刻蚀工艺培训资料

ETCHPROCESSTRAINING2000/8/28WHATISETCH？•什么是腐蚀？腐蚀就是通过一定的方法（化学药液，特气等）把光刻曝光显影后形成的图形转移到硅片上，从而形成管芯的各种结构和图形。•腐蚀课工艺分：腐蚀；去胶；清洗；ETCHBASEPARAMETER•腐蚀速率（ETCHRATE）=单位时间内同种衬底损失掉的厚度；E/R=（A-B）/ETCHTIMEABETCHBASEPARAMETER•腐蚀速率的均匀性（UNIF）=在同一硅片不同位置的腐蚀速率的差异；UNIF=[MAXE/R（1，5）—MINE/R（1，5）]/2AVGE/R（1，5）15234ETCHBASEPARAMETER•选择比（SELECITY）=在同样腐蚀条件下，不同材料的腐蚀速率的比值。•SELA/B=（E/RA）/（E/RB）•选择比反映腐蚀过程中对另一种材料（光刻胶或衬底）的影响。材料A材料BETCHBASEPARAMETER•形貌（PROFILE）=反映腐蚀后硅片表面的地貌特征；•负载效应=反映不同光刻图形（即PR/ETCHRATIO）对腐蚀速率，形貌等的影响。•条宽损失（CDLOSS）=腐蚀对图形条宽的影响。CDLOSS=FINALCD—PHOTOCDETCHBASEPARAMETER•各向同性腐蚀=腐蚀速率在纵向和横向上均一样的腐蚀；如湿法腐蚀就是各向同性腐蚀。衬底衬底PRPR腐蚀前腐蚀后ETCHBASEPARAMETER•各向异性腐蚀=腐蚀速率在纵向和横向上不一样的腐蚀，一般纵向速率远大于横向速率；如大部分干法腐蚀就是各向异性腐蚀。衬底衬底PRPR腐蚀前腐蚀后刻蚀设备简介（5”）•1612---干法AL刻蚀•H200--干法AL刻蚀•1611----POLY，SiCr刻蚀•901-----SDG，POLY2，PESiN刻蚀•8111----SiO2刻蚀（栅孔，孔，PAD）•CDE----PESiN，LPSiN全剥，Plasma处理•DES----干法去胶刻蚀设备简介（5”）•T-11---SiO2腐蚀•T-14---AL-G产品湿法孔，栅孔腐蚀•T-15---Si-G产品湿法孔腐蚀•SH-----AL前湿法去胶，清洗•S-13---AL后湿法去胶•S-12---AL后湿法清洗•T-16---湿法AL腐蚀刻蚀设备简介（6”）•8330----------------------干法AL刻蚀•P5000METAL---------干法AL刻蚀•P5000POLYA腔体---POLY刻蚀•P5000POLYB腔体--SiN刻蚀•P5000POLYA腔体---POLY刻蚀•P5000SiNA腔体------POLY，SiN刻蚀•P5000SiNB腔体-------SiN刻蚀刻蚀设备简介（6”）•P5000SiNC腔体-OXIDE刻蚀•P5000OXIDE----OXIDE刻蚀•384------------------1.0um以上产品SiN刻蚀•384T----------------SPACER刻蚀•ASIQ---------------OXIDE刻蚀•AE2001------------ISO孔刻蚀•A1000-------------干法去胶刻蚀设备简介（6”）•SCP-1#--SiN全剥•SCP-2#--AL前湿法去胶•SCP-3#--OXIDE腐蚀•SCP-4#--OXIDE腐蚀，漂洗•SCP-5#--Ti腐蚀•SST------AL后清洗SINETCHPROCESS•工艺气体：SF6（6”PROCESS）；CF4/O2（5”PROCESS）•工艺参数：SINE/R；UNIF；SIO2LOSS；PRLOSS；PROFILE；CDLOSS；•工艺要求：SIN腐蚀干净，无SIN残余；SIN条边缘整齐，氧化层颜色均匀；SIN腐蚀后条宽正常，SIO2LOSS正常；SIN去胶干净，无PR残余；•常见异常：SIN残余；有源区图形未刻出；SIN过腐蚀，硅衬底被打毛；SINETCHCD异常；•SINETCHPROCESSSINETCHPROCESSPOLYETCHPROCESS•