材料腐蚀与防护-课件-第二章

第二章金属与合金的高温氧化第一节什么是高温氧化？在高温条件下，金属与环境介质中的气相或凝聚相物质发生化学反应而遭受破坏的过程称高温氧化，亦称高温腐蚀。主要涉及的方面：(1)在化学工业中存在的高温过程.如:生产氨水和石油化工等领域产生的氧化。(2)在金属生产和加工过程中.如:在热处理中碳氮共渗和盐浴处理易于产生增碳、氮化损伤和熔融盐腐蚀。(3)含有燃烧的各个过程.如:柴油发动机、燃气轮机、焚烧炉等所产生的复杂气氛高温氧化高温高压水蒸气氧化及熔融碱盐腐蚀。(4)核反应堆运行过程中．(5)在航空航天领域。如：宇宙飞船返回大气层过程中的高温氧化和高温硫化腐蚀，以及航空发动机叶片受到的高温氧化和高温硫化腐蚀。危害性：造成大量金属的耗损高温腐蚀使许多金属腐蚀生锈，破坏了金属表面许多优良的使用性能，降低了金属横截面承受负荷的能力。使高温机械疲劳和热疲劳性能下降。意义：1）有助于我们了解各种金属及其合金在不同环境介质中的腐蚀行为。2）掌握腐蚀产物对金属性能破坏的规律。3）有助于进行耐蚀合金的设计，并能正确选择防护工艺和涂层材料来改善金属材料的高温抗蚀性，减少金属的损失，延长金属制品的使用寿命，提高生产企业的经济效益。重点：本章重点介绍金属(合金)高温氧化机理及抗氧化原理。第二节金属高温氧化的热力学基础2.1金属高温氧化的可能性通式：根据hoff等温方程式：得到：其中：------给定温度下的MeO2的分解压(平衡分压)；------给定温度下的氧分压；R----------气体常数。2OP2PO在T温度下的标准自由能变化值(即金属氧化物的标准生成自由能：2.2金属氧化物的高温稳定性1）平衡图------判断金属氧化的可能性。TGT应用：（1）值愈负，则该金属的氧化物愈稳定，即图中线的位置愈低，它所代表的氧化物就愈稳定。（2）同时它还可以预测一种金属还原另一种金属氧化物的可能性。（3）可以直接读出在给定温度下金属氧化物的平衡氧压。2）金属氧化物的蒸汽压当固体氧化物的蒸气压低于该温度下相平衡蒸气压时，则固体氧化物蒸发。蒸气反应中蒸气压与标准自由能的关系与上述氧化、还原反应相同：蒸气压与温度关系可用克拉伯隆（Clapeyron)方程式表示：其中---标准摩尔熵；V---氧化物摩尔体积；---标准摩尔焓。当固相与气相的体积比可以忽略，及把蒸气近似当作为理想气体处理，上式可以变化为VTHVSdTdpSH因温度变化很小，可看作常数，积分后得到：可见：蒸发热愈大，蒸气压愈小，固态氧化物愈稳定。H3）金属氧化物的熔点一些金属氧化物的熔点低于该金属的熔点。合金氧化时，往往出现两种以上的金属氧化物。当两种氧化物形成共晶时，其熔点更低。第三节金属氧化膜3.1氧化膜的形成：氧化膜形成和发展的决定因素：(1)界面反应速度（氧化初期的主要控制因素）包括金属-氧化膜界面及气体-氧化膜界面上的反应速度。(2)参加反应的物质通过氧化膜的扩散速度（氧化中后期主要控制因素）当氧化膜很薄时，反应物质扩散的驱动力是膜内部存在的电位差；当膜较厚时，将由膜内的浓度梯度引起迁移扩散。3.2氧化膜的生长：在氧化膜的生长过程中，反应物质传输的形式有三种：a）.金属离子单向向外扩散，在氧化膜-气体界面上进行反应，如铜的氧化过程；b）氧单向向内扩散，在金属-氧化膜界面上进行反应，如钛的氧化过程；c)金属离子向外扩散，氧向内扩散，两者在氧化膜中相遇并发生反应，如钴的氧化反应。传输途径：反应物质在氧化膜内，根据金属体系和氧化温度的不同而存在三种方式：(1)晶格扩散。常见于温度较高，氧化膜致密，而且氧化膜内部存在高浓度的空位缺陷的情况下，通过测量氧化速度，可直接计算出反应物质的扩散系数，如钴的氧化。(2)晶界扩散。在较低的温度下，由于晶界扩散的激活能小于晶格扩散，而且低温下氧化物的晶粒尺寸较小，晶界面积大，因此晶界扩散显得更加重要，如镍、铬、铝的氧化。(3)同时晶格和晶界扩散。如钛、锆在中温区域(400一600℃)长时间氧化条件。