模拟电子技术基础太原理工大学韩晓明(讲师)第一章、常用半导体器件1.1半导体基础知识2、伏安特性类似于PN结的伏安特性,正向电流减小,反向电流增大Uon:开启电压硅:0.5V锗:0.1V导通电压:硅:0.7V锗:0.2V此时电压电流近似线性3、主要参数1)最大整流电流:最大正向平均电流2)最大反向工作电压:通常取击穿电压的一半3)反向电流:未击穿时的反向电流越小,单向导电性越好4)最高工作频率4、等效电路1.2.5稳压二极管与普通二极管的区别主要参数:1、稳定电压2、稳定电流3、额定功耗4、动态电阻1.3双极型晶体管1.3.1三极管的结构和类型1、结构2、作用:放大、开关3、结构上满足:a、发射区掺杂浓度集电区掺杂浓度、集电区掺杂浓度基区掺杂浓度b、基区必须很薄,一般只有几微米1.3.2电流放大作用1、条件:内部外部:发射结正偏,集电结反偏NPN:VcVbVePNP:VcVbVe共射放大电路2、放大原理(以NPN为例)A、发射区向基区注入电子B、电子在基区的扩散电子在基区复合形成C、电子被集电极收集反向饱和电流双极型晶体管电流控制电流器件BNIENEEPENIIIICNICBOI3、分配关系p25的式1.3.1有误共射直流电流放大系数共射直流电流放大系数EPCNBNEPENEIIIIIICBOEPBNBIIIICBOCNCIIICBEIIIBCBOBCCBOBCBOCIIIIIIII1BCii因为所以CBEIIIBCII1.3.3三极管的特性曲线(NPN)1、输入特性曲线CuBEBCEufi2、输出特性(1)截止区(2)放大区(3)饱和区:集电结正偏规定:Vce=Vbe时临界饱和,此时CiCECBufiCCESCCcsRVVI第二章基本放大电路2.1放大的概念及主要指标1、放大电路的功能:将微弱的信号(U、I、P)不失真地放大到所需的数值,从而使电子设备的终端执行元件(继电器、仪表或扬声器)有所动作或显示。2、主要指标:a、放大倍数(4个)(有效值)b、输入电阻c、输出电阻d、通频带e、f、2.2基本共射放大电路的工作原理一、电路组成1、三极管2、Vcc作用3、VBB作用4、Ui5、C1与C2为何称为共射放大电路?从交流角度讲二、工作原理1、无输入信号(Ui=0)直流状态或静态直流通路IB、IC、VCE恒定静态工作点Q2、有输入信号(Ui!=0)动态各处信号=直流+交流iB=ib+IB三、电路分析(一)、静态分析(求Q)步骤:1、画直流通路方法:a、ui=0b、C开路c、L短路2、分析方法一、近似估算法方法二、图解法方法二、图解法a、输入特性曲线确定IBQ和UBEQb、输出特性曲线确定ICQ和UCEQ(二)动态分析(求AV、Ri、Ro)步骤:1、画交流通路2、分析方法一、图解法方法二、计算分析法方法一、图解法(输出开路)a、根据ui在输入特性曲线上求iBb、根据iB在输出特性曲线上求iC和uCEc、计算放大倍数动态分析1、AV2、Ri3、Ro注:1、Ri与信号源内阻无关,Ro与负载无关2、Ri越大越好Ro越小越好三种基本接法共集电极放大电路1、组成直接耦合为何是共集电极?2、静态分析EBBECCBRRVVI1基本共基极放大电路1、为何是共基极电路?2、分析3、特点:a、无电流放大能力。b、放大倍数较大,且同相。c、Ri较小,Ro与共射电路相当。d、最大优点是频带宽。三种接法的比较项目共射放大电路共集放大电路共基放大电路放大倍数很大近似等于1很大放大的信号电压、电流电流电压输入电阻居中最大最小输出电阻较大最小较大频带较窄较窄很宽2.4静态工作点的稳定1、Q的意义2、Q点波动原因:温度、电源波动、器件更换CBBECCBOBCCBOCQIIVIIIIIIT1第三章多级放大电路3.1耦合方式1、直接耦合缺点:设计难、零点漂移优点:低频特性好,易于集成2、阻容耦合缺点:低频特性差,不易集成优点:设计简单3、变压器耦合缺点:低频差,不易集成,笨重优点:实现阻抗变换4、光电耦合缺点:CTR值比电流放大系数小优点:避免电干扰3.2多级放大电路的动态分析VnVVinoioioVAAAUUUUUUA212211iiRRonoRR例3.2.13.3直接耦合放大电路零点漂移现象:输入电压为零而输出电压不为零且缓慢变化的现象。原因:a、温度变化(最主要)b、电源电压的变化c、元件的老化阻容耦合电路零漂不严重。衡量零漂的指标差分放大电路长尾式差分放大电路差动:只有当两个输入端有差别时,输出才有变动。静态分析:法一、常规法法二、简化法差模信号共模信号动态分析差模输入:RL的处理Re的处理共模输入: