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S-8205A/Bシリーズセル/5セル直列用バッテリー保護IC©SeikoInstrumentsInc.,2010-2011Rev.1.3_00セイコーインスツル株式会社1S-8205A/Bシリーズは、高精度電圧検出回路と遅延回路を内蔵し、単体では4セル直列あるいは5セル直列のリチウムイオン二次電池の状態を監視することが可能です。リチウムイオン電池パックの過充電、過放電、過電流の保護に最適なICです。特長・各セルに対する高精度電圧検出機能過充電検出電圧n(n=1~5)3.55V~4.40V*1(50mVステップ)精度±25mV過充電解除電圧n(n=1~5)3.30V~4.40V*2精度±50mV過放電検出電圧n(n=1~5)2.0V~3.2V*1(100mVステップ)精度±80mV過放電解除電圧n(n=1~5)2.0V~3.4V*3精度±100mV・2段階の放電過電流検出機能放電過電流検出電圧0.05V~0.30V*4(50mVステップ)精度±15mV負荷短絡検出電圧0.50V~1.0V*4(100mVステップ)精度±100mV・充電過電流検出機能充電過電流検出電圧−0.30V~−0.05V(50mVステップ)精度±30mV・過充電検出遅延時間、過放電検出遅延時間、放電過電流検出遅延時間、充電過電流検出遅延時間は外付け容量により設定が可能(負荷短絡検出遅延時間は内部固定)・S-8205Aシリーズ:4セル直列用、S-8205Bシリーズ:5セル直列用・充電制御用コントロール端子と放電制御用コントロール端子より充電、放電が独立に制御可能・パワーダウン機能あり/なしの選択可能・高耐圧素子の採用絶対最大定格28V・広動作電圧範囲2V~24V・広動作温度範囲Ta=−40°C~+85°C・低消費電流動作時40μAmax.(Ta=+25°C)パワーダウン時0.1μAmax.(Ta=+25°C)・鉛フリー(Sn100%)、ハロゲンフリー*5*1.過充電検出電圧n(n=1~5)と過放電検出電圧n(n=1~5)の電圧差は0.6V以下の選択不可。*2.過充電ヒステリシス電圧n(n=1~5)は0Vまたは0.1V~0.4Vの範囲内から50mVステップで選択可能。(過充電ヒステリシス電圧=過充電検出電圧−過充電解除電圧)*3.過放電ヒステリシス電圧n(n=1~5)は0Vまたは0.2V~0.7Vの範囲内から100mVステップで選択可能。(過放電ヒステリシス電圧=過放電解除電圧−過放電検出電圧)*4.放電過電流検出電圧と負荷短絡検出電圧の電圧差は0.3V以下の選択不可。*5.詳細は品目コードの構成を参照してください。用途・リチウムイオン二次電池バッテリーパックパッケージ・16-PinTSSOP4セル/5セル直列用バッテリー保護ICS-8205A/BシリーズRev.1.3_00セイコーインスツル株式会社2ブロック図1.S-8205AシリーズVMDO+−VINI放電過電流CTLCCTLDCCTRVMDRVMSVDDVC1VC2VC3VC4過充電1過放電1過充電2過放電2過充電3過放電3遅延回路遅延回路遅延回路遅延回路+−+−負荷短絡充電過電流−++−+−+−−+−+VC5過放電4+−−+過充電4CDTCO遅延回路VSSCITRCTLCRCTLD制御回路備考図中に示されたダイオードは寄生ダイオードです。図14セル/5セル直列用バッテリー保護ICRev.1.3_00S-8205A/Bシリーズセイコーインスツル株式会社32.S-8205BシリーズVMDO+−VINI放電過電流CTLCCTLDCCTRVMDRVMSVDDVC1VC2VC3VC4過充電1過放電1過充電2過放電2過充電3過放電3遅延回路遅延回路遅延回路遅延回路+−+−負荷短絡充電過電流−++−+−+−−+−+VC5過放電4過充電5過放電5+−+−−+−+過充電4CDTCO遅延回路VSSCITRCTLCRCTLD制御回路備考図中に示されたダイオードは寄生ダイオードです。