SST25VF016B_cn中文数据手册

AMicrochipTechnologyCompany©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25044A_CN11/11数据手册特性•单电压读写操作–2.7-3.6V•串行接口架构–兼容SPI：模式0和模式3•高速时钟频率–高达80MHz•超高可靠性–可擦写次数：100,000次（典型值）–数据保存时间大于100年•低功耗：–读操作工作电流：10mA（典型值）–待机电流：5µA（典型值）•灵活的擦除功能–均一4KB扇区–均一32KB覆盖块–均一64KB覆盖块•快速擦除和字节编程：–全片擦除时间：35ms（典型值）–扇区/块擦除时间：18ms（典型值）–字节编程时间：7µs（典型值）•自动地址递增（AutoAddressIncrement，AAI）编程–减少字节编程操作期间的总芯片编程时间•写操作结束检测–软件轮询状态寄存器中的BUSY位–AAI模式下SO引脚上的忙状态读出•保持引脚（HOLD#）–在不取消选择器件的情况下暂停存储器的串行序列•写保护（WP#）–使能/禁止状态寄存器的锁定功能•软件写保护–通过状态寄存器中的块保护位实现写保护•温度范围–商业级：0°C至+70°C–工业级：-40°C至+85°C•可用封装–8引脚SOIC（200mil）–8触点WSON（6mmx5mm）•所有器件均符合RoHS标准16MbSPI串行闪存SST25VF016BSST的25系列串行闪存采用四线、兼容SPI的接口，从而实现占用较少电路板空间的低引脚数封装，并最终降低总系统成本。SST25VF016B器件是增强型器件，提高了工作频率并降低了功耗。SST25VF016BSPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOSSuperFlash®技术制造。与其他方法相比，分离栅极单元设计（split-gatecelldesign）和厚氧化层隧穿注入器（thick-oxidetunnelinginjector）可实现更高的可靠性和可制造性。©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25044A_CN11/11216MbSPI串行闪存SST25VF016B数据手册AMicrochipTechnologyCompany产品描述SST的25系列串行闪存采用四线、兼容SPI的接口，从而实现占用较少电路板空间的低引脚数封装，并最终降低总系统成本。SST25VF016B器件是增强型器件，与原有的SST25VFxxxA器件相比，提高了工作频率并降低了功耗。SST25VF016BSPI串行闪存采用SST专有的高性能CMOSSuperFlash®技术制造。与其他方法相比，分离栅极单元设计（split-gatecelldesign）和厚氧化层隧穿注入器（thick-oxidetunnelinginjector）可实现更高的可靠性和可制造性。SST25VF016B器件可以显著提高性能和可靠性，同时降低功耗。对于SST25VF016B，器件使用2.7-3.6V单电源进行写操作（编程或擦除）。消耗的总能量是应用中施加电压、电流和时间的函数。对于任何给定的电压范围，SuperFlash®技术的编程电流更低、擦除时间更短；因此，在任何擦除或编程操作期间消耗的总能量低于其他闪存技术。SST25VF016B器件提供8引脚SOIC（200mil）和8触点WSON（6mmx5mm）封装。有关引脚分配，请参见图2。©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25044A_CN11/11316MbSPI串行闪存SST25VF016B数据手册AMicrochipTechnologyCompany框图图1：功能框图1271B1.0I/O㓧ކ఼੠᭄᥂䫕ᄬ఼SuperFlash®ᄬټ఼X䆥ⷕ఼᥻ࠊ䘏䕥ഄഔ㓧ކऎ੠䫕ᄬ఼CE#Y䆥ⷕ఼SCKSISOWP#HOLD#І㸠᥹ষ©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25044A_CN11/11416MbSPI串行闪存SST25VF016B数据手册AMicrochipTechnologyCompany引脚说明图2：引脚分配表1：引脚说明符号引脚名称功能SCK串行时钟用于提供串行接口的时序。命令、地址或输入数据在时钟输入的上升沿进行锁存，而输出数据在时钟输入的下降沿移出。SI串行数据输入用于以串行方式将命令、地址或数据传送到器件中。输入在串行时钟的上升沿进行锁存。SO串行数据输出用于以串行方式将数据传送出器件。数据在串行时钟的下降沿移出。当重新配置为RY/BY#引脚后，在AAI编程期间输出闪存忙状态。有关详细信息，请参见第12页上的“硬件写操作结束检测”。CE#芯片使能CE#上高电平到低电平的转换可使能器件。在任何命令序列的持续时间内，CE#都必须保持低电平。WP#写保护写保护（WP#）引脚用于使能/禁止状态寄存器中的BPL位。HOLD#保持用于在不复位器件的情况下暂时停止与SPI闪存存储器的串行通信。VDD电源用于提供电源电压：对于SST25VF016B，为2.7-3.6V。VSS地T1.02504412348765CE#SOWP#VSSVDDHOLD#SCKSI׃㾚೒127108-soicS2AP1.012348765CE#SOWP#VSS׃㾚೒VDDHOLD#SCKSI127108-wsonQAP2.08引脚SOIC8触点WSON©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25044A_CN11/11516MbSPI串行闪存SST25VF016B数据手册AMicrochipTechnologyCompany存储器构成SST25VF016BSuperFlash存储器阵列由均一4KB可擦除扇区以及32KB覆盖块和64KB覆盖可擦除块组成。