英特尔和IBM实现芯片突破延续摩尔定律

ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车英特尔和IBM实现芯片突破延续摩尔定律北京时间1月28日消息，据国外媒体报道，英特尔和IBM本周五分别宣布，已经通过新技术解决了长期困扰芯片行业的一大难题，确保未来的芯片变得体积更小、功能更强大。分析师认为，这是过去40年里晶体管技术最大的突破之一。英特尔周五表示，已经开发出新材料来制造晶体管，ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车从而可以解决长期困扰芯片技术发展的电子泄漏和发热问题。与当前材料相比，新材料可以降低晶体管电子泄漏10倍以上，提升晶体管性能20%以上。VLSI研究公司主管丹#8226;哈奇森表示：“自上世纪60年代以来，我们从未改变过制造晶体管的基础材料。因此，这无疑是一个巨大的突破。”哈奇森同时表示：“新技术将让摩尔定律得以延续。”英特尔联合创始人高顿#8226;摩尔1Array65年提出，单位ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车面积芯片上的晶体管数量大约每两年增加一倍，这就是著名的摩尔定律。多年以来，芯片产业的发展一直遵循着这一规律。但是，随着芯片体积越来越小，发热量成为制约芯片技术发展的一大瓶颈，很多业内人士认为，摩尔定律将成为历史。晶体管新技术的推出，意味着英特尔、IBM和其它厂商可以采用更先进的技术，例如45纳米生产工艺来生产下一代芯片。英特尔表示，该公司将于今年底把新技术用于ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车新型处理器，从而获得更大的领先优势。英特尔数字企业集团副总裁史蒂夫#8226;史密斯表示：“我们相信，这些新产品可以提供更高的性能。与现有产品相比，它们在媒体应用方面的性能提升将达到两位数百分比。”IBM预计，该公司的新技术将于明年用于AMD和东芝等合作伙伴的芯片。研究人员认为，通过英特尔和IBM研发的新技术，芯片生产工艺至少还可以再进步两代，达到22纳米。现有的晶体管主要采用基于硅的材料，随着晶体ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车管体积的缩小，目前的材料层仅有5个原子厚，由此必然会导致大量电子泄漏，并产生不必要的热量。北京时间1月28日消息，据国外媒体报道，英特尔和IBM本周五分别宣布，已经通过新技术解决了长期困扰芯片行业的一大难题，确保未来的芯片变得体积更小、功能更强大。分析师认为，这是过去40年里晶体管技术最大的突破之一。英特尔周五表示，已经开发出新材料来制造晶体管，从而可以解决长期困扰芯片技术发展的电子泄漏和发热问ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车题。与当前材料相比，新材料可以降低晶体管电子泄漏10倍以上，提升晶体管性能20%以上。VLSI研究公司主管丹#8226;哈奇森表示：“自上世纪60年代以来，我们从未改变过制造晶体管的基础材料。因此，这无疑是一个巨大的突破。”哈奇森同时表示：“新技术将让摩尔定律得以延续。”英特尔联合创始人高顿#8226;摩尔1Array65年提出，单位面积芯片上的晶体管数量大约每两年增加一倍，这就是著ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车名的摩尔定律。多年以来，芯片产业的发展一直遵循着这一规律。但是，随着芯片体积越来越小，发热量成为制约芯片技术发展的一大瓶颈，很多业内人士认为，摩尔定律将成为历史。晶体管新技术的推出，意味着英特尔、IBM和其它厂商可以采用更先进的技术，例如45纳米生产工艺来生产下一代芯片。英特尔表示，该公司将于今年底把新技术用于新型处理器，从而获得更大的领先优势。英特尔数字企业ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车集团副总裁史蒂夫#8226;史密斯表示：“我们相信，这些新产品可以提供更高的性能。与现有产品相比，它们在媒体应用方面的性能提升将达到两位数百分比。”IBM预计，该公司的新技术将于明年用于AMD和东芝等合作伙伴的芯片。研究人员认为，通过英特尔和IBM研发的新技术，芯片生产工艺至少还可以再进步两代，达到22纳米。