微电子器件测试与分析

微电子器件测试与分析实验时间实验纪律实验成绩实验安排及内容实验报告一、实验时间9月16日开始，每星期一、二下午2：00开始上课每5人1组注意自己的上课时间二、实验纪律不得迟到，每迟到1分钟扣1分以任何借口迟到30分钟以上，旷课者均取消上课资格如果自己搞不清自己的上课时间，后果自负如果有事情，须事先请假并与其他同学协商调换上课时间三、实验成绩操作成绩50%（以考试成绩为主）报告成绩50%四、实验安排及实验内容每组安排做两次实验，其它同学们自行安排直到考试合格为止。参加一次考试用万用表和图示仪吉士利:I—V，C—V测试考试考试数据分析、计算（课下进行）四、实验安排及实验内容——预习和复习（实验前完成）万用表和图示仪的使用方法三极管、JFET和MOSFET的结构及特性如何判断器件类型——是三极管（NPN或PNP），JFET还是MOSFET（N沟、P沟，增强、耗尽）四、实验安排及实验内容—吉士利实验内容三极管——正反向输出特性曲线，正反向G—P图，E—B、B—C结正反向特性，C—V特性MOSFET、JFET——输出特性、转移特性、C—V特性四、实验安排及实验内容—图示仪实验内容用万用表测二极管的导通电压，电阻用万用表判断器件管脚位置，测量三极管的放大倍数用万用表和图示仪判断器件类型——是三极管（NPN或PNP）还是MOSFET（N沟、P沟，增强、耗尽）用图示仪测量三极管、MOSFET、JFET的输出特性曲线用图示仪判断器件是否正常工作及损坏的位置四、实验安排及实验内容——考试考试内容——图示仪实验操作实验成绩以考试成绩为主考试不及格重新做第一次实验后补考，最高得分80五、实验报告——要求及题目要求：每人写1份实验报告从下列三个题目中任选一个：1、三极管测试与分析2、MOSFET3、JFET测试与分析格式：报告按科技论文格式书写，结合本实验内容进行分析五、实验报告——内容题目：小二号字、黑体作者：五号字、宋体单位及地址：（五号字、宋体）摘要：（五号字、宋体）一、引言（标题四号字、黑体，内容五号字、宋体）二、实验仪器、方法（标题四号字、黑体，内容五号字、宋体）三、数据处理及讨论（标题四号字、黑体，内容五号字、宋体）四、结论（标题四号字、黑体，内容五号字、宋体）五、参考文献（标题四号字、黑体，内容五号字、宋体）六、感想、体会、收获、建议、意见等五、实验报告——摘要包括论文的目的、方法、结果和结论。五、实验报告——引言三极管（或MOSFET、JFET）发展历史，研究动态，本实验的目的、意义及所做的工作。五、实验报告——方法、仪器主要设备、仪器名称、型号及作用（列表表示）主要实验装置系统示意图。测量的参数及取值范围五、实验报告——数据处理及讨论（三极管包括NPN和PNP）需要学习的工具：Origin画出正、反向输出特性曲线，由输出特性曲线计算、厄尔利电压测量并计算漏电流和击穿电压画出正、反向G—P图由G—P图，画出—Ic（对数坐标）关系曲线，并与由输出特性计算出的进行比较画出各结的C-V特性曲线五、实验报告——数据处理及讨论（JFET和MOSFET包括N沟和P沟）需要用的画图工具：Origin画出输出特性曲线C-V特性曲线画出转移特性曲线计算跨导计算沟道迁移率五、实验报告——结论对测量和计算结果进行总结五、实验报告——参考文献引用资料、文献，均应说明来源。著录引文的参考文献采用顺序编码制。按文章正文部分（包括图、表及其说明）引用文献的先后顺序连续编码。编码置于方括号中，用上标的形式（置于右上角），直接放在引文之后。专著著录格式：主要责任者者，书名，版本，出版地：出版者,出版年：页次连续出版物（期刊）著录要求、格式：作者，标题，刊名，卷（期）：页码，年五、实验报告——参考文献（续）会议录、论文集、论文汇编著录要求、格式：著者，题目，文集名，会议名，会址，开会年，出版地：出版者，出版年：页次学位论文著录要求、格式：著者，题（篇）名，学位授予单位，编号或缩微制品序号，年专利文献著录要求、格式：专利申请者，专利题名，专利国别，专利文献种类，专利号，出版日期五、实验报告——感想、体会、收获、建议、意见等写你想写