中的自由电子和空穴成对出现四、本征半导体的特性（1）热敏特性（2）光敏特性（3）搀杂特性三种方式都可使本征半导体中的载流子数目增加，导电能力增强，但是并不是当做导体来使用，因为与导体相比，导电能力还差得远。杂质半导体掺入杂质的本征半导体。掺杂后半导体的导电率大为提高掺入三价元素，如B形成P型半导体，也称空穴型半导体掺入五价元素，如P形成N型半导体，也称电子型半导体五、杂质半导体（一）N型半导体+4+4+4+4+4+4+4+4+4+5+5在本征半导体中掺入五价元素如P自由电子是多子（杂质、热激发）空穴是少子（热激发）由于五价元素很容易贡献电子，因此将其称为施主杂质。施主杂质因提供自由电子而带正电荷成为正离子（二）P型半导体+4+4+4+4+4+4+4+4+4+3+3在本征半导体中掺入三价元素如B自由电子是少子（热激发）空穴是多子（杂质、热激发）因留下的空穴很容易俘获电子，使杂质原子成为负离子。三价杂质因而也称为受主杂质。•本征半导体、杂质半导体本节中的有关概念•自由电子、空穴•N型半导体、P型半导体•多数载流子、少数载流子•施主杂质、受主杂质第二节PN结•一、PN结的形成过程•二、PN结的单向导电性•三、PN结的伏安特性曲线•四、PN结的反向击穿•五、PN结的电容效应（非线性电容）杂质半导体虽然比本征半导体中的载流子数目要多得多，导电能力增强，但是也并不能象导体那样被用来传导电能，而是用来形成PN结一、PN结的形成过程•扩散运动：载流子由于浓度的差别而产生的运动称为扩散运动。•漂移运动：载流子在电场的作用下的运动称为漂移运动。•电流的参考方向的定义•电流的真实方向的定义P区N区P区N区载流子由于浓度的差别而产生的运动称为扩散运动。在扩散的过程中，在交界面处自由电子和空穴复合。自由电子和空穴复合出现内电场。P区N区P区N区P区N区P区P区N区P区N区扩散运动=漂移运动时达到动态平衡1.交界面出现自由电子、空穴的浓度差别P区N区空穴多自由电子少空穴少自由电子多P区空穴（多子）向N区扩散N区自由电子（多子）向P区扩散同时进行2.扩散的过程中自由电子和空穴复合，留下不能移动的杂质离子，形成内电场3.内电场的出现使少数载流子向对方漂移N区空穴（少子）向P区漂移P区自由电子（少子）向N区漂移同时进行4.刚开始,扩散运动大于漂移运动,最后,扩散运动等于漂移运动,达到动态平衡扩散运动多子从浓度大向浓度小的区域扩散,称扩散运动扩散运动产生扩散电流。扩散电流的真实方向是从P区指向N区的。漂移运动少子在电场的作用下向对方漂移,称漂移运动。漂移运动产生漂移电流。漂移电流的真实方向是从N区指向P区的。动态平衡扩散电流=漂移电流，PN结内总电流=0。PN结稳定的空间电荷区又称高阻区也称耗尽层二、PN结的单向导电性•定义：P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏。•定义：P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏。（一）PN结加正向电压时的导电情况外电场方向与PN结内电场方向相反，削弱了内电场。动态平衡被打破。扩散电流大于漂移电流。扩散电流远大于漂移电流。可忽略漂移电流的影响。空间电荷区变窄。P区的电位高于N区的电位，称为加正向电压，简称正偏；内外PN结呈现低阻性电压的真实方向（二）PN结加反向电压时的导电情况外电场与PN结内电场方向相同，增强内电场。动态平衡被打破。扩散电流小于漂移电流。漂移电流本身就很小，因为是少子形成的。ＰＮ结变宽。P区的电位低于N区的电位，称为加反向电压，简称反偏；内外PN结呈现高阻性电压的真实方向由此可以得出结论：PN结具有单向导电性。PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的电流，真实方向为P指向N。PN结加反向电压时，呈现高电阻，具有很小的电流，真实方向为N指向P。线性电阻具有双向导电性PN结具有单向导电性线性电阻具有双向导电性真实方向三、PN结的伏安特性曲线•PN结电压电流参考方向的规定1)(eISTDUuDiUT=26mV其中Is饱和电流;UT=kT/q等效电压k波尔兹曼常数；T=300k（室温）时UT=26mv由半导体物理可推出：当加反向电压时：当加正向电压时：(uDUT)PN结电流方程S-IDiTDUuDieIS1)(eISTDUuDi四、PN结的反向击穿反向击穿PN结上所加的反向电压达到某一数值时，反向电流激增的现象雪崩击穿当反向电压增高时，少子获得能量高速运动，在空间电荷区与原子发生碰撞，产生碰撞电离。形成连锁反应，象雪崩一样，使反向电流激增。齐纳击穿当反向电压较大时，强电场直接从共价键中将电子拉出来，形成大量载流子,使反向电流激增。击穿是可逆。击穿是可逆。