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电子技术基础重点概念（大部分）1、将模拟信号转化成数字信号的电路称为模数转化器，简称ADC。将数字信号转化成模拟信号的电路，称为数模转换器，简称DAC。ADC和DAC转换电路已成为信息系统中不可缺少的接口电路。2、弱电一般是用来进行信号处理的，电压和电流都很小，而强电则是用来驱动大功率电力设备的。3、MPEG：活动图像专家组，此处指活动语音压缩标准。4、ASI：专用集成电路。5、无线充电系统主要采用电磁感应原理。6、1906年，LEEDEFOREST发明了电子三极管，里程碑。7、片上系统：SOC。SYSTEMONCHIP。把整个系统制作在一个集成电路芯片上，完整的系统功能可以集成在一起，满足系统功能和技术指标的要求。8、所谓集成电路，就是把半导体和电阻电容做在同一块硅片上，封装为一个具有多个引出端的电子器件，他能够独立的或者与少数其他元件配合起来，共同完成某种或某些功能，实现了材料元件和电路的三合一。9、MEMS：微机电系统。与片上系统，真空微电子技术，神经网络芯片和生物芯片和量子集成电路是研究热点。10、导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，称之为半导体，在电子器械中常用的半导体材料有硅和锗。半导体有如下特点，一，导电能力介于绝缘体和导体之间。二受到外界光和热的刺激时，其导电能力将会有显著变化。三在纯净半导体中加入微量的杂质，其导电能力会急剧增强。11、纯净的半导体称为本征半导体。12、半导体中存在两种两种载流子。电子和空穴。13、利用本征半导体的特性，可以制成热敏器件和光敏器件，例如热敏电阻和光敏电阻等，其阻值可以随温度的高低和光照射的强弱而变化。14、在本征半导体硅中，掺入微量五价杂质元素如磷锑砷等。形成N型半导体。这种半导体以电子导电为主。在本征半导体硅中插入微量的三价元素，如硼镓铟等元素。形成P型半导体。这种半导体已空穴导电为主。15、多数载流子的浓度取决于掺杂浓度。而少数载流子的浓度受温度影响较大。16、如果一块半导体的两部分，分别掺杂形成P型半导体和N型半导体，在它们的交界处就形成PN结，交界面处存在载流子浓度的差异，会引起载流子的扩散运动，再内电场的作用下，P区的少子电子向N区移动，N区的少子空穴向P区移动，这种在内电场作用下的载流子作用，称为漂移运动。P型半导体和N型半导体的交界面也存在着两种相反的运动，多子的扩散和少子的漂移。在PN结内会形成空间电荷区，又称为耗尽层。17、正向偏置——PN结低阻导通。正向电流由两部分组成，即电子电流和空穴电流，虽然电子和空穴的运动方向相反，但形成的电流方向一致。18、反向偏置——PN结高阻截指。反向饱和电流是由少子产生的，因此对温度变化非常敏感。19、综上所述，PN结具有单向导电性，正向偏置时呈导通状态，反向偏置时呈截止状态状态。20、二极管按结构分为点接触型，面接触型，平面型三大类。21、死区电压，一般硅二极管约为0.5伏，锗二极管约为0.1伏。正向导通电压，硅二极管一般为0.7伏则二极管，一般为0.2伏。22、当反向电压增大超过一个值时，反向电流急剧增大，此时二极管失去了单向导电性，这种现象叫反击穿，属于电击穿反，击穿后电流很大，电压也很高，因而消耗在二极管上的功率很大，容易使PNG发热而超过他的耗散功率产生热击穿。在强电场作用下，空穴和电子数量增多，使反向电流急剧增大，此时二极管失去单向导电性，反击穿可分为雪崩击穿和齐纳击穿。23、最大整流电流Ir是二极管长期运行，允许通过的最大正向平均电流。Vrm反向峰值电压。是指允许加在二极管上的反向电压的最大值。通常规定最高反向电压，工作电压约为击穿电压的一半。24、二极管在电子技术中有着广泛的应用，它可以用于整流、检波、开关元件、稳压、限幅（削波）、钳位。25、实际中可以认为电容充分充放电的时间为时间常数的五倍。