工艺气体：HCL,CL2,HE-O2•工艺参数：POLYE/R；UNIF；SIO2LOSS；PROFILE；CDLOSS；•工艺要求：POLY腐蚀干净，无POLY残余；POLY条边缘整齐，氧化层颜色均匀；POLY腐蚀后条宽正常，SIO2LOSS正常；POLY去胶干净，清洗后无POLYMER残余；•常见异常：POLY残余；POLYCD异常；POLY条形貌异常；硅片局部区域打火；SIO2LOSS变大；POLYMER增多或POLYMER残余；•POLYETCHPROCESSPOLYETCHPROCESSALETCHPROCESS•工艺气体：BCL3，SICL4，CL2，N2，SF6，HBR•工艺参数：ALE/R；UNIF；SIO2LOSS；PRLOSS；PROFILE；CDLOSS；•工艺要求：AL腐蚀干净，无RESIDUE残余，无SI渣；AL条边缘整齐，不毛糙，无明显变瘦区域；AL条宽正常，SIO2LOSS正常；划片槽区域不严重打毛；AL去胶干净，清洗后无POLYMER残余；•常见异常：AL残余；黑点多；AL条细；断AL；硅片打毛；残胶；POLYMER残余；ALCD异常；PROFILE异常等；ALETCHPROCESSALETCHPROCESSALETCHPROCESSALETCHPROCESSALETCHPROCESSWINDOWETCHPROCESS•工艺气体：CHF3/C2F6（6”PROCESS）；CHF3/O2（5”PROCESS）•工艺参数：SIO2E/R；UNIF；PROFILE；CDLOSS；SELPOLY；POLYMER•工艺要求：W1腐蚀到衬底，无孔不通现象；PROFILE正常；W1CD正常；POLY/SI损失量在正常范围内；•常见异常：孔不通；孔形貌异常；POLY/SI过腐蚀大；孔ETCHCD异常；WINDOWETCHPROCESSWINDOWETCHPROCESSVIAETCHPROCESS•工艺气体：CHF3/C2F6（6”PROCESS）；CHF3/O2（5”PROCESS）•工艺参数：SIO2E/R；UNIF；PROFILE；CDLOSS；POLYMER•工艺要求：VIA腐蚀到AL，无通孔不通现象；PROFILE正常；VIACD正常；POLYMER去除干净；•常见异常：通孔不通；通孔形貌异常；介质过腐蚀大，介质厚度变薄；VIAETCHCD异常；VIAETCHPROCESSD220K12KVIAETCHPROCESSSPACERETCHPROCESS•工艺气体：CHF3/C2F6•工艺参数：E/R；UNIF；PROFILE；•工艺要求：SPACER腐蚀干净，无残余；PROFILE正常；场氧损失量正常；•常见异常：SPACER腐蚀不净；场氧过腐蚀大，场氧厚度变薄；SIN颗粒残余；SPACERSPACERETCHPROCESSGWETCHPROCESS•干法腐蚀：8111，CHF3/O2气体•湿法腐蚀：T-14槽，NHF4/HF药液•各向异性/同性腐蚀•工艺要求：腐蚀干净，无氧化层残余；GW侵蚀正常，无过侵蚀；GW无尖角，无局部侵蚀严重现象；无脱胶，浮胶；•常见异常：GW过侵蚀；GW有尖角，局部侵蚀严重；GW图形发花，有残余；脱胶，浮胶；GWETCHPROCESSGWETCHPROCESSGWETCHPROCESSGWETCHPROCESSTIWETCHPROCESS•腐蚀药液：H2O2；•腐蚀时间：35MIN；•工艺要求：图形线条清晰整齐；图形内无残余TIW；TIW图形边缘无残余物；.•常见异常：TIW残余；去胶不净；TIWETCHPROCESSSICRETCHPROCESS•腐蚀气体：HBR，CF4，O2•工艺要求：图形线条清晰整齐；孔图形内无残余SICR；GOXLOSS在规范内；•常见异常：SICR残余；GOXLOSS过大；SICRETCHPROCESSPRSTRIPPROCESS•湿法去胶：H2SO4/H2O2；•干法去胶：O2；•工艺要求：去胶干净，无残余胶丝；•常见异常：胶丝残余；硅片中心区域胶残余；硅片局部有水迹残留（湿法）；PRSTRIPPROCESS