练习2 放大电路

练习2放大电路1.如图所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在________区。A.放大区B.饱和区C.截止区2.如图所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在________区。A.放大区B.饱和区C.截止区3.如图所示的电路中的三极管为硅管，β=50，通过估算,可判断电路工作在________区。A.放大区B.饱和区C.截止区4.已知如图所示放大电路中的Rb=100kΩ，Rc=1.5kΩ，三极管的β=80，在静态时，该三极管处于_________。A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.倒置工作状态5.根据放大电路的组成原则，在下图所示各电路中只有图_________具备放大条件。A.a)B.b)C.c)D.d)6.如图所示电路的直流通路为________。A.a)B.b)C.c)D.d)7.如图所示电路的直流通路为________。A.a)B.b)C.c)D.d)8.如图所示电路的直流通路为________。A.a)B.b)C.c)D.d)9.如图所示电路的直流通路为________。A.a)B.b)C.c)D.d)10.在图所示放大电路中，集电极电阻Rf的作用是________。A.放大电流B.调节IBQC.防止输出信号交流对地短路，把放大了的电流转换成电压D.调节ICQ11.对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得VCE≈VCC时，有可能是因为_______。A.Rb开路B.RL短路C.Rf开路D.Rb过小12.对于如图所示放大电路，当用直流电压表测得VCE≈0时，有可能是因为_________。A.Rb开路B.RL短路C.Rf开路D.Rb过小13.在如图所示射级偏置电路中，若上偏流电阻Rb1短路，则该电路中的三极管处于________。A.放大状态B.饱和状态C.截止状态D.倒置工作状态14.对于如图所示放大电路，若VCC≈12V，Rf＝2kΩ，集电极电流IC计算值为1mA，今用直流电压表测得VCE＝8V，这说明_________。A.工作正常B.三极管c－e极间开路C.三极管b－e极间开路D.电容C2短路15.在单级共射放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位_________。A.同相B.反相C.相差90度D.不确定16.在单级共基放大电路中，若输入电压为正弦波形，则vo和vi的相位_________。A.同相B.反相C.相差90度D.不确定17.既能放大电压，也能放大电流的是_________组态放大电路。A.共射B.共集C.共基D.不确定18.在如图所示(a)、(b)、(c)、(d)放大电路中，能实现正常放大的电路是_________。A.(a)B.(b)C.(c)D.(d)19.在如图所示共射放大电路中，三极管β＝50，VBE＝－0.2。问：当开关与A处相接时，三极管处于_________状态。A.饱和B.截止C.放大20.在如图所示共射放大电路中，三极管β＝50，VBE＝－0.2。问：当开关与B处相接时，三极管处于_________状态。A.饱和B.截止C.放大D.倒置21.可画出如图所示放大电路的交流通路为图_________。A.(a)B.(b)C.(c)D.(d)22.可画出如图所示放大电路的交流通路为图_________。A.(a)B.(b)C.(c)D.(d)23.可画出如图所示放大电路的交流通路为图________。A.(a)B.(b)C.(c)D.(d)24.可画出如图所示放大电路的交流通路为图________。A.(a)B.(b)C.(c)D.(d)25.图(b)示出了图(a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线，可求得电源电压VCC为_________。A.6VB.7VC.8VD.7.5V26.图(b)示出了图(a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线，可求得电阻Rb的值为_________。A.420kΩB.300kΩC.200kΩD.268kΩ27.图(b)示出了图(a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线，可求得电阻Rb的值为_________。A.3kΩB.5kΩC.4kΩD.3.3kΩ28.图(b)示出了图(a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线，试求输出电压的最大不失真幅度为_________。A.1VB.1.6VC.2VD.2.4V29.(b)示出了图(a)固定偏流放大电路中三极管的输出特性及交、直流负载线，可作图求得基极正弦电流最大幅值为20mA。试求输出电压的最大不失真幅度为_________。A.36μAB.30μAC.24μAD.20μA30.放大电路如图所示，设三极管的β=20，Rb=200Ω，VBE=0.7V。DZ为理想的硅稳压二极管，其稳压值VZ=6V。各电容都足够大，因而对交流均可视为短路。可求得静态时的VCE为_________。A.7.8VB.8VC.8.2VD.8.5V31.在右图所示的固定偏流式放大电路中，当Rc、Rb的参数分别为_________时，该电路的静态工作点处在放大区。设三极管的β=100。A.5.6kΩ,10kΩB.5.6kΩ,510kΩC.5.6kΩ,1MΩD.100kΩ,1MΩ32.对于右图所示的放大电路，若仅当Rb增加时，VCEQ将是___A_____。A.增大B.减小C.不变D.不确定33.对于右图所示的放大电路，若仅当Rc减小时，VCEQ将是_________。A.增大B.减小C.不变D.不确定34.对于右图所示的放大电路，若仅当RL增加时，VCEQ将是____A____。A.增大B.减小C.不变D.不确定35.