学习报告一、DDR2简介二、DDREA量测一DDR原理简介DDRSDRAM全称为DoubleDataRateSDRAM,中文名为“双倍数据流SDRAM”。DDRSDRAM在原有的SDRAM的基础上改进而来。下图即为简单的DDR的数据传递方式。Inputandoutputfunctiondescription—DDR2Inputandoutputfunctiondescription—DDR2Bank:Bank表示一个存储阵列。在对一个存储单元进行寻址的时候,首先制定一个行地址,再制定一个列地址然后对其进行读写操作。Page:对于Bank里面的每一行的存储单元的总和即叫做Page。28colbitsPageORGCOLBITS:thenumberofcolumnaddressbitsORG:thenumberofI/O(DQ)bits在DDR2初始化时候首先需要进行MRS(ModeRegisterSet)以及EMRS(ExtendedModeRegisterSet)的配置。其中MRS主要是对CASlatency,burstlength,burstsequence,testmode,DLLreset,WRandvariousvendorspecificoptions实现DDR2的各种应用。EMRS主要是对DLLdisablefunction,driverimpedance,additiveCASlatency,ODT(OnDieTermination),single-endedstrobe,andOCD(offchipdriverimpedanceadjustment)。CASLatency:CAS潜伏期。CAS为列地址选通脉冲,在列地址确定之后就可以传输数据,但是仍需要经过一段时间才会有数据发出,这段间隔的时间即为CAS潜伏期,简写为CL。AdditiveLatency:简称AL。在RAS命令之后会立即执行CAS命令,CAS命令发出到被设备执行的时间则成为AL。延时参数越小,内存运行速度越快,但是有的内存不能运行较低的延时,可能会丢失数据RL:ReadLatencyWL:WriteLatency.RL=AL+CL.WL=RL-1BurstLength:突发长度。简称为BL,Burst模式是数据连续传输的方式,连续传输周期的数量就是突发长度BL。DM(DATAMask)即为数据屏蔽。前面所提的数据传输的突发长度,如果连续写入数据其中有不需要的数据,就是通过DM信号来对其进行屏蔽。1个DM信号对应8个数据位(DQ),当DM为高电平时,则同一DQS/DQS#触发的数据被屏蔽。Prechargeoperation:预充电操作。预充电就是在对某一行进行完读写操作后,要对另一行进行寻址,就需要将原来的有效行关闭,重新发送行列地址,因此precharge命令就是关闭现有的工作行并开始新的行操作。Precharge命令在Clock的上升沿被触发,条件为CS,RASandWEareLOWandCASisHIGH。Precharge可以对一个Bank进行操作或者对所有的Bank进行同步操作,具体的设定通过A10,BA0,BA1,BA2来实现从Read到Precharge命令的最小时间为AL+BL/2+max(RTP,2)-2CLKPrecharge命令必须在tRAS满足之后才能执行。同时read到precharge的最小时间还需要满足=tRTP。tRTP:在Read命令后,从Clock的上升沿到最后的四位预读取的时间就是tRTP(ReadtoPrecharge)tRAS:DDR行有效至有效预充电的最短时间叫做tRAS.tRP:在发出Precharege命令之后还需要经过一段时间才允许发送RAS行有效命令打开新的工作行,这段时间被称为tRP。tRP越小,DDR运行速度越快。从Write到Precharge命令的最小时间为WL+BL/2+tWR在DDR进行写的时候,从Burstwrite完成到Precharge命令执行的时间被称为tWRPrechargeoperationPrechargeoperationReadtoPrechargeWritetoPrechargeAutoPrechargeoperation当A10设定为高的情况下,AutoPrechargeoperation被使能。当Read命令后,在大于tRAS和tRTP被满足的条件下,在Read命令AL+BL/2的周期的CLK的边沿触发时出开始进行AutoPrecharge。当Write命令后,在大于tWR满足的情况下,在CLK的边沿触发时开始AutoPrechargeODT—OnDieTerminationOnDieTermination功能即可以对DQ,DQS/DQS,RDQS/RDQS,andDM的终端电阻进行开关,可以改善信号完整性。ODT通过EMRS来进行控制Refreshoperation当CLK的边沿触发到CS,RASandCASLOWandWEHIGH,Chip开始进入Refreshoperation,在Refresh之前所有的Bank都必须被预充电,从预充电命令到Refresh命令执行的时间必须大于tRP。