器件操作SST25VF016B通过兼容SPI（串行外设接口）总线的协议进行访问。SPI总线包含四条控制线；芯片使能（CE#）用于选择器件，数据通过串行数据输入（SI）、串行数据输出（SO）和串行时钟（SCK）进行访问。SST25VF016B支持SPI总线操作的模式0（0,0）和模式3（1,1）。如图3所示，两种模式之间的差异在于当总线主器件处于待机模式并且没有数据传送时的SCK信号状态。SCK信号在模式0时为低电平，在模式3时为高电平。对于这两种模式，串行数据输入（SI）在SCK时钟信号的上升沿被采样，串行数据输出（SO）在SCK时钟信号的下降沿之后被驱动。图3：SPI协议1271SPIprot.0῵ᓣ3SCKSISOCE#῵ᓣ3᮴݇ԡBit7Bit6Bit5Bit4Bit3Bit2Bit1Bit0Bit7Bit6Bit5Bit4Bit3Bit2Bit1Bit0῵ᓣ0῵ᓣ0催䰏ᡫMSbMSb©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25044A_CN11/11616MbSPI串行闪存SST25VF016B数据手册AMicrochipTechnologyCompany保持操作HOLD#引脚用于暂停正在操作SPI闪存存储器的串行序列，但不会复位时钟序列。要激活HOLD#模式，CE#必须处于有效低电平状态。当SCK有效低电平状态与HOLD#信号的下降沿同时发生时，HOLD#模式开始。当HOLD#信号的上升沿与SCK有效低电平状态同时发生时，保持模式结束。如果HOLD#信号的下降沿未与SCK有效低电平状态同时发生，则当SCK再次达到有效低电平状态时器件进入保持模式。同样，如果HOLD#信号的上升沿未与SCK有效低电平状态同时发生，则当SCK再次达到有效低电平状态时器件退出保持模式。有关保持条件波形，请参见图4。器件进入保持模式之后，SO将处于高阻抗状态，而SI和SCK可以为VIL或VIH。如果在保持条件期间将CE#驱动为有效高电平，则将复位器件的内部逻辑。只要HOLD#信号为低电平，存储器就会保持在保持条件下。要继续与器件进行通信，必须将HOLD#驱动为有效高电平，并将CE#驱动为有效低电平。有关保持时序，请参见图24。图4：保持条件波形写保护SST25VF016B提供了软件写保护。写保护引脚（WP#）用于使能或禁止状态寄存器的锁定功能。状态寄存器中的块保护位（BP3、BP2、BP1、BP0和BPL）提供对存储器阵列和状态寄存器的写保护。有关块保护的说明，请参见表4。写保护引脚（WP#）写保护（WP#）引脚用于使能状态寄存器的BPL位（bit7）的锁定功能。当WP#驱动为低电平时，是否执行写状态寄存器（WRSR）指令由BPL位的值（见表2）决定。当WP#为高电平时，BPL位的锁定功能被禁止。表2：执行写状态寄存器（WRSR）指令的条件WP#BPL执行WRSR指令L1不允许L0允许HX允许T2.025044᳝ᬜֱᣕ᳝ᬜֱᣕ᳝ᬜ1271HoldCond.0SCKHOLD#©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25044A_CN11/11716MbSPI串行闪存SST25VF016B数据手册AMicrochipTechnologyCompany状态寄存器软件状态寄存器提供有关闪存存储器阵列是否可进行任何读或写操作的状态、器件是否写使能以及存储器写保护的状态。在内部擦除或编程操作期间，可对状态寄存器只进行读操作，以确定正在进行的操作的完成状态。表3列出了软件状态寄存器中每个位的功能。BUSYBUSY位确定是否有内部擦除或编程操作正在进行中。BUSY位为“1”表示器件正忙于操作。BUSY位为“0”表示器件准备好进行下一个有效操作。写使能锁存器（WEL）写使能锁存器（Write-EnableLatch，WEL）位表示内部寄存器的写使能锁存器状态。如果写使能锁存器位置“1”，则表示器件写使能。如果该位置“0”（复位），则表示器件未写使能，并且不接受任何存储器写（编程/擦除）命令。在下列条件下，写使能锁存器位自动复位：•上电•写禁止（WRDI）指令完成•字节编程指令完成•自动地址递增（AAI）编程完成或达到其最高的不受保护的存储器地址•扇区擦除指令完成•块擦除指令完成•全片擦除指令完成•写状态寄存器指令表3：软件状态寄存器Bit名称功能上电时的默认值读/写0BUSY1=内部写操作正在进行中0=没有内部写操作正在进行中0R1WEL1=器件处于存储器写使能状态0=器件未处于存储器写使能状态0R2BP0指示当前的块写保护级别（见表4）1R/W3BP1指示当前的块写保护级别（见表4）1R/W4BP2指示当前的块写保护级别（见表4）1R/W5BP3指示当前的块写保护级别（见表4）0R/W6AAI自动地址递增编程状态1=AAI编程模式0=字节编程模式0R7BPL1=BP3、BP2、BP1和BP0为只读位0=BP3、BP2、BP1和BP0可读/写0R/WT3.025044©2011SiliconStorageTechnology,Inc.DS25044A_CN11/11816MbSPI串行闪存SST25VF016B数据手册AMicrochipTechnologyCompany自动地址递增（AAI）自动地址递增编程状态位提供有关器件处于自动地址递增（AutoAddressIncrement，AAI）编程模式还是字节编程模式的状态。上电时默认为字节编程模式。块保护（BP3、BP2、BP1和BP0）块保护（BP3、BP2、BP1和BP0）位定义了要通过软件保护方式防止任何存储器写（编程或擦除）操作的存储器区域的大小，如表4中定义。只要WP#为高电平或块保护锁定（Block-Protect-Lock，BPL）位为0，就可以使用写状态寄存器（WRSR）指令编程BP3、BP2、BP1和BP0位。仅当块保护位全部为0时，才能执行全片擦除。上电后，BP3、BP2、BP1和BP0置为1。块保护锁定（BPL）WP#引脚驱动为低电平（VIL）时，将使能块保护锁定（BPL）位。当BPL置1时，将阻止对BPL、BP3、BP2、BP