现有的晶体管主要采用基于硅的材料，随着晶体管体积的缩小，目前的材料层仅有5个原子厚，由此必然ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车会导致大量电子泄漏，并产生不必要的热量。北京时间1月28日消息，据国外媒体报道，英特尔和IBM本周五分别宣布，已经通过新技术解决了长期困扰芯片行业的一大难题，确保未来的芯片变得体积更小、功能更强大。分析师认为，这是过去40年里晶体管技术最大的突破之一。英特尔周五表示，已经开发出新材料来制造晶体管，从而可以解决长期困扰芯片技术发展的电子泄漏和发热问题。与当前材料相比，新材料可以降低晶体管电子泄漏10ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车倍以上，提升晶体管性能20%以上。VLSI研究公司主管丹#8226;哈奇森表示：“自上世纪60年代以来，我们从未改变过制造晶体管的基础材料。因此，这无疑是一个巨大的突破。”哈奇森同时表示：“新技术将让摩尔定律得以延续。”英特尔联合创始人高顿#8226;摩尔1Array65年提出，单位面积芯片上的晶体管数量大约每两年增加一倍，这就是著名的摩尔定律。多年以来，芯片产业的发展一直遵循着这ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车一规律。但是，随着芯片体积越来越小，发热量成为制约芯片技术发展的一大瓶颈，很多业内人士认为，摩尔定律将成为历史。晶体管新技术的推出，意味着英特尔、IBM和其它厂商可以采用更先进的技术，例如45纳米生产工艺来生产下一代芯片。英特尔表示，该公司将于今年底把新技术用于新型处理器，从而获得更大的领先优势。英特尔数字企业集团副总裁史蒂夫#8226;史密斯表示：“我们相信，这些ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车新产品可以提供更高的性能。与现有产品相比，它们在媒体应用方面的性能提升将达到两位数百分比。”IBM预计，该公司的新技术将于明年用于AMD和东芝等合作伙伴的芯片。研究人员认为，通过英特尔和IBM研发的新技术，芯片生产工艺至少还可以再进步两代，达到22纳米。现有的晶体管主要采用基于硅的材料，随着晶体管体积的缩小，目前的材料层仅有5个原子厚，由此必然会导致大量电子泄漏，并产生不必要的热量。北京时间1ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车月28日消息，据国外媒体报道，英特尔和IBM本周五分别宣布，已经通过新技术解决了长期困扰芯片行业的一大难题，确保未来的芯片变得体积更小、功能更强大。分析师认为，这是过去40年里晶体管技术最大的突破之一。英特尔周五表示，已经开发出新材料来制造晶体管，从而可以解决长期困扰芯片技术发展的电子泄漏和发热问题。与当前材料相比，新材料可以降低晶体管电子泄漏10倍以上，提升晶体管性能20%以上。VLSI研究公司主管丹ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车#8226;哈奇森表示：“自上世纪60年代以来，我们从未改变过制造晶体管的基础材料。因此，这无疑是一个巨大的突破。”哈奇森同时表示：“新技术将让摩尔定律得以延续。”英特尔联合创始人高顿#8226;摩尔1Array65年提出，单位面积芯片上的晶体管数量大约每两年增加一倍，这就是著名的摩尔定律。多年以来，芯片产业的发展一直遵循着这一规律。但是，随着芯片体积越来越小，发热量成为制约ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车芯片技术发展的一大瓶颈，很多业内人士认为，摩尔定律将成为历史。晶体管新技术的推出，意味着英特尔、IBM和其它厂商可以采用更先进的技术，例如45纳米生产工艺来生产下一代芯片。英特尔表示，该公司将于今年底把新技术用于新型处理器，从而获得更大的领先优势。英特尔数字企业集团副总裁史蒂夫#8226;史密斯表示：“我们相信，这些新产品可以提供更高的性能。与现有产品相比，它们在媒ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车体应用方面的性能提升将达到两位数百分比。”IBM预计，该公司的新技术将于明年用于AMD和东芝等合作伙伴的芯片。研究人员认为，通过英特尔和IBM研发的新技术，芯片生产工艺至少还可以再进步两代，达到22纳米。现有的晶体管主要采用基于硅的材料，随着晶体管体积的缩小，目前的材料层仅有5个原子厚，由此必然会导致大量电子泄漏，并产生不必要的热量。