从一个refresh命令到另一个refresh命令的时间要大于tRFC(Refresh周期),SelfRefreshoperationSelfRefreshCommand(SRC)可以在其他的系统关闭电源的情况下保持DDR中的数据,且此时也不需要外部时钟。CS,RAS,CASandCKE保持LOWwith,WEHIGH时在CLK的边沿触发SRC,此时ODT必须关闭.在进入SelfRefresh模式后,除了CKE信号其他信号都不需要关注,但是电源必须稳定。在推迟SelfRefresh模式之前必须保证外部时钟已经稳定二DDREA量测RecommendedDCoperationconditionsDDR3DDR2ACandDCinputLogiclevelforsingle-endedsignals----------DDR2ACandDCinputLogiclevelforsingle-endedsignals/Differentialsignals—DDR3VIH(AC),VIH(DC),VIL(AC)andVIL(DC)都受Vref的影响,Vref也有AC/DC之分,对于VIH(AC),VIH(DC),VIL(AC)andVIL(DC)计算式中的Vref应该被理解为Vref(DC).如下图所示。DifferentialCrosspointvoltage---DDR2Crosspointvoltage是指CLK/CL#DQS/DQS#交叉点处的电压值,实际的测试值到VDD/2处的值标示为Vix(inputsignal)/Vox(outputsignal).CLK/CLK#,DQS/DQS#,LDQSLDQS#,UDQSUDQS#的Vix,Vid须满足如下SPEC的要求DifferentialCrosspointvoltage---DDR3Crosspointvoltage是指CLK/CL#DQS/DQS#交叉点处的电压值,实际的测试值到VDD/2处的值标示为Vix.如下图所示。CLK/CLK#和DQS/DQS#的Vix必须满足SPEC的要求SetuptimeandHolduptimeSetuptime:接收端需要数据提前于时钟沿稳定存在的时间Holdtime:数据信号在被时钟触发后保持的时间定义:Addressandcontrolsetuptime(tIS)Addressandcontrolholdtime(tIH)DataandDMsetuptime(tDS)DataandDMholdtime(tDH)SetuptimeandHolduptimeSPECforDDR2注:tIS(base),tIH(base)的值为当CLK/CLK#的Diffslewrate为2V/ns,adress/CMD的slewrate为1V/ns的时候的基本值tDS(base),tDH(base)的值为当DQS/DQS#的Diffslewrate为2V/ns,DQ的single-endslewrate为1V/ns的时候的基本值SetuptimeandHolduptimederatingvaluesforDDR2()()()tIStISbasetIStIHtIHbasetIHtDStDSbasetDStDHtDHbasetDH对于实际的setuptime和holdtime参照的SPEC的值因如右边公式其中的derating值应按照实际量测的slewrate值从下表查出SetuptimeandHolduptimeSPECforDDR3注:tIS(base),tIH(base)的值为当CLK/CLK#的Diffslewrate为2V/ns,adress/CMD的slewrate为1V/ns的时候的基本值tDS(base),tDH(base)的值为当DQS/DQS#的Diffslewrate为2V/ns,DQ的single-endslewrate为1V/ns的时候的基本值SetuptimeandHolduptimederatingvaluesforDDR3()()()tIStISbasetIStIHtIHbasetIHtDStDSbasetDStDHtDHbasetDH对于实际的setuptime和holdtime参照的SPEC的值因如右边公式其中的derating值应按照实际量测的slewrate值从下表查出Single-endedsignalsSlewrateSlewrate即为信号上升和下降时的斜率值。Slewrate又分为Setuptime时的上升和下降andHoldtime时的上升及下降。具体的定义如下表所示Single-endedsignalsSlewrateSlewrateinHoldtimeSlewrateinSetuptime对于CLK/CLK#的量测还应包括lowpulsewidth(tCL),Highpulsewidth(tCH),period(tCK),Jitter(tJIT)PeriodHighpulsewidthLowpulsewidth