第8章MCS-51单片机扩展存储器的设计8.1概述片内的资源如不满足需要,需外扩存储器和I/O功能部件:系统扩展问题,内容主要有:(1)外部存储器的扩展(外部存储器又分为外部程序存储器和外部数据存储器)(2)I/O接口部件的扩展。本章介绍MCS–51单片机如何扩展外部存储器,I/O接口部件的扩展下一章介绍。系统扩展结构如下图:MCS-51单片机外部存储器结构:哈佛结构。MCS-96单片机的存储器结构:普林斯顿结构。MCS-51数据存储器和程序存储器的最大扩展空间各为64KB。系统扩展首先要构造系统总线。8.2系统总线及总线构造8.2.1系统总线按其功能通常把系统总线分为三组:1.地址总线(AdressBus,简写AB)2.数据总线(DataBus,简写DB)3.控制总线(ControlBus,简写CB)8.2.2构造系统总线系统扩展的首要问题:构造系统总线,然后再往系统总线上“挂”存储器芯片或I/O接口芯片,“挂”存储器芯片就是存储器扩展,“挂”I/O接口芯片就是I/O扩展。MCS-51由于受引脚数目的限制,数据线和低8位地址线复用。为了将它们分离出来,需要外加地址锁存器,从而构成与一般CPU相类似的片外三总线,见图8-2。地址锁存器一般采用74LS373,采用74LS373的地址总线的扩展电路如下图(图8-3)。1.以P0口作为低8位地址/数据总线。2.以P2口的口线作高位地址线。3.控制信号线。*使用ALE信号作为低8位地址的锁存控制信号。*以PSEN*信号作为扩展程序存储器的读选通信号。*以EA*信号作为内外程序存储器的选择控制信号。*由RD*和WR*信号作为扩展数据存储器和I/O口的读选通、写选通信号。尽管MCS-51有4个并行I/O口,共32条口线,但由于系统扩展需要,真正作为数据I/O使用的,就剩下P1口和P3口的部分口线。8.2.3单片机系统的串行扩展技术优点:串行接口器件体积小,与单片机接口时需要的I/O口线很少(仅需3-4根),提高可靠性。串行扩展可以减少芯片的封装引脚,降低成本,简化了系统结构,增加了系统扩展的灵活性。为实现串行扩展,一些公司(例如PHILIPS和ATMEL公司等)已经推出了非总线型单片机芯片,并且具有SPI(SerialPeriperalInterface)三线总线和I2C公用双总线的两种串行总线形式。与此相配套,也推出了相应的串行外围接口芯片。缺点:串行接口器件速度较慢在大多数应用的场合,还是并行扩展占主导地位。8.3读写控制、地址空间分配和外部地址锁存器8.3.1存储器扩展的读写控制RAM芯片:读写控制引脚,记为OE*和WE*,与MCS-51的RD*和WR*相连。EPROM芯片:只能读出,故只有读出引脚,记为OE*,该引脚与MCS-51的PSEN*相连。8.3.2存储器地址空间分配MCS-51发出的地址是用来选择某个存储器单元进行读写,要完成这种功能,必须进行两种选择:“片选”和“单元选择”。存储器空间分配除考虑地址线连接外,还讨论各存储器芯片在整个存储空间中所占据的地址范围,常用的存储器地址分配的方法有两种:线性选择法(简称线选法)和地址译码法(简称译码法)。1.线选法直接利用系统的高位地址线作为存储器芯片(或I/O接口芯片)的片选信号。优点:电路简单,不需要地址译码器硬件,体积小,成本低。缺点:可寻址的器件数目受到限制,地址空间不连续,地址不唯一。例某一系统,需要外扩8KB的EPROM(2片2732),4KB的RAM(2片6116),这些芯片与MCS-51单片机地址分配有关的地址线连线,电路如下图。2732:4KB程序存储器,有12根地址线A0~A11,分别与单片机的P0口及P2.0~P2.3口相连。2732(1)的片选端接A15(P2.7),2732(2)的片选端接A14(P2.6)。当要选中某个芯片时,单片机P2口对应的片选信号引脚应为低电平,其它引脚一定要为高电平。6116:2KB数据存储器,需要11根地址线作为单元的选择,而剩下的P2口线(P2.4~P2.7)作为片选线。