02 数字电子电路技术 第二章 二极管、三极管的开关特性、基本逻辑门电路 课件

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2020/2/111数字电子电路技术DigitalElectronicTechnology湖南工学院2020/2/112第2章逻辑门电路2.1二极管及三极管的开关特性2.2基本逻辑门电路2.1.1二极管的开关特性2.1.2三极管的开关特性2.2.1二极管与门2.2.2二极管或门2.2.3关于高低电平的概念及状态赋值2.2.4二极管非门(反相器)2.2.5关于正逻辑和负逻辑的概念结束放映2020/2/113复习请回忆实现与、或、非逻辑的开关电路形式?它们有何共同特点?开关电路与逻辑电路是如何联系起来的?2020/2/1142.1二极管及三极管的开关特性数字电路中的晶体二极管、三极管和MOS管工作在开关状态。导通状态:相当于开关闭合截止状态:相当于开关断开。逻辑变量←→两状态开关:在逻辑代数中逻辑变量有两种取值:0和1;电子开关有两种状态:闭合、断开。半导体二极管、三极管和MOS管,则是构成这种电子开关的基本开关元件。2020/2/115(1)静态特性:断开时,开关两端的电压不管多大,等效电阻ROFF=无穷,电流IOFF=0。闭合时,流过其中的电流不管多大,等效电阻RON=0,电压UAK=0。(2)动态特性:开通时间ton=0关断时间toff=0理想开关的开关特性:2020/2/116客观世界中,没有理想开关。乒乓开关、继电器、接触器等的静态特性十分接近理想开关,但动态特性很差,无法满足数字电路一秒钟开关几百万次乃至数千万次的需要。半导体二极管、三极管和MOS管做为开关使用时,其静态特性不如机械开关,但动态特性很好。2020/2/1172.1.1二极管的开关特性1.静态特性及开关等效电路正向导通时UD(ON)≈0.7V(硅)0.3V(锗)RD≈几Ω~几十Ω相当于开关闭合图2-1二极管的伏安特性曲线2020/2/118反向截止时反向饱和电流极小反向电阻很大(约几百kΩ)相当于开关断开图2-1二极管的伏安特性曲线2020/2/119图2-2二极管的开关等效电路(a)导通时(b)截止时图2-1二极管的伏安特性曲线开启电压理想化伏安特性曲线2020/2/11102.动态特性:若输入信号频率过高,二极管会双向导通,失去单向导电作用。因此高频应用时需考虑此参数。二极管从截止变为导通和从导通变为截止都需要一定的时间。通常后者所需的时间长得多。反向恢复时间tre:二极管从导通到截止所需的时间。一般为纳秒数量级(通常tre≤5ns)。2020/2/11112.1.2三极管的开关特性1.静态特性及开关等效电路在数字电路中,三极管作为开关元件,主要工作在饱和和截止两种开关状态,放大区只是极短暂的过渡状态。图2-3三极管的三种工作状态(a)电路(b)输出特性曲线2020/2/1112开关等效电路(1)截止状态条件:发射结反偏特点:电流约为02020/2/1113(2)饱和状态条件:发射结正偏,集电结正偏特点:UBES=0.7V,UCES=0.3V/硅2020/2/1114图2-4三极管开关等效电路(a)截止时(b)饱和时2020/2/11152.三极管的开关时间(动态特性)图2-5三极管的开关时间开启时间ton上升时间tr延迟时间td关闭时间toff下降时间tf存储时间ts2020/2/1116(1)开启时间ton三极管从截止到饱和所需的时间。ton=td+trtd:延迟时间tr:上升时间(2)关闭时间toff三极管从饱和到截止所需的时间。toff=ts+tfts:存储时间(几个参数中最长的;饱和越深越长)tf:下降时间toffton。开关时间一般在纳秒数量级。高频应用时需考虑。2020/2/1117门电路的概念:实现基本和常用逻辑运算的电子电路,叫逻辑门电路。实现与运算的叫与门,实现或运算的叫或门,实现非运算的叫非门,也叫做反相器,等等。分立元件门电路和集成门电路:分立元件门电路:用分立的元件和导线连接起来构成的门电路。