26、（1）稳定电压Vz：是稳压管正常工作时，管子两端的反向电压，由于制造工艺等方面的原因，即使同一型号的稳压管，其稳定电压也不相同，因此使用时需要测定该值。（2）动态电阻Rz：动态电阻是指稳压管两端电压的变化量与相应电流变化量的比值即Rz=Vz/Iz。动态电阻越小，则稳压性能越好，其特性曲线越陡直。27、三极管三个电极分别叫做发射极E基极B集电极C。三个电极对应的每一层半导体分别称作发射区、基区、集电区。28、三极管种类很多，按照制造材料分为锗管与硅管。两种管子特性大致相同，硅管受温度影响较小，工作稳定。晶体三极管应用主要分为两个方面：1）利用饱和截止状态使BJT作为一个可控制的无触点开关。2）工作在放大状态，用作放大器。29、三极管处于放大状态的工作条件。（1）制造时应使发射区的掺杂浓度比较高，基区做得很薄，且浓度远远低于发射区，要求几点截面积大，掺杂浓度更低。（2）外加电压，必须保证发射结正偏集，电结反偏。对于NPN管来说，要求B大于E。C大于B。对于PNP管来说要求B小于E。C小于B。30、发射级作为公共电极，称为共发射极接法，用CE表示。集电极作为公共电极，称作共集电极接法。用CC表示。积极作为公共电极，称作共基极接法，用CB表示。31、Icbo和Iceo高是表征晶体管热稳定性参数。二者的值越小，工作越稳定，质量越好，因此选择管子时要求Icbo和Iceo尽可能的小。32、当贝塔下降到正常的2/3时，集电极电流称为集电极允许的最大电流Icm。33、场效应管FET也是一种三端半导体器件。34、场效应管的输入电阻很高，远远超过BJT可达10的9次方欧姆以上。35、场效应管根据结构的不同，可以分为结型和绝缘栅型。简写作JFET,MOSFET。36、变容二极管是利用PN结电容随反向电压增加而减小的原理工作的。37、基本放大电路有三种，主菜系共发射组态CE供机组态CB共集电极组态CC。38、当放大电路没有输入信号时，电路中各处电压电流都是不变的直流量，此时称放大电路处于直流工作状态或静止状态，简称静态。在静态工作状态下，BJT各电极的直流电压和直流电流的数字将在管子的特性曲线上确定一点，称为静态工作点简写作Q点。39、直流通路是直流信号的流通路径，交流通路是交流信号的流通路径。40、由于三极管在部分时间内截止而引起的失真，称为截止失真，由于三极管在部分时间内饱和而引起的失真，称为饱和失真。41、当信号幅度不大时，为了降低直流电源VCC的能量消耗，在不产生失真和保证一定电压增益的情况下，常把Q点选得低一些。42、小信号工作条件指的是输入信号的变化范围很小，此时三极管在现行条件下工作电压电流变化量之间成线性关系，小信号模型法，也称微变等效电路法，它是动态分析的一种基本方法，用来分析信号的交流分量传输情况。43、由于分析和测试时常用正弦信号信号作输入信号。因此在小信号等效电路中，电压和电流均采用向量表示。44、静态工作点的位置就取决于偏置电流的大小。对放大电路工作影响最大的是环境温度的变化。同时当温度升高时，三极管的反向饱和电流Icbo将急剧增大这是由于反向电流是由少数载流子形成的，受温度影响极大Icbo随温度呈指数规律增大，温度每升高十度，Icbo将增大约一倍。综上所述，可知Icbo，Vbe、贝塔。三个参数随温度升高的结果，都将表现在Q点电流Ic的增大。这样，使Q点移近饱和区，有可能使放大电路不能正常工作，输出输出波形产生饱和失真。相反温度降低使Q点移近截止区，也可能使放大电路不能正常工作，输出波形产生截止失真。45、在研究放大电路的频率响应时，经常根据其频率特性的表达式，绘制频率特性曲线应用最为广泛的是对数频率特性曲线，称为波特图。46、在输入信号幅值保持不变的条件下，增益下降3dB的频率点，其输出功率约等于中频区输出功率的一半，通常称为半功率点，一般把频幅响应的高、低两个半功率点的频率差值定义为放大电路的带宽。即BW=Fh-Fl。带宽是放大电路的重要技术指标，在带宽范围内，信号具有相同的放大能力，超出带宽范围，信号会很快衰减。47、多级放大电路常用的耦合方式有三种，即直接耦合、阻容耦合和变压器耦合。