（不可逆击穿）—热击穿PN结的电流或电压较大，使PN结耗散功率超过极限值，使结温升高，导致PN结过热而烧毁PN结的反向击穿五、PN结的电容效应（非线性电容）•（一）势垒电容CB•（二）扩散电容CD第三节半导体二极管•一、半导体二极管的结构•二、二极管的伏安特性•三、温度对二极管的伏安特性的影响•四、二极管的电阻•五、二极管的主要参数•六、二极管的型号一、半导体二极管的结构将PN结封装，引出两个电极，就构成了二极管。点接触型：结面积小，结电容小故结允许的电流小最高工作频率高面接触型：结面积大，结电容大故结允许的电流大最高工作频率低平面型：结面积可小、可大小的工作频率高大的结允许的电流大二极管的代表符号规定二极管的端电压uD的参考方向和二极管的电流iD的参考方向二、二极管的伏安特性参考方向的选取共有四种可能，本教材中选择其中的一种。线性电阻参考方向的选取只有两种可能：关联、非关联。因为双向导电D/DS(1)TuUiIe（a）硅二极管2CP10的伏安特性曲线（b）锗二极管2AP15的伏安特性曲线•死区电压Uth–硅二极管的死区电压一般为0.5V，锗二极管的死区电压一般为0.1V。•硅二极管正向导通电压约为0.7V，锗二极管正向导通电压约为0.2V。•反向击穿电压UBR。三、温度对二极管的伏安特性的影响•当温度升高时，二极管的伏安特性曲线左移。当温度降低时，二极管的伏安特性曲线右移。四、二极管的电阻•（一）二极管的直流电阻rDDDDIUr二极管两端的直流电压UD与直流电流ID之比就是二极管的直流电阻rD。非线性电阻Q点处的直流电阻rD是连接Q点与坐标原点的直线的斜率的倒数。•（二）二极管的交流电阻rdDDdiur在工作点Q附近，二极管两端电压的变化量和与之对应的电流变化量之比就是二极管的交流电阻rd。非线性电阻非线性电阻的直流电阻和交流电阻不同线性电阻的直流电阻和交流电阻相同交流电阻rd的大小也是随工作点Q的变化而变化的，工作点的电流越大，rd就越小。rd=26mv/ID(mA)五、二极管的主要参数•(一)最大整流电流IF–二极管长期连续工作时，允许通过的最大正向平均电流。•(二)反向击穿电压UBR–二极管反向电流急剧增加时对应的反向电压值称为反向击穿电压UBR。•(三)最大反向工作电压URM–指管子允许施加的反向电压最大值。UBR=2URM•(四)反向电流IR–在室温下，在规定的反向电压下的反向电流值。硅二极管的反向电流一般在纳安(nA)级；锗二极管在微安(A)级。国家标准对半导体器件型号的命名举例如下：2AP9用数字代表同类器件的不同规格。代表器件的类型，P为普通管，Z为整流管，K为开关管。代表器件的材料，A为N型Ge，B为P型Ge，C为N型Si，D为P型Si。2代表二极管，3代表三极管。六、二极管的型号第三节半导体二极管的模型及应用•一、二极管的模型•二、二极管模型的应用一、二极管的模型•（一）直流模型–（1）直流理想模型–（2）直流恒压降模型–（3）直流折线模型–（4）直流指数模型•（二）交流小信号模型•（1）直流理想模型•（2）直流恒压降模型•（3）直流折线模型•（4）直流指数模型模型越来越准确，但是计算越来越复杂直流模型用在直流电源作用的电路中（一）直流模型正偏时导通，管压降为0V，电流决定于外电路反偏时截止，电流为0，两端电压决定于外电路（1）直流理想模型理想二极管的符号（2）直流恒压降模型管子导通后,管压降认为是恒定的,典型值为0.7V。（硅二极管）（锗二极管将0.7V变为0.2V）（3）直流折线模型管压降不是恒定的,而是随电流的增加而增加。（硅二极管）200mA1V5.0V7.0Dr0.5V是二极管的死区电压（锗二极管将0.5V变为0.1V）（4）直流指数模型D/DS(1)TuUiIe（二）交流小信号模型（小信号模型）TD/TSDDDdDuUIeUIUIddigQUuTQTD/DS(1)TuUiIeDDTddmV261IIUgr注意：二极管的交流模型用在交流小信号电源作用的电路中小：能够把曲线看成直线，而误差能够忍受•（一）用二极管直流模型来分析电路•（二）用二极管交流模型来分析电路二极管在某个电路中可以这样来使用：1、当作非线性电阻来使用，即所有时间内全部在正向导通区2、当作开关来使用，即某段时间内导通，某段时间内截止3、当作开关来使用，即在所有时间内均导通4、当作开关来使用，即在所有时间内均截止5、当作小电压稳压器件来使用，即所有时间内全部在正向导通区6、当作大电压稳压器件来使用，即所有时间内全部在反向击穿区二、二极管模型的应用（一）用二极管直流模型来分析电路•例1求电路的ID和UD，已知R=10K在两种情况下计算:（1）UDD=10V（2）UDD=1V解:V0DUmA1/DDDRUI1)二极管使用直流理想模型（1）UDD=10V时首先：将原始电路中的二极管用它的理想模型代替，得到右侧的电路然后：判断理想二极管的状态（导通或截止）。方法：将理想二极管断开，求阳极和阴极的电位差，若0,则理想二极管正向导通；若