図24セル/5セル直列用バッテリー保護ICS-8205A/BシリーズRev.1.3_00セイコーインスツル株式会社4品目コードの構成1.製品名S-8205xxx−TCT1U製品シリーズ名A:4セルB:5セルパッケージ略号とICの梱包仕様*1TCT1:16-PinTSSOP、テープ品追番*2AA~ZZまで順次設定環境コードU:鉛フリー(Sn100%)、ハロゲンフリー*1.テープ図面をご参照ください。*2.3.製品名リストをご参照ください。2.パッケージ表1パッケージ図面コードパッケージ名外形寸法図テープ図面リール図面16-PinTSSOPFT016-A-P-SDFT016-A-C-SDFT016-A-R-S14セル/5セル直列用バッテリー保護ICRev.1.3_00S-8205A/Bシリーズセイコーインスツル株式会社53.製品名リスト表2S-8205Aシリーズ(4セル直列用)製品名過充電検出電圧［VCU］過充電解除電圧［VCL］過放電検出電圧［VDL］過放電解除電圧［VDU］放電過電流検出電圧［VDIOV］負荷短絡検出電圧［VSHORT］充電過電流検出電圧［VCIOV］0V電池への充電機能パワーダウン機能遅延時間*1S-8205AAA-TCT1U4.225V4.125V2.30V3.00V0.15V0.50V−0.10V可能あり(1)S-8205AAB-TCT1U4.225V4.075V2.30V3.00V0.20V0.50V−0.10V可能あり(1)*1.遅延時間は外付け容量により設定します。ただし、放電過電流解除遅延時間(tDIOVR)、充電過電流解除遅延時間(tCIOVR)は放電過電流検出遅延時間(tDIOV)、充電過電流検出遅延時間(tCIOV)により、下式にて算出されます。1[ms](typ.)はS-8205Aシリーズの内部遅延時間です。(1)tDIOVR=tDIOV×10+1[ms](typ.),tCIOVR=tCIOV×10+1[ms](typ.)(2)tDIOVR=tDIOV×0.05+1[ms](typ.),tCIOVR=tCIOV×0.05+1[ms](typ.)なお、遅延時間の算出方法は■動作説明の8.遅延時間の設定を参照してください。備考上記検出電圧値以外の製品をご希望の場合は、弊社営業部までお問い合わせください。表3S-8205Bシリーズ(5セル直列用)製品名過充電検出電圧［VCU］過充電解除電圧［VCL］過放電検出電圧［VDL］過放電解除電圧［VDU］放電過電流検出電圧［VDIOV］負荷短絡検出電圧［VSHORT］充電過電流検出電圧［VCIOV］0V電池への充電機能パワーダウン機能遅延時間*1S-8205BAA-TCT1U4.225V4.125V2.30V3.00V0.15V0.50V−0.10V可能あり(1)S-8205BAB-TCT1U4.225V4.075V2.30V3.00V0.20V0.50V−0.10V可能あり(1)S-8205BAC-TCT1U4.200V4.100V2.50V3.20V0.10V0.80V−0.10V可能あり(1)S-8205BAD-TCT1U4.200V4.000V2.70V3.00V0.15V1.00V−0.10V可能あり(1)S-8205BAE-TCT1U4.200V4.100V2.50V3.20V0.15V0.50V−0.10V可能あり(1)S-8205BAF-TCT1U4.200V4.050V2.70V3.00V0.20V0.50V−0.20V可能あり(1)S-8205BAG-TCT1U4.250V4.150V2.70V3.00V0.20V0.50V−0.20V可能あり(1)S-8205BAH-TCT1U4.250V4.050V2.00V2.50V0.15V0.50V−0.10V可能あり(1)S-8205BAI-TCT1U4.225