另外：由于存在晶界扩散，氧化膜还可能以另外一种形式形成和生长。3.3氧化膜的P-B比：氧化物与金属的体积差对氧化物的保护性的影响，又称毕林—彼得沃尔斯原理或P—B比。该原理认为氧化过程中金属氧化膜具有保护性的必要条件是：氧化时所生成的金属氧化膜的体积()与生成这些氧化膜所消耗的金属的体积()之比必须大于l，而不管氧化膜的生长是由金属还是由氧的扩散所形成，2MeOVMeV分析：当PBR值大于1，则金属氧化膜受压应力，具有保护性；当PBR值小于1时，金属氧化膜受张应力，它不能完全覆盖在整个金属的表面，生成琉松多孔的氧化膜，这类氧化膜不具有保护性，如碱金属和碱土金属的氧化膜MgO和CaO等。当PBR＞＞1时，因膜脆容易破裂，完全丧失了保护性，如难熔金属的氧化膜WO3、MoO3等。应当指出：PBR值大于1只是氧化膜具有保护性的必要条件，氧化膜真正具有保护作用还必须满足下列条件(充分条件)：(1)膜要致密、连续、无孔洞，晶体缺陷少；(2)稳定性好，蒸气压低，熔点高；(3)膜与基体的附着力强，不易脱落；(4)生长内应力小；(5)与金属基体具有相近的热膨胀系数；(6)膜的自愈能力强。3.4金属氧化膜的晶体结构1.纯金属氧化物：许多简单的金属氧化物的晶体结构也可以认为是由氧离子组成的六方或立方密堆结构．而金属离子占据着密堆结构的间隙空位处。主要有：立方晶系、斜六面体晶系2.合金氧化物：合金氧化时生成的氧化物往往是由构成该合金的金属元素的氧化物组成复杂体系，但有时也有由一种成分的氧化物组成。复杂体系氧化物一般有两种情况：(1)固溶体型氧化物。(2)mMeO·nMeO型复杂氧化物。第四节氧化膜离子晶体缺陷1）理想配比离子晶体：没有提供电子可以迁移的机制，依靠空位来迁移。2）非理想配比（也叫非化学计量比）离子晶体：指金属与非金属原子数之比不是准确地符合按化学分子式给出的比例，但仍保持电中性。在晶体中除了离子迁移外，还有电子迁移的可能性，这类晶体具有半导体的性质。在非理想配比的离子晶体中根据过剩组分(Me+或O2-)的不同可分为两类：*金属过剩型氧化物，即n型半导体；*金属不足型氧化物，即p型半导体。第五节高温氧化动力学5.1测定金属的高温氧化速度方法：重量法；（常用的方法）容量法；压力计法。测量试样的氧化速度可采用不同的氧化方式，常见的有：1)恒温氧化，氧化时温度不随时间变化；2)循环氧化，氧化时温度随时间变化，一般是周期性变化；3)动力学氧化，指高速气流(即零点几到一个声速，340m／s)中的氧化。5.2恒温氧化动力学规律测定氧化过程的恒温氧化动力学曲线(AW-t)。影响氧化动力学规律的因素：*氧化温度；*氧化时间；*氧的压力；*金属表面状况以及预处理条件(它决定了合金的组织)。同一金属在不同条件下，或同一条件下不同金属的氧化规律往往是不同的。金属氧化的动力学曲线大体上可分为直线、抛物线、立方、对数及反对数规律五类，如图所示：1.直线规律特点：氧化膜疏松、易脱落，即不具有保护性；或者在反应期间生成气相或液相产物离开了金属表面，或者在氧化初期，氧化膜很薄时，其氧化速度直接由形成氧化物的化学反应速度所决定，因此其氧化速率恒定不变．直线规律：2.抛物线规律特点：在较宽的高温范围氧化时，其表面可形成致密的固态氧化膜，氧化速度与膜的厚度成反比。氧化速度表示：3.立方规律特点：低温氧化，薄的氧化膜。例如：Cu在100-300℃各种气压下的恒温氧化均服从立方规律，表示方式：有人认为这可能与通过氧化物空间电荷区的金属离子的输送过程有关。4.对数与反对数规律特点：许多金属在温度低于300一400℃氧化时，其反应一开始很快．但随后就降到其氧化速度可以忽略的程度。在氧化膜相当薄时才适用。表示方式：5.高温氧化理论——瓦格拉尔wagner理论意义：该理论对了解高温下密实的氧化膜生长的基本特点具有重要意义，为改进金属或合金的抗氧化性提供了理论基础。