固体的能带结构

1第三章固体的能带结构（编者：华基美）2前言§1固体的能带一.电子共有化固体具有大量分子、原子或离子有规则排列的点阵结构。电子受到周期性势场的作用。a第三章固体的能带结构3解定态薛定格方程(略），可以得出两点重要结论：１.电子的能量是量子化的;２.电子的运动有隧道效应。原子的外层电子(高能级)，势垒穿透概率较大，电子可以在整个固体中运动,称为共有化电子。原子的内层电子与原子核结合较紧,一般不是共有化电子。4二.能带(energyband)量子力学计算表明，固体中若有N个原子，由于各原子间的相互作用，对应于原来孤立原子的每一个能级,变成了N条靠得很近的能级,称为能带。固体中的电子能级有什么特点？5能带的宽度记作E，数量级为E～eV。若N~1023,则能带中两能级的间距约10-23eV。一般规律：1.越是外层电子，能带越宽，E越大。2.点阵间距越小，能带越宽，E越大。3.两个能带有可能重叠。6离子间距a2P2S1SE0能带重叠示意图7三.能带中电子的排布固体中的一个电子只能处在某个能带中的某一能级上。排布原则：１.服从泡里不相容原理（费米子）２.服从能量最小原理设孤立原子的一个能级Enl，它最多能容纳2(2+1)个电子。l这一能级分裂成由N条能级组成的能带后，能带最多能容纳２Ｎ(2+1)个电子。l8电子排布时，应从最低的能级排起。有关能带被占据情况的几个名词：1．满带（排满电子）2．价带（能带中一部分能级排满电子）亦称导带3．空带（未排电子）亦称导带4．禁带（不能排电子）2ｐ、３ｐ能带，最多容纳6Ｎ个电子。例如，1ｓ、２ｓ能带，最多容纳2Ｎ个电子。２Ｎ(2+1)l9§2导体和绝缘体（conductor．insulator）它们的导电性能不同，是因为它们的能带结构不同。固体按导电性能的高低可以分为导体半导体绝缘体10导体导体导体半导体绝缘体EgEgEg11在外电场的作用下，大量共有化电子很易获得能量，集体定向流动形成电流。从能级图上来看，是因为其共有化电子很易从低能级跃迁到高能级上去。E导体12从能级图上来看，是因为满带与空带之间有一个较宽的禁带（Eg约3～6eV），共有化电子很难从低能级（满带）跃迁到高能级（空带）上去。在外电场的作用下，共有化电子很难接受外电场的能量，所以形不成电流。的能带结构,满带与空带之间也是禁带，但是禁带很窄（Eg约0.1～2eV)。绝缘体半导体13绝缘体与半导体的击穿当外电场非常强时，它们的共有化电子还是能越过禁带跃迁到上面的空带中的。绝缘体半导体导体14§３半导体的导电机构一.本征半导体（semiconductor）本征半导体是指纯净的半导体。本征半导体的导电性能在导体与绝缘体之间。介绍两个概念：1.电子导电……半导体的载流子是电子2.空穴导电……半导体的载流子是空穴满带上的一个电子跃迁到空带后,满带中出现一个空位。15例.半导体CdS满带空带hEg=2.42eV16这相当于产生了一个带正电的粒子(称为“空穴”),把电子抵消了。电子和空穴总是成对出现的。17空带满带空穴下面能级上的电子可以跃迁到空穴上来,这相当于空穴向下跃迁。满带上带正电的空穴向下跃迁也是形成电流,这称为空穴导电。Eg在外电场作用下,18解hchEgnmC.eV.s/msJ.Ehcgmax51410614221031063619834上例中,半导体CdS激发电子,光波的波长最大多长？19为什么半导体的电阻随温度升高而降低？20二.杂质半导体１.n型半导体四价的本征半导体Si、Ｇｅ等，掺入少量五价的杂质（impurity）元素（如P、As等）形成电子型半导体,称n型半导体。量子力学表明，这种掺杂后多余的电子的能级在禁带中紧靠空带处,ED～10-2eV，极易形成电子导电。该能级称为施主（donor）能级。21n型半导体在n型半导体中电子……多数载流子空带满带施主能级EDEgSiSiSiSiSiSiSiP空穴……少数载流子22２.ｐ型半导体四价的本征半导体Si、Ｇe等，掺入少量三价的杂质元素（如Ｂ、Ga、Ｉn等）形成空穴型半导体，称p型半导体。量子力学表明，这种掺杂后多余的空穴的能级在禁带中紧靠满带处，ED～10-2eV，极易产生空穴导电。