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1晶体二极管和二极管整流电路复习题复习题一（二极管的单向导电性）一、填空题：1、晶体二极管加时导通，加电压时截止，这一导电特性称为晶体二极管的单向导电性。二、判断题：1、二极管加上反向电压时，它的正极电位比负极电位高。（）2、由于二极管具有单向导电性，所以二极管要正向接入电路才能发挥作用。（）3、二极管两端加上正向电压就导通。（）4、二极管导通时两端所加的是正向偏置电压。（）三、选择题：1、晶体二极管的阳极电位是-10V，阴极电位是-5V，则该晶体二极管处于（）状态。A零偏B反偏D正偏2、如果把二极管的阳极接到6V的电源正极，把阴极接到电源的负极，二极管会（）。A正偏B反偏C不允许这样接3、晶体二极管正偏时相当于（）A断开的开关B闭合的开关C以上都不对4、二极管具有（）A信号放大作用B单向导电性C双向导电性D负阻特性四、问答题：1、如图所示的电路中，当输入端ab间输入交流电压时，通过R1、R2两电阻上的是交流电，还是直流电。2、二极管电路如下图所示，判断图中二极管的状态是导通还是截止，并确定输出电压为多少23、如下图所示，二极管导通电压约为0.7V，试分析开关断开和闭合时R上的电压各为多少。4、在下图所示的电路中，灯会亮吗？3复习题二（PN结）一、填空题：1、半导体是指导电性能的物体。2、在半导体中存在两种载流子：一种是，带电；一种是，带电。3、称为本征半导体。4、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。5、P型半导体又称半导体，其内部空穴数量（填“多于”或“少于”）自由电子数量，是多数载流子。6、在本征半导体中加入微量的硼元素可得到型半导体，在本征半导体中加入微量的磷元素可得到型半导体。7、在硅或锗单晶基片上加工出P型区和N型区，二极管的正极从区引出，负极从区引出。在P型区和N型区的结合部是一个特殊的薄层，称为。8、二极管之所以具有单向导电性，是因为其内部有一个具有单向导电性的。二、判断题：1、空穴是半导体中特有的一种带正电的电荷。（）2、N型半导体中导电的是自由电子。（）3、硅和锗是制作半导体器件的主要材料。（）4、在半导体内部，只有空穴是载流子。（）5、在P型半导体中多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。（）6、半导体中导电的是多数载流子。（）7、把一块P型半导体和一块N型半导体接触在一起就能形成PN结。（）8、PN结具有单向导电性。（）9、在二极管中由P型区引出的管脚是二极管的阴极。（）三、选择题：1、在P型半导体中参与导电的是（）A离子B自由电子C空穴DB和C2、PN结正向导通的条件是（）AN区电位高于P区电位BP区电位高于N区电位CN区电位等于P区电位D都不对3、关于N型半导体，下列说法错误的是（）A空穴是少数载流子B在二极管中由N型区引出的管脚是二极管的阳极C在纯净的硅晶体中加入磷可形成N型半导体D在PNP型晶体管中，基区是N型半导体4、本征半导体是（）AP型半导体BN型半导体C纯净半导体D掺杂半导体5、半导体中的空穴和自由电子数目相等，这样的半导体称为（）4AP型半导体BN型半导体C纯净半导体D掺杂半导体6、PN结正偏时相当于（）A阻值无限大的电阻B阻值很小的电阻C以上均不对复习题三（二极管的分类和型号）一、填空题：1、画出下列几种二极管的电路图符号：整流二极管发光二极管稳压二极管光电二极管变容二极管2、整流二极管是一种利用二极管的性，把交流电变换成的二极管，它工作在偏置状态。3、稳压二极管工作于偏置状态。4、发光二极管是把能转化为光能的发光器件，它工作在偏置状态，发光二极管正常工作时管压降为。5、光电二极管是一种能将接收到的信号转换成电信号的二极管，又称为，它工作在偏置状态。6、当给变容二极管施加电压时，由于PN结展宽而呈现特性。7、国产半导体器件型号各部分的意义：第一部分：用数字表示器件的，2表示该器件为，3表示该器件为；第二部分：用汉语拼音字母表示，A,B,C,D第三部分：用汉语拼音字母表示，P,W,Z,U二、判断题：1、2AP系列二极管是由硅半导体材料制成的。（）2、2CZ系列二极管是由锗半导体材料制成的。（）3、2BP系列二极管是稳压管。（）三、选择题：1、发光二极管的特点是（）A工作电压低，工作电流小，耗电省，寿命长B工作电压高，工作电流小，耗电省，寿命长C工作电压低，工作电流大，耗电省，寿命长D工作电压高，工作电流大，耗电省，寿命长2、某稳压二极管上标有“6V5”字样，该字样表示（）A该稳压管的稳压值为65VB该稳压管的稳压值为6.5VC该稳压管的稳压值为6V误差为5%D是厂家的生产编号3、某二极管上标有2CW字样，表示它是（）AN型硅材料稳压管BP型硅材料稳压管CN型锗材料整流管DP型硅材料普通管5复习题四（二极管的伏安特性和参数）一、填空题：1、和间的关系称为二极管的伏安特性。2、从二极管的伏安特性曲线可以看出，二极管的电压和电流深化呈关系，其内阻（填“是”或“不是”）常数，所以二极管属于器件。3、当二极管的正向电压较小时，二极管的电阻很，基本上处于状态，这个区域称为正向特性的死区，硅管的死区电压约为，锗管约为。（死区电压又称为电压或电压）4、硅二极管的导通电压约为，锗管的导通电压约为。5、反向截止区：二极管加反向电压时，二极管的电阻很，二极管处于状态，这时会有反向电流流过二极管，称为。二极管的反向漏电流很，且基本（填“随”或“不随”）反向电压的变化而变化。6、硅管的反向漏电流比锗管。7、反向击穿区：当加到二极管两端的反向电压超过某一规定数值（此电压值称为）时，反向电流突然急剧增大，这种现象称为，反向击穿电压用字母表示。8、整流二极管的主要参数有：最大整流电流：是二极管通话通过的，用字母表示，如果实际工作时的正向电流平均值超过此值，二极管会；最高反向工作电压是二极管允许承受的，用字母表示，为了留有余地，通常标定的最高反向工作电压是向向击穿电压的。二、判断题：1、二极管的伏安特性说明：二极管两端加正向电压就导通，加上反向电压就截止。（）2、一般来说，硅二极管的死区电压小于锗二极管的死区电压。（）3、晶体二极管击穿后立即烧毁。（）4、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小，当反向电压大于反向击穿电压时，反向电流会迅速增大。（）5、当二极管两端的正向电压超过死区电压后，二极管的电阻变得很小，二极管导通。（）6、二极管被反向击穿后就不能再用了。（）7、二极管加反向电压时，形成很小的反向电流，在电压不超过某一范围时，二极管的反向电流胡电压的增加而基本不变。（）三、选择题：1、当晶体二极管的正向电压大于其门槛电压时，它相当于（）A阻值很大的电阻B阻值很小的电阻C接通的开关D以上都不对2、当硅二极管加上0.4V的正向电压时，二极管相当于（）A阻值很小的电阻B断开的开关C闭合的开关D以上都不对3、当二极管两端正向电压大于（）电压时，二极管才能导通。A击穿B饱和C门坎D以上都不对4、二极管两端的反向电压增大时，在达到（）电压以前，通过的电流很小。A击穿B饱和C门坎D以上都不对6复习题五（二极管的测试）一、填空题：1、使用万用电表测试二极管时应使用档，一般用或这两档。R*1档太大，R*10K挡太大，都容易使被测管损坏。2、当万用电表拨至欧姆挡时，其红表笔接内电源的极，黑表笔接内电源的极。3、用万用电表测试二极管时，用红黑表笔分别接二极管的两极测试一次，将红黑表笔对调再测一次，若两次所测阻值一次大，一次小，则说明二极管，测得阻值较大的一次是电阻，阻值较小的一次是电阻，此时与表笔接触的是二极管的正极。若两次阻值都很大，说明二极管。若两次阻值都很小，说明二极管。4、由于发光二极管的正向导通电压一般在1.5V以上，所以检测时必须用万用表的挡，当正向电阻小于，反向电阻大于时，发光二极管为正常的。二、判断题：1、二极管的正向电阻大于反向电阻。（）2、用万用表测试所有的二极管都应该用R*100或R*1K挡。