5-1MOS场效应管.

P沟道耗尽型P沟道P沟道N沟道增强型N沟道N沟道（耗尽型）FET场效应管JFET结型MOSFET绝缘栅型(IGFET)耗尽型：场效应管没有加偏置电压时，就有导电沟道存在增强型：场效应管没有加偏置电压时，没有导电沟道场效应管的分类：5.1金属-氧化物-半导体（MOS）场效应管5.1.1N沟道增强型MOSFET5.1.5MOSFET的主要参数5.1.2N沟道耗尽型MOSFET5.1.3P沟道MOSFET5.1.4沟道长度调制效应5.1.1N沟道增强型MOSFET1.结构（N沟道）L：沟道长度W：沟道宽度tox：绝缘层厚度通常WL5.1.1N沟道增强型MOSFET剖面图1.结构（N沟道）符号5.1.1N沟道增强型MOSFET2.工作原理（1）vGS对沟道的控制作用当vGS≤0时无导电沟道，d、s间加电压时，也无电流产生。当0vGSVT时产生电场，但未形成导电沟道（感生沟道），d、s间加电压后，没有电流产生。当vGSVT时在电场作用下产生导电沟道，d、s间加电压后，将有电流产生。vGS越大，导电沟道越厚VT称为开启电压2.工作原理（2）vDS对沟道的控制作用靠近漏极d处的电位升高电场强度减小沟道变薄当vGS一定（vGSVT）时，vDSID沟道电位梯度整个沟道呈楔形分布当vGS一定（vGSVT）时，vDSID沟道电位梯度当vDS增加到使vGD=VT时，在紧靠漏极处出现预夹断。2.工作原理（2）vDS对沟道的控制作用在预夹断处：vGD=vGS-vDS=VT预夹断后，vDS夹断区延长沟道电阻ID基本不变2.工作原理（2）vDS对沟道的控制作用2.工作原理（3）vDS和vGS同时作用时vDS一定，vGS变化时给定一个vGS，就有一条不同的iD–vDS曲线。3.V-I特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程const.DSDGS)(vvfi①截止区当vGS＜VT时，导电沟道尚未形成，iD＝0，为截止工作状态。3.V-I特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程const.DSDGS)(vvfi②可变电阻区vDS≤（vGS－VT）])([DSDSTGSnD22vvvVKi由于vDS较小，可近似为DSTGSnD)(vvVKi2常数GSDDSdsovvdidr)(TGSnVKv21rdso是一个受vGS控制的可变电阻3.V-I特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程②可变电阻区DSTGSnD)(vvVKi2)(TGSndsoVKrv21n：反型层中电子迁移率Cox：栅极（与衬底间）氧化层单位面积电容本征电导因子oxn'nCKLWLWKK22oxnnnC其中Kn为电导常数，单位：mA/V23.V-I特性曲线及大信号特性方程（1）输出特性及大信号特性方程③饱和区（恒流区又称放大区）vGSVT，且vDS≥（vGS－VT）2)(TGSnDVKiv221)(TGSTnVVKv21)(TGSDOVIv2TnDOVKI是vGS＝2VT时的iDV-I特性：3.V-I特性曲线及大信号特性方程（2）转移特性const.GSDDS)(vvfi21)(TGSDODVIiv5.1.2N沟道耗尽型MOSFET1.结构和工作原理（N沟道）二氧化硅绝缘层中掺有大量的正离子可以在正或负的栅源电压下工作，而且基本上无栅流5.1.2N沟道耗尽型MOSFET2.V-I特性曲线及大信号特性方程21)(PGSDSSDVIiv21)(TGSDODVIiv（N沟道增强型）5.1.3P沟道MOSFET5.1.4沟道长度调制效应实际上饱和区的曲线并不是平坦的)()(DSTGSnDvv12VKi)()(DSTGSDOvv112VIL的单位为m1V1.0L当不考虑沟道调制效应时，＝0，曲线是平坦的。修正后5.1.5MOSFET的主要参数一、直流参数NMOS增强型1.开启电压VT（增强型参数）2.夹断电压VP（耗尽型参数）3.饱和漏电流IDSS（耗尽型参数）4.直流输入电阻RGS（109Ω～1015Ω）二、交流参数1.输出电阻rdsGSDDSdsVirvD12TGSnds1])([iVKrv当不考虑沟道调制效应时，＝0，rds→∞5.1.5MOSFET的主要参数DSGSDmVigv2.低频互导gm二、交流参数考虑到2TGSnD)(VKiv则DSDSGS2TGSnGSDm)]([VVVKigvvv)(2TGSnVKvnDTGS)(KiVvDn2iKLWK2Coxnn其中5.1.5MOSFET的主要参数end三、极限参数1.最大漏极电流IDM2.最大耗散功率PDM3.最大漏源电压V（BR）DS4.最大栅源电压V（BR）GS