对于右图所示的放大电路，若仅当β减小（换三极管）时，VCEQ将是_________。A.增大B.减小C.不变D.不确定36.当输入电压为正弦信号时，如果PNP管共发射极放大电路发生饱和失真，则输出电压VO的波形将____________。A.正半波削波B.负半波削波C.双向削波D.不削波37.在右图所示的放大电路中，若该电路原来发生了非线性失真，但在减小Rb以后，失真消失了，这失真必是_________。A.截止失真B.饱和失真C.双重失真D.交越失真38.在右图所示的放大电路中，原来没有发生非线性失真，然而在换上一个β比原来大的三极管后，失真出现了，这个失真必定是________。A.截止失真B.饱和失真C.双重失真D.交越失真39.对于右图所示放大电路，设VCC=12V，三极管β=50，VBE=0.7V，若要求静态电流ICQ=2mA，VCEQ=4V，则电路中的Rb=________。A.360kΩB.180kΩC.200kΩD.282.5kΩ40.对于右图所示放大电路，设VCC=12V，三极管β=50，VBE=0.7V，若要求静态电流ICQ=2mA，VCEQ=4V，则电路中的Rc=_________。A.2kΩB.4kΩC.8kΩD.5.6kΩ41.在右图所示放大电路中，已知VCC=12V，Rb1=27kΩ，Rc=2kΩ，Re=1kΩ，VBE=0.7V,现要求静态电流ICQ=3mA，则Rb2=_________。A.12kΩB.10kΩC.8kΩD.16kΩ42.可画出如图所示放大电路的H参数小信号等效电路为图_________。A.a)B.b)C.c)D.d)43.可画出如图所示放大电路的H参数小信号等效电路为图_________。A.a)B.b)C.c)D.d)44.可画出如图所示放大电路的H参数小信号等效电路为图_________。A.a)B.b)C.c)D.d)45.可画出如图所示放大电路的H参数小信号等效电路为图________。A.a)B.b)C.c)D.d)46.放大电路如图所示。已知图中Rb1=10kΩ，Rb2=2.5kΩ，Rc=2kΩ，Re=750Ω，RL=1.5kΩ，Rs=10kΩ，VCC=15V，β=150。设C1、C2、C3都可视为交流短路，用小信号模型分析法可计算得电路的电压增益为_________。A.-85.7B.78C.80D.6047.放大电路如图所示。已知图中Rb1=10kΩ，Rb2=2.5kΩ，Rc=2kΩ，Re=750Ω，RL=1.5kΩ，Rs=10kΩ，VCC=15V，β=150。设C1、C2、C3都可视为交流短路，用小信号模型分析法可计算得电路的输入电阻Ri为_________。A.0.852kΩB.0.6kΩC.10kΩD.2.5kΩ48.放大电路如图所示。已知图中Rb1=10kΩ，Rb2=2.5kΩ，Rc=2kΩ，Re=750Ω，RL=1.5kΩ，Rs=10kΩ，VCC=15V，β=150。设C1、C2、C3都可视为交流短路，用小信号模型分析法可计算得电路的输出电阻Ro为________。A.2kΩB.1kΩC.1.5kΩD.2.5kΩ49.已知右图所示共射放大电路中的锗三极管的β=150，VCES=0.2V，用H参数小信号模型可求得电压放大倍数为________。A.-158B.78C.-180D.12050.已知右图所示共射放大电路中的锗三极管的β=150，VCES=0.2V，用H参数小信号模型可求得输入电阻为_________。A.2kΩB.4kΩC.5.6kΩD.22kΩ51.已知右图所示共射放大电路中的锗三极管的β=150，VCES=0.2V，用H参数小信号模型可求得输出电阻为_________。A.2kΩB.2.2kΩC.5.6kΩD.22kΩ52.放大电路如图所示，设三极管的β=20，Rb=200Ω，VBE=0.7V。DZ为理想的硅稳压二极管，其稳压值VZ=6V。各电容都足够大，因而对交流均可视为短路。可求得电压放大倍数AV为_________。A.50B.66.7C.70D.6553.放大电路如图所示，设三极管的β=20，Rb=200Ω，VBE=0.7V。DZ为理想的硅稳压二极管，其稳压值VZ=6V。各电容都足够大，因而对交流均可视为短路。可求得输入电阻为________。A.300ΩB.280ΩC.250ΩD.299Ω54.如图所示电路是能稳定静态工作点的射极偏置电路。电路满足Ic=(5~10)IB，VB=(3~5)VBE的条件。已知：VCC=12V，Rb2=3kΩ，Re=1kΩ，Rc=2kΩ，三极管为硅管，β=50，欲使VCE=6V，问基极上偏流电阻Rb1的取值应为________。A.9kΩB.10kΩC.8kΩD.7.5kΩ55.对于如图所示固定偏流电路，当室温升高时，其三极管ICQ_________。A.增大B.减小C.不变（或基本不变）D.不定56.对于如图所示射极偏置电路，当室温升高时，其三极管的VCEQ_________。A.增大B.减小C.不变（或基本不变）D.不定57.共集电极放大电路如图所示.设电路中三极管的β=100，VBE=0.6V用小信号模型分析法可计算得电路的输入电阻Ri为_________。A.3.3kΩB.3.8kΩC.1.47kΩD.5.1kΩ58.共基电路如图所示。已知VCC=20V，Rb1=50kΩ，Rb2=68kΩ，Rc=Re=500Ω，β=50，C1、C2、C3的容量都很大。用H参数小信号模型分析法可求得为_________。A.75B.79C.68D.82、59.共基电路如图所示。已知VCC=20V，Rb1=50kΩ，Rb2=68kΩ，Rc=Re=500Ω，β=50，C1、C2、C3的容量都很大。用H参数小信号模型分析法可求得输入电阻Ri为________。A.7.5ΩB.6.4ΩC.6.8ΩD.8.2Ω60.共基电路如图所示。已知VCC=20V，Rb1=50kΩ，Rb2=68kΩ，Rc=Re=500Ω，β=50，C1、C2、C3的容量都很大。用H参数小信号模型分析法可求得输出电阻Ro为________。A.750ΩB.250ΩC.680ΩD.500Ω61.右图所示共基放大电路的三极管为硅管，β=100，可求得该电路的电压放大倍数为_________。A.51B.56C.