wagner理论推导K常数过程：wagner理论假定：(1)氧化物是单相，且密实、完整，与基体间有良好的吸附性；(2)氧化膜内离子、电子、离子空位、电子空位的迁移都是由浓度梯度和电位梯度提供驱动力，而且晶格扩散是整个氧化反应的速度控制因素；（3)氧化膜内保持电中性；(4)电子、离子穿透氧化膜运动彼此独立迁移；(5)氧化反应机制遵循抛物线规律；(6)K值与氧压无关。总电阻=离子电阻+电子电阻假设在t秒内形成氧化膜的克当量数为J，膜长大速度以通过膜的电流I表示，则有积分得到：分析应用:1)当金属反应的△G=0，即E=0，则K=0，此时氧化过程处于平衡态，金属不能进行氧化反应；当△G＜0，即E越大，K也越大，说明：氧化速度增大，氧化膜有增厚趋势。2）当比电导k值增加，氧化速度常数K也越大，反之，比电导k值越小，氧化速度常数K也越小。说明：比电导值很小，氧化膜的电阻大，氧化速度小。若生成的氧化膜是绝缘的，即当k→0，R→∞，氧化过程将中止。这为研制耐热合金的基础，即加入生成高电阻(低比电导值)的氧化物元素，将提高合金抗氧化性。3）当ne=na+nc时，ne(na+nc)值最大，K也最大，即氧化膜增长速度最大。此时电子或离子迁移的比例适当，未发生互不适应的电极化现象．这一点是很重要的。实际上人们根据氧化膜中电子或离子迁移倾向的大小，加入适当合金元素以减少电子或离子的迁移，从而提高合金的抗氧化性。第六节影响金属氧化的因素主要影响因素：合金元素、温度、气体介质。6.1合金元素对金属氧化速度的影响金属的氧化主要受氧化膜离子晶体中离子空位和间隙离子的迁移所控制．因而可通过加入适当的合金元素改变晶体缺陷来控制氧化速度。1）对金属过剩型氧化膜氧化速度的影响：n型半导体氧化速度受间隙金属离子的数目支配，*当加入低价金属元素，电子浓度降低，导电率下降，比电导↗；金属离子浓度相对↗，使氧化速度增加。*当加入高价金属元素，相反，氧化速度降低。2）对金属不足型氧化膜氧化速度的影响：p型半导体氧化物导电性受电子空位支配，而氧化速度受离子空位支配。当加入低价金属元素，电子空位浓度增加，导电率增加，比电导↘；金属离子空位浓度相对↘，使氧化速度降低。当加入高价金属元素，相反，氧化速度增加。归纳：以上合金元素对氧化物晶体缺陷影响的规律称为控制合金氧化的原于价规律，亦称为哈菲(Hauffe’s)原子价法原则，该法则的要点归纳:6.2温度对氧化速度的影晌由图，随着温度的升高，金属氧化的热力学倾向减小，但绝大多数金属在高温时仍为负值。另外，在高温下反应物质的扩散速度加快，氧化层出现的孔洞、裂缝等也加速了氧的渗透，总之，金属在高温下总的趋势是氧化．而且氧化速度大大增加。很多氧化实验表明：氧化速度常数与温度之间符合阿累尼乌斯(Arrhenius)方程：取对数得到：TGTTG其中Q值的物理意义：代表着系统从初始状态到最终状态所需要越过的自由能障碍的高度。对大多数会属及合金的氧化过程来说，Q值通常为21—210kJ／mol.如果氧化符合抛物线规律，则氧化膜的生长取决于反应物质穿过膜的扩散速度，其扩散系数也可以用Arrhenius方程式表示：6.3气体介质对氧化速度的影响•单一气体介质例如：铁在1000℃下，在不同介质水蒸气、氧、空气、二氧化碳等气体中的氧化厚度与时间的关系。•混合气体介质金属(合金)的腐蚀特点表现在原始介质/金属界面内外同时产生不同的氧化产物。混合介质的腐蚀破坏力较单一空气介质更为强烈，这主要原因：由于混合气体介质在金属表面进行着多元不均匀的化学反应，并形成成分不均匀、含有大量晶体结构缺陷的多种反应产物，显然这种锈皮是不耐蚀的。第七节合金氧化及抗氧化原理一般地，合金合金的氧化比纯金属的氧化复杂得多，其原因如下：(1)合金中各种元素的氧化物有不同的生成自由能，所以它们各自对氧有不同的亲和力。（2)可能形成三种或更多种氧化物；(3)各种氧化物之间可能存在一定的固溶度：(4)在氧化物相中，不同的金属离子有不同的迁移率；(5)合金中不同金属有不同的扩散能力；(6)溶解