IGBT及其封装简介

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IGBT封装绝缘栅双极晶体管(IGBT)是由功率MOSFET和双极晶体管(BJT)复合而成的一种新型的电力半导体器件,它集两者的优点于一体,具有输入阻抗大、驱动功率小、控制电路简单、开关损耗小、速度快及工作频率高等特点,成为目前最有应用前景的电力半导体器件之一。在轨道交通、航空航天、新能源、智能电网、智能家电这些朝阳产业中,IGBT作为自动控制和功率变换的关键核心部件,是必不可少的功率“核芯”。采用IGBT进行功率变换,能够提高用电效率,提升用电质量,实现节能效果,在绿色经济中发挥着无可替代的作用。什么是IGBT?3IGBT工作原理IGBT就是一个开关,非通即断,如何控制他的通还是断,就是靠的是栅源极的电压,当栅源极加+12V(大于6V,一般取12V到15V)时IGBT导通,栅源极不加电压或者是加负压时,IGBT关断,加负压就是为了可靠关断。在IGBT的G和S两端加上电压后,内部的电子发生转移,本来是正离子和负离子一一对应,半导体材料呈中性,但是加上电压后,电子在电压的作用下,累积到一边,形成了一层导电沟道,因为电子是可以导电的,变成了导体。如果撤掉加在GS两端的电压,这层导电的沟道就消失了,就不可以导电了,变成了绝缘体。国内外IGBT发展现状根据市场调研机构Yole的调查报告显示,目前全球IGBT市场已回归到稳步上升的轨道,市场规模在随后的几年时间内将继续保持稳定的发展速度,市场规模至2018年将达到60亿美元的数值。在产品分布上,虽然600~900V的IGBT是目前市场上的主流产品,但伴随着轨道交通、再生能源、工业控制等行业市场在近几年内的高速成长,对更高电压应用的IGBT产品提出了强烈的需求。国外研发IGBT器件的公司主要有英飞凌、ABB、三菱、西门康、日立、富士、TOSHIBA、IXYS和APT公司等,其IGBT技术基本成熟,已实现了大规模商品化生产,IGBT产品电压规格涵盖600V-6500V,电流规格涵盖2A-3600A,形成了完善的IGBT产品系列。短片介绍IGBT封装基板导热胶散热器铜DBC衬板铜芯片紧固件母排端子硅胶环氧树脂焊层超声引线键合IGBT封装图示7DBC板简介DBC优点:1.优良的导热性能2.良好的机械性能3.金属与陶瓷间具有较高的附着4.便于刻蚀出各种图形5.耐腐蚀380um~630um绝缘材料(Al2O3、AlN)300um左右铜箔1000℃高温共熔刻蚀图形贴片烧结清洗X光键合注胶成型测试打标IGBT工艺流程IGBT主要工艺图解1010贴片目的:1.将芯片贴到DBC基板上2.将DBC贴到铜底板推荐设备:手动设备:Hybond141自动设备:丝印AutotronikBS1400贴片片AutotronikBS391粘片Datacon2200e11Hybond141Datacon2200eAutotronikBS1400AutotronikBS39112烧结Centrotherm目的:固化粘片的胶水设备:centrotherm设备优势:工艺温度最高可达450℃;温度均匀性绝佳;升温速度可达50K/min;降温速度可达180K/min;真空水平可至10-5Mbar;循环生产周期短;提供真空环境以排除内部气泡13等离子清洗目的:对半成品进行清洗,去除有机污染和氧化物以满足打线要求设备:March-AP100014X光检测目的:检测半成品空洞,避免流入下道工序设备:PhoenixMicrome优势:几何放大2160倍分辨力:1um高精度、无震动15键合目的:通过键合打线,使芯片与基板相连,器件实现功能性设备半自动楔焊全自动楔焊ShinapexSHB-150HeeseBJ-935/939特点1.应用于大功率器件2.精确控制每一步参数3.适合100~500um铝线1.最小焊盘间距可达40微米;2.位置精度可达+/-1微米;3.每秒7根线的高产能;4.线径100um~2mm铝线铝带;5.精确的键合参数控制16ShinapexSHB-150HeeseBJ-93517灌胶&固化目的:对壳体内部抽真空注入A、B胶并抽真空高温固化,达到绝缘保护作用设备:NLCTR-V真空灌注机CEN烧结炉真空注胶高温固化固化完成18成型目的:对产品进行加装顶盖并对端子进行折弯成型设备:折弯机19打标目的:对模块、壳体表面进行激光打标标明产品型号、日期等设备:UnitekLMF1000/2000特点:可以在金属、塑料等材料上打标PC触屏设计,方便编程和操作可选不同打标软件工艺控制稳定,质量可靠20

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