简单、经济、功耗低,负载差。集成门电路:把构成门电路的元器件和连线都制作在一块半导体芯片上,再封装起来,便构成了集成门电路。现在使用最多的是CMOS和TTL集成门电路。2.2基本逻辑门电路2020/2/11182.2.1二极管与门电路1.电路2.工作原理A、B为输入信号(+3V或0V)F为输出信号VCC=+12V表2-1电路输入与输出电压的关系ABF0V0V0.7V0V3V0.7V3V0V0.7V3V3V3.7V2020/2/1119用逻辑1表示高电平(此例为≥+3V)用逻辑0表示低电平(此例为≤0.7V)ABF0V0V0.7V0V3V0.7V3V0V0.7V3V3V3.7V3.逻辑赋值并规定高低电平4.真值表ABF000010100111表2-2二极管与门的真值表A、B全1,F才为1。可见实现了与逻辑2020/2/11205.逻辑符号6.工作波形(又一种表示逻辑功能的方法)7.逻辑表达式F=AB图2-6二极管与门(a)电路(b)逻辑符号(c)工作波形2020/2/11212.2.2二极管或门电路1.电路2.工作原理电路输入与输出电压的关系ABF0V0V0V0V3V2.3V3V0V2.3V3V3V2.3VA、B为输入信号(+3V或0V)F为输出信号2020/2/11224.真值表ABF0V0V0V0V3V2.3V3V0V2.3V3V3V2.3V可见实现了或逻辑3.逻辑赋值并规定高低电平用逻辑1表示高电平(此例为≥+2.3V)用逻辑0表示低电平(此例为≤0V)ABF000011101111A、B有1,F就1。表2-2二极管或门的真值表2020/2/1123图2-7二极管或门(a)电路(b)逻辑符号(c)工作波形5.逻辑符号6.工作波形7.逻辑表达式F=A+B2020/2/11242.2.3关于高低电平的概念及状态赋值电位指绝对电压的大小;电平指一定的电压范围。高电平和低电平:在数字电路中分别表示两段电压范围。例:上面二极管与门电路中规定高电平为≥3V,低电平≤0.7V。又如,TTL电路中,通常规定高电平的额定值为3V,但从2V到5V都算高电平;低电平的额定值为0.3V,但从0V到0.8V都算作低电平。1.关于高低电平的概念2020/2/11252.逻辑状态赋值在数字电路中,用逻辑0和逻辑1分别表示输入、输出高电平和低电平的过程称为逻辑赋值。经过逻辑赋值之后可以得到逻辑电路的真值表,便于进行逻辑分析。2020/2/11262.2.4非门(反相器)图2-8非门(a)电路(b)逻辑符号1.电路2.工作原理A、B为输入信号(+3.6V或0.3V)F为输出信号AF0.3V+VCC3.6V0.3V2020/2/11273.逻辑赋值并规定高低电平用逻辑1表示高电平(此例为≥+3.6V)用逻辑0表示低电平(此例为≤0.3V)4.真值表AF0.3V+VCC3.6V0.3VAF0110表2-4三极管非门的真值表A与F相反可见实现了非逻辑Y=A2020/2/11282.2.5关于正逻辑和负逻辑的概念正逻辑体系:用1表示高电平,用0表示低电平。负逻辑体系:用1表示低电平,用0表示高电平。1.正负逻辑的规定2.正负逻辑的转换对于同一个门电路,可以采用正逻辑,也可以采用负逻辑。本书若无特殊说明,一律采用正逻辑体制。同一个门电路,对正、负逻辑而言,其逻辑功能是不同的。2020/2/1129ABF0V0V0.7V0V3V0.7V3V0V0.7V3V3V3.7V正与门相当于负或门二极管与门电路用正逻辑ABF000010100111正与门用负逻辑负或门ABF1111010110002020/2/11302.3.1TTL反相器的工作原理2.3.2TTL反相器的电压传输特性及参数2.3TTL反相器2.3.4TTL反相器的其它参数2.3.3TTL反相器的输入特性和输出特性结束放映2020/2/1131复习什么是高电平?什么是低电平?什么是状态赋值?什么是正逻辑?什么是负逻辑?二极管与门、或门有何优点和缺点?2020/2/11322.3TTL反相器TTL集成逻辑门电路的输入和输出结构均采用半导体三极管,所以称晶体管—晶体管逻辑门电路,简称TTL电路。