北京时间1月28日消息，据国外媒体报道，英特尔和IBM本周五分别ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车宣布，已经通过新技术解决了长期困扰芯片行业的一大难题，确保未来的芯片变得体积更小、功能更强大。分析师认为，这是过去40年里晶体管技术最大的突破之一。英特尔周五表示，已经开发出新材料来制造晶体管，从而可以解决长期困扰芯片技术发展的电子泄漏和发热问题。与当前材料相比，新材料可以降低晶体管电子泄漏10倍以上，提升晶体管性能20%以上。VLSI研究公司主管丹#8226;哈奇森表示：“自上世纪60年代以来，我们从未改ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车变过制造晶体管的基础材料。因此，这无疑是一个巨大的突破。”哈奇森同时表示：“新技术将让摩尔定律得以延续。”英特尔联合创始人高顿#8226;摩尔1Array65年提出，单位面积芯片上的晶体管数量大约每两年增加一倍，这就是著名的摩尔定律。多年以来，芯片产业的发展一直遵循着这一规律。但是，随着芯片体积越来越小，发热量成为制约芯片技术发展的一大瓶颈，很多业内人士认为，摩尔定律ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车将成为历史。晶体管新技术的推出，意味着英特尔、IBM和其它厂商可以采用更先进的技术，例如45纳米生产工艺来生产下一代芯片。英特尔表示，该公司将于今年底把新技术用于新型处理器，从而获得更大的领先优势。英特尔数字企业集团副总裁史蒂夫#8226;史密斯表示：“我们相信，这些新产品可以提供更高的性能。与现有产品相比，它们在媒体应用方面的性能提升将达到两位数百分比。”ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车IBM预计，该公司的新技术将于明年用于AMD和东芝等合作伙伴的芯片。研究人员认为，通过英特尔和IBM研发的新技术，芯片生产工艺至少还可以再进步两代，达到22纳米。现有的晶体管主要采用基于硅的材料，随着晶体管体积的缩小，目前的材料层仅有5个原子厚，由此必然会导致大量电子泄漏，并产生不必要的热量。北京時間1月28日消息，據國外媒體報道，英特爾和IBM本周五分別宣佈，已經通過新技術解決瞭長期困擾芯片行ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车業的一大難題，確保未來的芯片變得體積更小、功能更強大。分析師認為，這是過去40年裡晶體管技術最大的突破之一。英特爾周五表示，已經開發出新材料來制造晶體管，從而可以解決長期困擾芯片技術發展的電子泄漏和發熱問題。與當前材料相比，新材料可以降低晶體管電子泄漏10倍以上，提升晶體管性能20%以上。VLSI研究公司主管丹#8226;哈奇森表示：“自上世紀60年代以來，我們從未改ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车變過制造晶體管的基礎材料。因此，這無疑是一個巨大的突破。”哈奇森同時表示：“新技術將讓摩爾定律得以延續。”英特爾聯合創始人高頓#8226;摩爾1Array65年提出，單位面積芯片上的晶體管數量大約每兩年增加一倍，這就是著名的摩爾定律。多年以來，芯片產業的發展一直遵循著這一規律。但是，隨著芯片體積越來越小，發熱量成為制約芯片技術發展的一大瓶頸，很多業內人士認為，摩爾定律ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车將成為歷史。晶體管新技術的推出，意味著英特爾、IBM和其它廠商可以采用更先進的技術，例如45納米生產工藝來生產下一代芯片。英特爾表示，該公司將於今年底把新技術用於新型處理器，從而獲得更大的領先優勢。英特爾數字企業集團副總裁史蒂夫#8226;史密斯表示：“我們相信，這些新產品可以提供更高的性能。與現有產品相比，它們在媒體應用方面的性能提升將達到兩位數百分比。”ＷＷＷ．０２７ＸＣＷ．ＣＯＭDD武汉学车IBM預計，該公司的新技術將於明年用於AMD和東芝等合作夥伴的芯片。研究人員認為，通過英特爾和IBM研發的新技術，芯片生產工藝至少還可以再進步兩代，達到22納米。現有的晶體管主要采用基於矽的材料，隨著晶體管體積的縮小，目前的材料層僅有5個原子厚，由此必然會導致大量電子泄漏，並產生不必要的熱量。北京時間1月2