(重要)电力电子技术复习详解

电力电子技术题型：选择题（10道）填空题（8道）判断题（12道）简答题3道题两部分：1、PWM技术2、AC/AC交流控制电路3、DC/AC变换电路计算题(3题)：1、单相全控（第二章）2、升压、降压、升降压（第三章）3、三相半波和三相全波（第二章）第1章器件全控型器件：可关断晶闸管GTO、大功率晶体管GTR、绝缘栅双极（绝缘门极）晶体管IGBT、功率场效应管P-MOSFET半控器件：晶闸管不可控器件：电力二极管三端器件：晶闸管(阳极A、阴极K、门级G）、绝缘门极晶体管IGBT（栅极G、集电极C、发射级E）复合型器件：MOS控制晶闸管MCT（MOSFET/晶闸管）、绝缘门极晶体管IGBT（P-MOSFET/双极型晶体管GTR）1.可关断晶闸管的文字符号是。（A）A.GTOB.GTRC.P-MOSFETD.IGBT2.下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是。（D）A.GTO和SCRB.GTR和电力二极管C.GTR和SCRD.GTO和GTR3.当晶闸管承受反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在。（B）A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.开关状态4.大功率晶体管的文字符号是。（B）A.GTOB.GTRC.P-MOSFETD.IGBT5.下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是。（C）A.GTO和SCRB.GTR和电力二极管C.GTR和IGBTD.IGBT和SCR6.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，电力二极管属于器件。(A)A.不可控B.半控C.全控D.复合型7.功率场效应管的文字符号是(C)。A.GTOB.GTRC.P-MOSFETD.IGBT8．下列两种电力电子器件中均属于全控型器件的是。(A)A.GTO和IGBTB.GTR和电力二极管C.GTR和SCRD.IGBT和SCR9.按照电力电子器件能够被控制电路信号所控制的程度，晶闸管属于。(B)A.不可控器件B.半控器件C.全控器件D.复合型器件10.绝缘门极晶体管的文字符号是。(D)A.GTOB.GTRC.P-MOSFETD.IGBT11.下列两种电力电子器件均属于全控型器件的是。（B）A.GTO和SCRB.GTR和P-MOSFETC.GTR和SCRD.GTO和电力二极管12.功率晶体管GTR从高电压小电流向低电压大电流跃变的现象称为。（b）A.一次击穿B.二次击穿C.临界饱和D.反向截止13.逆导晶闸管是将大功率二极管与何种器件集成在一个管芯上而成（b）A.大功率三极管B.逆阻型晶闸管C.双向晶闸管D.可关断晶闸管14.当晶闸管随反向阳极电压时，不论门极加何种极性触发电压，管子都将工作在。（b）A.导通状态B.关断状态C.饱和状态D.不定15.晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是阳极、阴极和___门____极。16.晶闸管是三端器件，三个引出电极分别是阳极、__阴___极和门极。17.IGBT是三端器件，三个引出电极分别是栅极、集电极和发射极。18.换流方式有器件换流、电网换流、负载换流、强迫换流四种方式。19.IGBT是三端器件，三个引出电极分别是栅极、集电极和发射极。20.双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是MCT。？（F）21.双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTO。（F）22.双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是GTR。（F）23.双极型功率晶体管和MOSFET的复合器件是IGBT。（T）24.尖脉冲、矩形脉冲、强触发脉冲等都可作为晶闸管的门极控制信号。（T）25.导致开关管损坏的原因可能是有过流、过压、过热或驱动电路故障等。（T）第2章整流（ac/dc）1.晶闸管的伏安特性是指。（C）A.阳极电压与门极电流的关系B.门极电压与门极电流的关系C.阳极电压与阳极电流的关系D.门极电压与阳极电流的关系2.整流电路是变换器。AC交流（A）A.AC/DCB.DC/ACC.AC/ACD.DC/DC3.单相半波可控整流电路，阻性负载，控制角α的最大移相范围是0°～。（D）A.90°B.120°C.150°D.180°4.关于有源逆变的条件，表述正确的是要求晶闸管的控制角。B）A小于90度，使Ud为正值B.大于90度，使Ud为负值C.大于60度，使Ud为正值D.大于30度，使Ud为正值5.关于有源逆变的条件，表述正确的是。（A）A要有直流电动势，其极性和晶闸管的导通方向一致，其值应大于变流电路直流侧的平均电压B要有直流电动势，其极性和晶闸管的导通方向相反，其值应大于变流电路直流侧的平均电压C要有直流电动势，其极性和晶闸管的导通方向一致，其值应小于变流电路直流侧的平均电压D要有直流电动势，其极性和晶闸管的导通方向相反，其值应小于变流电路直流侧的平均电压6.单相半控桥式整流电路带纯电阻性负载时，晶闸管承受正向电压的最大值为。（A）A.2U221B.2U2C.2U22D.2U67.三相桥式全控整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动。(D)A.2次B.3次C.4次D.6次8.可以实现有源逆变的整流电路是整流电路。(C)A.有续流二极管的B.单相桥式半控C.没有续流二极管的全控D.有续流二极管的全控9.出现换相重叠角γ的原因是。（C）A.晶闸管换相B.有源逆变C.变压器漏感D.谐波10.一交流单相晶闸管调压器用作控制从220V交流电源送至电阻可视为零的电感负载电路的电压，则稳态时控制角移相范围是。（A）A.900~1800B.300~1800C.450~1800D.600~180011.单相半波可控整流电阻性负载电路中，控制角的最大移相范围是。A.o90B.o120C.o150D.o180（d）12.