48、零点漂移是三极管的工作点，随时间变化而逐渐偏离原有静态值的现象。49、放大电路的性能指标主要包括：增益、输入电阻、输出电阻、带宽、非线性失真、及最大输出功率。50、反馈是自然界存在的普遍现象。在很多领域都存在反馈。在电子技术中，反馈是指将放大电路输出信号的一部分或全部通过一定的形式回送输入端，和原输入信号，共同作用于基本放大电路，从而控制电路的输出过程。51、反馈可以分为正反馈和负反馈。直流反馈和交流反馈。电压反馈和电流反馈。串联反馈和并联反馈。在正反馈中，即使去掉外加输入信号，放大电路仍有输出，这种现象称为自激振荡。52、负反馈可以提高增益的恒定性，减小非线性失真，抑制噪声，扩展频带，及控制输入电阻和输出电阻。53、集成运放的输入级采用差分方式，放大电路的主要原因是为了抑制零点漂移。零点漂移是指在放大电路输入端短路时，输出端还有缓慢变化的电压产生。即输出端电压偏离起始点而上下飘动。Re对于差模信号没有负反馈。54、所谓推挽电路，就是电路所采用的两只三极管，输入信号的极性相反，一管导通时另一管截止交替工作，采用这种方式的工作电路，称为推挽电路，所谓互补电路就是采用的功率输出管，分别为PNP管和NPN管。导电极性相反，称之为互补，同时要求特性参数一致，即所谓对称，因此这种电路形式称为互补对称电路。55、当输入信号很小，达不到三级管的开启电压，使三极管不导电，因此在正负半周交替过0处会出现非线性失真，这个失真称为交越失真。为克服交越失真，实际电路通常给三极管稍稍加一点偏置。56、互补功率放大电路，也称为OTL。57、集成运放电路。满足以下条件时，通常将其视为理想的运算放大器。（1）开环差模电压增益无穷。（2）差模输入电阻无穷。（3）输出电阻为零。（4）带宽无穷。（5）差模抑制比无穷。58、正弦波振荡电路由四部分构成。（1）进行信号放大的放大电路。（2）引进正反馈的反馈网络。（3）选择某一单一频率的选频网络。（4）使振幅稳定改善波形的稳幅环节。正弦波振荡电路一般由选频网络来命名。常见的正弦波振荡电路有RC振荡电路、LC振荡电路、石英晶体振荡电路等。59、石英晶体属于各向异性晶体。将一块晶体以一定的方位角切下的晶体薄片，称为石英晶片，石英晶片的两个表面，涂上银层，引出电极，进行封装后，就构成石英晶体振荡器。60、在石英晶体的两个电极，加上交变电场晶片会发生机械变形振动，同时晶片的机械变形振动，也会产生交变电场，这种现象称为压电效应。61、LC正弦波振荡电路的频率稳定性受到一定的限制，很难超过10的-5次方量级，在需要更高的频率特性时，可利用石英晶体质因数特高的特点，构成石英晶体振荡电路，其频率稳定性可达10的-10次方至-11次方量级。62、常见的滤波电路有电容滤波、LC滤波、RC滤波三种基本电路形式。63、三端式集成稳压器分为固定输出和可调输出两种。例如CW7805的输出为正五伏。CW7905的输出为-5伏。64、模拟信号是指该信号的时间是连续函数，处理模拟信号的电路，称为模拟电路。数字信号是指该型号无论从时间上还是幅值上看，其变化都是离散的，既不连续的处理数字信号的电路，称为数字电路。65、ASCII：美国信息交换标准代码66、逻辑代数是研究逻辑电路的数学工具。它的基本概念由英国数学家，乔治布尔在1847年提出，故也称布尔代数。67、三态门的一个重要用途是可以实现用一根导线轮流传送若干个门电路的输出信号，这种连接信号的方式叫做总线结构，总线结构，在计算机中应用极为广泛。68、逻辑代数有三条重要规则：代入规则、反演规则、对偶规则。69、最简与或表达式的标准是：（1）所得与或式中乘积项数目最少。（2）每个乘积项中含的变量数最少。逻辑函数常用的化解方法有，公式法，卡诺图法，列表法。70、常见的译码器，二进制译码器，二—十进制译码器和显示译码器等。71、DMUX：数据分配器。72、MUX：数据选择器。73、锁存器的空翻是指：由于当锁存器的控制信号C有效时，激励输入信号能直接被传送到输出Q端口，所以激励信号的任何变化都