V4.075V2.30V3.00V0.10V0.50V−0.05V禁止あり(1)S-8205BAJ-TCT1U4.200V4.100V2.50V3.20V0.10V0.80V−0.10V可能あり(2)S-8205BAK-TCT1U4.200V4.000V2.70V3.00V0.15V1.00V−0.10V可能あり(2)S-8205BAL-TCT1U4.250V4.100V2.30V3.00V0.15V0.50V−0.10V可能なし(2)S-8205BAP-TCT1U4.200V4.100V2.50V3.20V0.10V0.80V−0.10V可能なし(2)S-8205BAQ-TCT1U3.900V3.750V2.00V2.70V0.20V0.50V−0.15V可能あり(1)*1.遅延時間は外付け容量により設定します。ただし、放電過電流解除遅延時間(tDIOVR)、充電過電流解除遅延時間(tCIOVR)は放電過電流検出遅延時間(tDIOV)、充電過電流検出遅延時間(tCIOV)により、下式にて算出されます。1[ms](typ.)はS-8205Bシリーズの内部遅延時間です。(1)tDIOVR=tDIOV×10+1[ms](typ.),tCIOVR=tCIOV×10+1[ms](typ.)(2)tDIOVR=tDIOV×0.05+1[ms](typ.),tCIOVR=tCIOV×0.05+1[ms](typ.)なお、遅延時間の算出方法は■動作説明の8.遅延時間の設定を参照してください。備考上記検出電圧値以外の製品をご希望の場合は、弊社営業部までお問い合わせください。4セル/5セル直列用バッテリー保護ICS-8205A/BシリーズRev.1.3_00セイコーインスツル株式会社6ピン配置図54687231121311910151416図3表4端子番号端子記号端子内容1VMVSS−VM間の電圧検出端子2CO充電制御用FETゲート接続端子(Pchオープンドレイン出力)VSS−CO間の電圧検出端子3DO放電制御用FETゲート接続端子(CMOS出力)4VINIVSS−VINI間の電圧検出端子5CTLC充電用FETの制御端子6CTLD放電用FETの制御端子7CCT過充電検出遅延用の容量接続端子8CDT過放電検出遅延用の容量接続端子9CIT放電過電流検出遅延、充電過電流検出遅延の容量接続端子10VSS負電源入力端子、バッテリー5の負電圧接続端子11VC5バッテリー4の負電圧、バッテリー5の正電圧接続端子12VC4バッテリー3の負電圧、バッテリー4の正電圧接続端子13VC3バッテリー2の負電圧、バッテリー3の正電圧接続端子14VC2バッテリー1の負電圧、バッテリー2の正電圧接続端子15VC1バッテリー1の正電圧接続端子16VDD正電源入力端子、バッテリー1の正電圧接続端子4セル/5セル直列用バッテリー保護ICRev.1.3_00S-8205A/Bシリーズセイコーインスツル株式会社7絶対最大定格表5(特記なき場合:Ta=+25°C)項目記号適用端子絶対最大定格単位VDD−VSS間入力電圧VDSVDDVSS−0.3~VSS+28V入力端子1電圧VIN1VC1,VC2,VC3,VC4,VC5,CTLC,CTLD,CCT,CDT,CITVSS−0.3~VDD+0.3V入力端子2電圧VIN2VM,VINIVDD−28~VDD+0.3VDO端子出力電圧VDODOVSS−0.3~VDD+0.3VCO端子入出力電圧VCOCOVDD−28~VDD+0.3V許容損失PD⎯1100*1mW動作周囲温度Topr⎯−40~+85°C保存温度Tstg⎯−40~+125°C*1.基板実装時［実装基板］(1)基板サイズ:114.3mm×76.2mm×t1.6mm(2)名称:JEDECSTANDARD51-7注意絶対最大定格とは、どのような条件下でも越えてはならない定格値です。万一この定格値を越えると、製品の劣化などの物理的な損傷を与える可能性があ