TTL电路的基本环节是反相器。简单了解TTL反相器的电路及工作原理,重点掌握其特性曲线和主要参数(应用所需知识)。2020/2/11332.3.1TTL反相器的工作原理1.电路组成图2-9TTL反相器的基本电路2020/2/1134(1)输入级NPN当输入低电平时,uI=0.3V,发射结正向导通,uB1=1.0V当输入高电平时,uI=3.6V,发射结受后级电路的影响将反向截止。uB1由后级电路决定。NNP2020/2/1135(2)中间级反相器VT2实现非逻辑反相输出同相输出向后级提供反相与同相输出。输入高电压时饱和输入低电压时截止2020/2/1136(3)输出级(推拉式输出)VT3为射极跟随器低输入高输入饱和截止低输入高输入截止导通2020/2/11372.工作原理(1)当输入高电平时,uI=3.6V,VT1处于倒置工作状态,集电结正偏,发射结反偏,uB1=0.7V×3=2.1V,VT2和VT4饱和,输出为低电平uO=0.3V。2.1V0.3V3.6V2020/2/1138(2)当输入低电平时,uI=0.3V,VT1发射结导通,uB1=0.3V+0.7V=1V,VT2和VT4均截止,VT3和VD导通。输出高电平uO=VCC-UBE3-UD≈5V-0.7V-0.7V=3.6V1V3.6V0.3V2020/2/1139(3)采用推拉式输出级利于提高开关速度和负载能力VT3组成射极输出器,优点是既能提高开关速度,又能提高负载能力。当输入高电平时,VT4饱和,uB3=uC2=0.3V+0.7V=1V,VT3和VD截止,VT4的集电极电流可以全部用来驱动负载。当输入低电平时,VT4截止,VT3导通(为射极输出器),其输出电阻很小,带负载能力很强。可见,无论输入如何,VT3和VT4总是一管导通而另一管截止。这种推拉式工作方式,带负载能力很强。2020/2/11402.3.2TTL反相器的电压传输特性及参数电压传输特性:输出电压uO与输入电压uI的关系曲线。图2-10TTL反相器电路的电压传输特性截止区线性区转折区饱和区1.曲线分析VT4截止,称关门VT4饱和,称开门2020/2/11412.结合电压传输特性介绍几个参数(1)输出高电平UOH典型值为3V。(2)输出低电平UOL典型值为0.3V。2020/2/1142(3)开门电平UON一般要求UON≤1.8V(4)关门电平UOFF一般要求UOFF≥0.8V在保证输出为额定低电平的条件下,允许的最小输入高电平的数值,称为开门电平UON。在保证输出为额定高电平的条件下,允许的最大输入低电平的数值,称为关门电平UOFF。UOFFUON2020/2/1143(5)阈值电压UTH电压传输特性曲线转折区中点所对应的uI值称为阈值电压UTH(又称门槛电平)。通常UTH≈1.4V。(6)噪声容限(UNL和UNH)噪声容限也称抗干扰能力,它反映门电路在多大的干扰电压下仍能正常工作。UNL和UNH越大,电路的抗干扰能力越强。2020/2/1144UOFFUNLUILUONUNHUIH2020/2/1145①低电平噪声容限(低电平正向干扰范围)UNL=UOFF-UILUIL为电路输入低电平的典型值(0.3V)若UOFF=0.8V,则有UNL=0.8-0.3=0.5(V)②高电平噪声容限(高电平负向干扰范围)UNH=UIH-UONUIH为电路输入高电平的典型值(3V)若UON=1.8V,则有UNH=3-1.8=1.2(V)2020/2/11462.3.3TTL反相器的输入特性和输出特性1.输入伏安特性输入电压和输入电流之间的关系曲线。图2-11TTL反相器的输入伏安特性(a)测试电路(b)输入伏安特性曲线2020/2/1147两个重要参数:(1)输入短路电流IIS当uI=0V时,iI从输入端流出。iI=-(VCC-UBE1)/R1=-(5-0.7)/4≈-1.1mA(2)高电平输入电流IIH当输入为
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