（）3、用万用表测某晶体二极管的反向电阻是，红表笔所连接的是二极管的阳极，黑表笔接的是二极管的阴极。（）三、选择题：1、如果用万用表测得二极管的正反向电阻都很小，则二极管（）A特性良好B已被击穿C内部开路D功能正常2、在用万用表测量二极管过程中，对于同一种二极管，用万用表不同的挡位测出的正向电阻不同，主要原因是（）A万用表在不同的挡们，其内阻不同B二极管具有非线性的伏安特性C被测二极管质量很差D二极管已被损坏四、问答题：1、有人在没一个二极管反向时，为了使万用表的表笔与管脚接触良好，她用两手把两端接触处捏紧，结果发现管子的反向电阻比较小，认为不合格，但接入电路时却正常工作，这是什么原因？2、测量电流时为保护线圈式电表的脆弱转动部件，不致因接错直流电源的极性或通过电流太大而损坏，常在表头处串联或并联一个二极管，如下图所示，试分别说明这两种接法的二极管各起什么作用。7综合复习题一（二极管）一、填空题：1、导电能力介于和之间的物体称为半导体。2、在N型半导体中为多数载流子，为少数载流子。3、从半导体二极管内部的PN结的区引出的电极叫二极管的正极，从区引出的电极叫二极管的负极。给二极管正极加高电位，负极加低电位时，叫给二极管加电压。给二极管正极加低电位，负极加高电位时，叫给二极管加偏电压。4、当加在硅二极管上的正向电压超过伏时，二极管进入导通状态。5、根据是否掺入杂质，半导体可分为半导体和半导体两大类。6、二极管的特性是。具体指：给二极管加电压，二极管导通；给二极管加电压，二极管截止。7、常用二极管以材料分类，可分为二极管和二极管；以PN结面积大小分类，又可分为接触型和接触型。8、用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量，若两次读数都为∞，则此二极管_____；若两次读数都接近零，则此二极管_____________；若读数一次很大，一次读数小，则此二极管______________。9、设如右图电路中,D1为硅二极管,D2为锗二极管，则D1处于状态,D2处于状态,输出电压Uo为伏。10、图11电路中，设所有二极管均为理想的。当开关Ｓ打开时，Ａ点定位ＶA＝伏，此时流过电阻Ｒ1中的电流I1＝毫安；当开关Ｓ闭合时，Ａ点定位ＶA＝伏，此时流过电阻Ｒ1的电流Ｉ1＝毫安。（提示：开关Ｓ打开时，Ｖ３管优先导通）12、在图12路中，Ｖ为理想二极管，则当开关Ｓ打开时，Ａ点定位ＶA＝伏；开关Ｓ闭合时，ＶA＝伏。13、在下左图所示电路中，二极管是硅管时V＝毫安，若二极管是锗管，此时V＝毫安。14、晶体二极管因所加电压过大而，并且出现的现象，称为热击穿。15、纯净的半导体称为，它的导电能力很。在纯净的半导体中掺入少量的三价元素，可形成P型半导体，又称型半导体，其中多数载流子为，少数载流子为。16、二极管的伏安特性指和关系，当正向电压超过_____8后，二极管导通。正常导通后，二极管的正向压降很小，硅管约为V,锗管约为V。17、图下所示各电路中，如电源均为3V，输入电压VI分别为+6V，0V，-6V，求各电路的输出电压VO。（1）VO=V（2）VO=V（3）VO=V18、如图，这是材料的二极管的___曲线，在正向电压超过V后，二极管开始导通，这个电压称为电压。正常导通后，此管的正向压降约为V。当反向电压增大到V即称为电压时，反向电流会急剧增大，该现象为。若反向电压继续增大，容易发生现象。其中稳压管一般工作在区。19、二极管的主要参数有________、_________和，20、用模拟式万用表欧姆档测二极管的正、反向电阻时，若两次测量时指针偏转幅度都较小，则表明二极管内部；若两次测量时指针偏转幅度都较大，则表明二极管内部。两次两次测量时指针偏转幅度相差越大，则说明二极管的。21、有一锗二极管正反向电阻均接近于零，表明该二极管已_______，又有一硅二极管正反向电阻均接近于无穷大，表明该二极管已_______。12、如上左图，V1、V2为理想二极管。V1状态，V2状态。VAB=V23、如上右图，V为理想二极管。V状态，VAB=V9复习题六（半波整流电路）一、填空题：1、叫做整