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第1页共4页湖南商学院课程考核试卷（A）卷课程名称：计算机组成原理学分：2考核学期：2008—2009学年度第1学期考核形式：闭卷、考试年级、专业、层次：计科06级，临0723、0724时量：120分钟题号一二三四五六七八总分合分人应得分2010302515100实得分复查人评卷人一、单选题（每小题1分，共20分）1、冯·诺依曼结构计算机工作方式的核心思想是（）。A、数据流驱动B、存储程序控制C、采用VLSI器件D、模式匹配驱动的智能计算2、关于“同步控制”方式的描述正确的是（）。A、只适用于CPU内部的控制B、只适用于外围设备的控制C、所有指令执行的时间相同D、由统一时序信号控制的方式3、在计算机系统的多层结构中，以下哪一级程序是硬件可以直接执行的（）。A、汇编语言级B、微程序级C、操作系统级D、虚拟机器级4、某计算机指令平均运算时间是10ns（1ns=10-9s），则该机的平均运算速度是（）。A、1MPISB、10MPISC、100MPISD、1000MPIS5、在计算机系统中，用来表征指令运行状态的部件是（）。A、主存地址寄存器B、主存数据寄存器C、程序计数器D、程序状态字6、在浮点数表示中，其阶码常采用哪种编码表示（）。A、原码B、反码C、补码D、移码7、用8位字长的补码（其中1位符号位）表示定点小数N，能表示的数值范围是（）A、0≤|N|≤1-2-7B、-1≤|N|≤1-2-8C、-1≤|N|≤1-2-7D、-(1-2-7)≤|N|≤1-2-78、采用虚拟存储器的目的是（）。A、提高主存的速度B、扩大辅存的存储容量得分评卷人姓名学号班级临班-------------------------------------------------装订线（考生答题不要超过此装订线）------------------------------------------------------班级学号姓名临班第2页共4页C、弥补主存存储容量的不足D、降低存储器的价格9、下列移码表示的机数中，其真值最小的是（）。A、100000B、010111C、110000D、01110110、常规乘、除法运算过程采用部分积右移、余数左移的做法，其目的是（）。A、节省硬件（节省加法器的位数）B、提高精度C、提高运算速度D、防止溢出11、在“多级先行进位方式”的加法器中，为了减小进位的延迟，常采用（）。A、组内并行进位、组间串行进位B、组内串行进位、组间并行进位C、组内并行进位、组间并行进位D、行波进位（进位从低到高依次传递）12、设浮点数的尾数用双符号位表示（变形补码），以下哪个不是规格化的（）。A、00.101101B、11.001101C、11.110101D、00.11110113、一个十进制数26，用“余3码”表示为（）。A、（26）10B、（00100110）余3码C、（01011001）余3码D、（00011010）214、以下数据中含有1位奇校验位，哪个数据在传输过程中发生了错误（）。A、10101011B、10011001C、00100101D、1000100115、计算机操作的最小时间单位是（）A、时钟周期B、指令周期C、机器周期D、微指令周期16、某SRAM芯片，其容量为512×8位，该芯片的数据线与地址线数之和是（）。A、23B、8C、9D、1717、以下哪个描述是错误的（）A、中断的响应可以发生在一条指令执行完毕后，也可以发生在指令执行过程中B、DMA方式在数据传输过程中接管了CPU的总线控制权C、中断的响应次序和其处理次序可以不一致D、程序查询的输入输出控制方式不支持多个设备并行工作18、在微程序控制工作方式中，一条机器指令对应的是（）。A、一个微操作B、一个微命令C、一个微指令周期D、一段微程序19、在I/O的控制方式中，程序查询方式、中断方式和DMA方式的优先级从低到高的排列次序是（）。A、程序查询方式、DMA方式、中断方式B、程序查询方式、中断方式、DMA方式C、DMA方式、中断方式、程序查询方式D、中断方式、程序查询方式、DMA方式、20、向量中断中的中断向量是（）。A、中断返回地址B、中断的类型码Ｃ、子程序的入口地址Ｄ、中断服务例程的入口地址第3页共4页二、填空题（每空题1分，共10分）（注意：按括号中的答题顺序填空）1、数值连同符号在计算机中的编码表示称之为该数据的（①），其原来的数值称为（②）。2、一个带1位符号位的补码10011010，左移2位后的结果是（③）。3、浮点运算中，对结果的尾数进行规格化的过程简称为（④），规格化的主要目的是（⑤）。4、“中断隐指令”完成的主要操作有保存断点、关中断和（⑥）。5、总线优先和仲裁机构的集中式控制方式主要有链式查询、计数器定时查询和（⑦）等。6、机器字长为32位，存储容量为1MB，若按字编址访问，其地址线需要（⑧）条。7、目前，CPU控制器的实现方法有组合逻辑型和（⑨）。8、对于一个40行×32列矩阵的DRAM，存储器的最大刷新周期为2ms,在用异步刷新方式下，该存储相邻两行的刷新间隔时间为(⑩)μs。三、计算题（每题10分，共30分）（一）x=-3564,y=4164。用变形补码计算（10分）（1）[x]补=？、[y]补=？（5分）（2）[x-y]补=?判断结果的溢出情况？（5分）（二）有两浮点数的真值是x=0.101110×2-011,y=-(0.101011)×2-100。设这两个数的格式是：阶码4位，用移码表示（偏置值为8）；尾数8位，含1位符位，用补码表示。计算：x+y的浮点运算结果（尾数运算时采用变形补码运算）。要求写出完整的运算步骤。（10分）（三）已知x=0.1011,y=-0.1010,用“原码一位乘法”求x×y的值，要求写出计算机中的运算过程。（10分）得分评卷人得分评卷人第4页共4页四、分析题（共25分）（一）某机字长为16位，主存容量为64K字，指令格式为单字长单地址，共有32条指令。回答下面问题，要求有详细的分析过程。（10分）（1）若采用直接寻址方式，指令能访问多少个主存单元。（5分）（2）若在指令中增加一位直接/间接寻址标志，扩充寻址方式为直接/间接寻址，指令可寻址范围是多少？（5分）（二）有一模型机的CPU的数据通路如右图。@表示间接寻址。分析指令：SUB@R0,R1在组合逻辑控制方式下CPU的控制过程。要求写出指令解释的各个周期、以及所涉及到的部件和微命令。(15分)五、设计题（共15分）某半导体存储器，总容量3KB。其中固化区1KB，分布在地址低端，工作区为2KB。现有如下芯片，EPROM芯片（1K×8位/片）、SRAM芯片2114（1K×4位/片）。读写控制信号为R/W，芯片的片选低电平有效。（1）计算芯片数量和选型（5分）（2）分析存储器和各芯片的地址范围、确定各芯片的片选信号（5分）（3）画出逻辑图（可采用门电路、2-4译码器、3-8译码器等）（5分）得分评卷人得分评卷人指令译码器IRPCMARMDRR0Rn-1YZALU地址线数据线存储总线……CPU内部总线控制信号CU时钟控制信号…IRinPCinPCoutMARinMDRinMDRoutR0outR0inRn-1inRn-1outYinALUinZout+1AdIRoutOPIRout