两片程序存储器的地址范围:2732(1)的地址范围:7000H~7FFFH;2732(2)的地址范围:B000H~BFFFH;6116(1)的地址范围:E800H~EFFFH;6116(2)的地址范围:D800H~DFFFH。线选法特点:简单明了,不需另外增加硬件电路。只适于外扩芯片不多,规模不大的单片机系统。2.译码法最常用的译码器芯片:74LS138(3-8译码器)74LS139(双2-4译码器)74LS154(4-16译码器)。可根据设计任务的要求,产生片选信号。全译码:全部高位地址线都参加译码;部分译码:仅部分高位地址线参加译码。(1)74LS138(3~8译码器)引脚如图8-5,译码功能如表8-1(P167)所示。当译码器的输入为某一个固定编码时,其输出只有某一个固定的引脚输出为低电平,其余的为高电平。74LS138译码器真值表输入输出G1G2A*G2B*CBAY7*Y6*Y5*Y4*Y3*Y2*Y1*Y0*(2)74LS139(双2-4译码器)引脚如下图。真值表如表8-2(P168)所示。下面以74LS138为例,介绍如何进行地址分配。例要扩8片8KB的RAM6264,如何通过74LS138把64KB空间分配给各个芯片?采用的是全地址译码方式,单片机发地址码时,每次只能选中一个存储单元。同类存储器间不会产生地址重叠的问题。如果用74LS138把64K空间全部划分为每块4KB,如何划分呢?见下图。8.3.3外部地址锁存器常用的地址锁存器芯片有:74LS373、8282、74LS573等。1.锁存器74LS373带有三态门的8D锁存器,其引脚其内部结构如下图。引脚说明如下:D7~D0:8位数据输入线。Q7~Q0:8位数据输出线。G:数据输入锁存选通信号,OE*:数据输出允许信号2.锁存器8282功能及内部结构与74LS373完全一样,只是其引脚的排列与74LS373不同,8282的引脚如下图。引脚的排列为绘制印刷电路板时的布线提供了方便。3.锁存器74LS573输入的D端和输出的Q端也是依次排在芯片的两侧,与锁存器8282一样,为绘制印刷电路板时的布线提供了方便。8.4程序存储器EPROM的扩展采用只读存储器,非易失性。(1)掩膜ROM在制造过程中编程。成本较高,因此只适合于大批量生产。(2)可编程ROM(PROM)用独立的编程器写入。但PROM只能写入一次,且不能再修改。(3)EPROM电信号编程,紫外线擦除的只读存储器芯片。(4)E2PROM(EEPROM)电信号编程,电信号擦除的ROM芯片。读写操作与RAM几乎没有什么差别,只是写入的速度慢一些。但断电后能够保存信息。(5)FlashROM又称闪烁存储器,简称闪存。大有取代E2PROM的趋势。8.4.1常用EPROM芯片介绍典型芯片是27系列产品,例如,2764(8KB×8)、27128(16KB×8)、27256(32KB×8)、27512(64KB×8)。“27”后面的数字表示其位存储容量。扩展程序存储器时,应尽量用大容量的芯片。1.常用的EPROM芯片参数见表8-4(P123)。引脚如下图。引脚功能如下:A0~A15:地址线引脚。数目决定存储容量来定,用来进行单元选择。D7~D0:数据线引脚CE*:片选输入端OE*:输出允许控制端PGM*:编程时,加编程脉冲的输入端Vpp:编程时,编程电压(+12V或+25V)输入端Vcc:+5V,芯片的工作电压。GND:数字地。NC:无用端2.EPROM芯片的工作方式(1)读出方式片选控制线为低,同时输出允许控制线为低,Vpp为+5V,指定地址单元的内容从D7~D0上读出。(2)未选中方式片选控制线为高电平。(3)编程方式Vpp端加上规定高压,CE*和OE*端加合适电平(不同的芯片要求不同),就能将数据线上的数据写入到指定的地址单元。(4)编程校验方式(5)编程禁止方式输出呈高阻状态,不写入程序。8.4.2程序存储器的操作时序1.访问程序存储器的控制信号(1)ALE(2)PSEN*(3)EA*如果指令是从片外EPROM中读取,ALE用于低8位地址锁存,PSEN*接外扩EPROM的OE*脚。P0口:分时低8位地址总线和数据总线,P2口:高8位地址线。2.操作时序(1)应用系统中无片外RAM(2)应用系统中接有片外RAM由图(b)可看出:(1)将ALE用作定时脉冲输出时,执行一次MOVX指令就会丢失一个脉冲。(2)只有在执行MOVX指令时的第二个机器周期期间,地址总线才由数据存储器使用。8.4.3典型的EPROM接口电路1.使用单片EPROM的扩展电路2716、2732EPROM价格贵,容量小,且难以买到。仅介绍2764、27128、27256、27512芯片的接口电路。下图为外扩16K字节的EPROM27128的接口电路图。MCS-51外扩单片32K字节的EPROM27256的接口。程序存储器所占的地址空间,自己分析。3.使用多片EPROM的扩展电路MCS-51扩展4片27128。4片27128各自所占的地址空间,自己分析。8.5静态数据存储器的扩展8.5.1常用的静态RAM(SRAM)芯片典型型号有:6116、6264、62128、62256。+5V电源供电,双列直插封装,6116为24引脚封装,6264、62128、62256为28引脚封装,引脚如下图。各引脚功能如下:A0~A14:地址输入线。D0~D7:双向三态数据线。CE*:片选信号输入。对于6264芯片,当26脚(CS)为高电平时,且CE*为低电平时才选中该片。OE*:读选通信号输入线。WE*:写允许信号输入线,低电平有效。Vcc:工作电源+5VGND:地有读出、写入、维持三种工作方式,这些工作方式的操作控制如表8-6(P181)。8.5.2外扩数据存储器的读写操作时序1.读片外RAM操作时序2.写片外RAM操作时序写是CPU主动把数据送上P0口总线。故在时序上,CPU先向P0口总线上送完8位地址后,在S3状态就将数据送到P0口总线。8.5.3典型的外扩数据存储器的接口电路图8-21给出了用线选法扩展8031外部数据存储器的电路。地址线为A0~A12,故8031剩余地址线为三根。用线选法可扩展3片6264。3片6264对应的存储器空间如下表。译码选通法扩展,如下图所示。各片62128地址分配见表8-9。表8-9各片62128地址分配P2.6P2.7译码输出选中芯片地址范围存储容量00YO*IC10000H-3FFFH16K01Y1*IC24000H-7FFFH16K10Y2*IC38000H-BFFFH16K11Y3*IC4C000H-FFFFH16K单片62256与8031的接口电路如图8-23所示。地址范围为0000H~7FFFH。例8-1编写程序将片外数据存储器中5000H~50FFH单元全部清零。方法1:用DPTR作为数据区地址指针,同时使用字节计数器。MOVDPTR,#5000H;设置数据块指针的初值MOVR7,#00H;设置块长度计数器初值CLRALOOP:MOVX@DPTR,A;把某一单元清零INCDPTR;地址指针加1DJNZR7,LOOP;数据块长度减1,若不为0则继续清零HERE:SJMPHERE;执行完毕,原地踏步方法2:用DPTR作为数据区地址指针,但不使用字节计数器,而是比较特征地址。MOVDPTR,#5000HCLRALOOP:MOVX@DPTR,AINCDPTRMOVR7,DPLCJNER7,#0,LOOP;与末地址+1比较HERE:SJMPHERE8.6EPROM和RAM的综合扩展8.6.1综合扩展的硬件接口电路例8-2采用线选法扩展2片8KB的RAM和2片8KB的EPROM。RAM选6264,EPROM选2764。扩展接口电路见下图。(1)各芯片地址空间分配(2)控制信号及片选信号IC2和IC4占用地址空间为2000H~3FFFH共8KB。同理IC1、IC3地址范围4000H~5FFFH(P2