单相全控桥式整流大电感负载电路中，当控制角的移相范围是（a）A.00--900B.00-1800C.900-1800D.1800-360013.三相半波可控整流电路的自然换相点是。（b）A.交流相电压的过零点B.本相相电压与相邻电压正半周的交点处C.比三相不控整流电路的自然换相点超前300D.比三相不控整流电路的自然换相点滞后60014.快速熔断器可以用于过电流保护的电力电子器件是。（d）A.功率晶体管B.IGBTC.功率MOSFETD.晶闸管15.单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是防止失控现象的产生。16.要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用宽脉冲触发；二是用双脉冲触发。17.单相半控桥电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是为了防止失控现象的产生。14.要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种，一是用宽脉冲触发；二是用双脉冲触发。15.单相半控桥接电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是防止失控现象的产生。16.三相桥式全控整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动6次。17.有源逆变器是将直流电能转换为交流电能馈送回电网的逆变电路。18.单相半控桥接电感性负载电路中，在负载两端并联一个续流二极管的目的是防止失控现象的产生。19.三相半波可控整流电路，在交流电源一个周期里，输出电压脉动3次。20.功率开关管的损耗包括两方面:一方面是__导通损耗__；另一方面是__开关过程中损耗__。21.o180导电型电压源式三相桥式逆变电路，其换相是在___同一相___的上、下两个开关元件之间进行。21.在电力电子电路中，常设置缓冲电路，其作用是__防止开关器件在关断时产生过电压和减少开关损耗___。22.开关型DC—DC变换电路的三个基本元件是__功率开关管__、__电感__、和__电容__。23.SPWM波形的生成方法主要有三种，分别是__自然采样法__、__规则采样法__、和__谐波消去法__。24.电力开关管由于承受过电流、过电压的能力太差，所以其控制电路必须设有__过流__和__过压__保护电路。25.晶闸管串联时，给每只管子并联相同的阻值的电阻R是__静态均压__措施。26.三相全控桥式变流电路交流侧、非线性压敏电阻、过电压保护电路的连接方式有__星型__、___三角型__两种方法。27.单相交流调压电阻性负载电路的移相范围在0º-180º内，在电感性负载时移相范围在0º-180º内。（F）28.对于单相桥式全控整流电路，晶闸管VT无论是烧成短路还是断路，电路都可作为单相半波整流电路工作。（F）29.在有源逆变电路中，当某一晶闸管发生故障、失去开通能力，则会导致逆变失败。（T）30.对于三相半波整流电路，电阻性负载，当dI一定时，流过晶闸管的电路有效值TI随控制角的增加而增加。（T）31.对于三相半波整流电路，电阻性负载，但o45，VU1002时，输出电压平均值约为85V。（T）32.单相交流调压电阻性负载电路的功率因素随移相触发角的增大而降低。（T）1.单相半波可控整流电路对电感负载供电，mHL20，VU1002，求当o60时的负载电流dI，并画出du与di波形。解：当o60时，在2u正半周期oo18060期间晶闸管导通使电感L储能，电感L储藏的能量在2u负半周期oo300180期间释放，因此在2u一个周期中oo30060期间以下微分方程成立：tUdtdiLdsin22考虑初始条件：当ot60时di可解方程得：tLUidcos2122其平均值为)(25.11102050410024222)(cos212213223532AfLULUtdtLUId此时du与di波形如下图：2.题2.1图所示为三相半波可控整流电路，已知VU1002，带电阻电感负载，5R，L值极大，若控制角o60，(1)画出du、di和1VTi的波形；(2)计算dU、dI、DVTI和VTI。题2.1图解：(1)du、di和1VTi的波形如下图：(2)dU、dI、DVTI和VTI分别为)(5.5860cos10017.1cos17.12VUUod)(7.1155.58ARUIdd)(9.337.113AIIdDVT)(76.637.113AIIdVT3.题2.2图所示为单相桥式全控整流电路，已知VU1002，负载中2R，L值极大，若控制角o45,(1)作出du、di和2i的波形；(2)求整流输出平均电压dU、电流dI，变压器二次电流有效值2I；解：(1)du、di和2i的波形如下图：(2)输出平均电压dU、电流dI，变压器二次电流有效值2I分别为)(63.6345cos1009.0cos9.02VUUod)(82.31263.63ARUIdd)(82.312AIId4.题2.3图所示的降压斩波电路中，已知VE200，10R，L值极大，VEM30，sT50、ston20,计算输出电压平均值oU、输出电流平均值oI解：由于L值极大，故负载电流连续，于是输出电压平均值为)(802005020VETtUono输出电流平均值为)(5103080AREUIMoo5.三相桥式全控整流电路，VU2002，带电阻电感负载，20R，L值极大，当o60时，要求：(1)画出du、di和1VTi的波形；(2)计算dU、dI、DVTI和VTI。题2.2图题2.3图解：(1)du、di和1VTi的波形如下图：(2)dU、dI、DVTI和VTI分别为)(23460cos20034.2cos34.22VUUod)(7.1120234ARUIdd)(9.337.113AIIdDVT)(76.637.113AIIdVT6.题2.4图所示为单相桥式全控整流电路，已知VU2002，负载中3R，L值极大，若控制角o30,2(1)作出du、di和2i的波形；(2)求整流输出平均电压dU、电流dI，变压器二次电流有效值2I；解：(1)du、di和2i的波形如下图：题2.4图(2)输出平均电压dU、电流dI，变压器二次电流有效