该能级称受主（acceptor）能级。23空带Ea满带受主能级P型半导体SiSiSiSiSiSiSi+BEg在p型半导体中空穴……多数载流子电子……少数载流子243.n型化合物半导体例如，化合物GaAs中掺Ｔｅ，六价的Te替代五价的As可形成施主能级，成为n型GaAs杂质半导体。4.ｐ型化合物半导体例如，化合物GaAs中掺Zn，二价的Zn替代三价的Ga可形成受主能级，成为p型GaAs杂质半导体。25三.杂质补偿作用实际的半导体中既有施主杂质（浓度nd），又有受主杂质（浓度na），两种杂质有补偿作用：若ndna——为n型（施主）若ndna——为p型（受主）利用杂质的补偿作用，可以制成P-Ｎ结。26§4Ｐ-Ｎ结一.Ｐ-Ｎ结的形成在一块n型半导体基片的一侧掺入较高浓度的受主杂质，由于杂质的补偿作用，该区就成为ｐ型半导体。由于Ｎ区的电子向Ｐ区扩散，Ｐ区的空穴向Ｎ区扩散，在ｐ型半导体和Ｎ型半导体的交界面附近产生了一个电场,称为内建场。27内建场大到一定程度,不再有净电荷的流动，达到了新的平衡。在ｐ型n型交界面附近形成的这种特殊结构称为P-N结，约0.1m厚。P-N结阻En型p型内建场阻止电子和空穴进一步扩散，记作。阻E28P-N结处存在电势差Uo。也阻止N区带负电的电子进一步向P区扩散。它阻止P区带正电的空穴进一步向N区扩散；U00eU电子能级电势曲线电子电势能曲线P-N结29考虑到P-Ｎ结的存在，半导体中电子的能量应考虑进这内建场带来的电子附加势能。电子的能带出现弯曲现象。30空带空带P-N结0eU施主能级受主能级满带满带31二.Ｐ-Ｎ结的单向导电性１.正向偏压在Ｐ-Ｎ结的p型区接电源正极，叫正向偏压。阻挡层势垒被削弱、变窄，有利于空穴向N区运动，电子向P区运动，形成正向电流（mＡ级）。Ep型n型I阻E32外加正向电压越大，正向电流也越大，而且是呈非线性的伏安特性(图为锗管)。V（伏）３０２０１０（毫安）正向00.21.0I33２.反向偏压在Ｐ-Ｎ结的ｐ型区接电源负极,叫反向偏压。阻挡层势垒增大、变宽，不利于空穴向Ｎ区运动，也不利于电子向P区运动,没有正向电流。Ep型n型I阻E34但是，由于少数载流子的存在，会形成很弱的反向电流，当外电场很强,反向电压超过某一数值后，反向电流会急剧增大----反向击穿。称为漏电流（Ａ级）。击穿电压V(伏)I-１０-２０-３０（微安）反向-20-3035利用P-N结可以作成具有整流、开关等作用的晶体二极管（diode）。36§５半导体的其他特性和应用热敏电阻（自学）光敏电阻（自学）温差电偶（自学）P-N结的适当组合可以作成具有放大作用的晶体三极管（trasistor），以及其他一些晶体管。集成电路：371947年12月23日，美国贝尔实验室的半导体小组做出了世界上第一只具有放大作用的点接触型晶体三极管。固定针B探针固定针AGe晶片1956年小组的三位成员获诺贝尔物理奖。38pnp电信号cbVebVcbRe~后来，晶体管又从点接触型发展到面接触型。晶体管比真空电子管体积小，重量轻，成本低，可靠性高，寿命长，很快成为第二代电子器件。39集成电路大规模集成电路超大规模集成电路下图为INMOST900微处理器:每一个集成块（图中一个长方形部分）约为手指甲大小，它有300多万个三极管。4041半导体激光器半导体激光器是光纤通讯中的重要光源，在创建信息高速公路的工程中起着极重要的作用。核心部分是p型GaAs和n型GaAs构成的P-N结（通过掺杂补偿工艺制得）。最简单的GaAs同质结半导体激光器，42典型尺寸：长L=250～500m宽ｗ=5～10m厚d=0.1～0.2m它的激励能源是外加电压(电泵)．在正向偏压下工作。解理面P-N结P-N结43当正向电压大到一定程度时，在某些特定的能级之间造成粒子数反转的状态，形成电子与空穴复合发光。P-Ｎ结本身就形成一个光学谐振腔，它的两个端面就相当于两个反射镜，形成激光振荡,适当镀膜后可达到所要求的很高的反射系数，并利于选频。．有大量载流子跃迁到较高能量的能级上。由自发辐射引起受激辐射。.44半导体激光器的特点：第三章结束功率可达102mW效率高制造方便成本低所需电压低(只需1.5V)体积小极易与光纤接合