搜索
方法1：利用紫外可见漫反射测量中的吸光度与波长数据作图，利用截线法做出吸收波长阈值λg(nm)，利用公式Eg=1240/λg(eV)计算禁带宽度。方法2：利用(Ahν)2对hν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(Ahν)0.5对hν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。A(Absorbance)即为紫外可见漫反射中的吸光度。方法3：利用(αhν)2对hν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用(αhν)0.5对hν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。α(AbsorptionCoefficient)即为紫外可见漫反射中的吸收系数。α与A成正比。方法4：利用[F(R∞)hν]2对hν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。也可利用[F(R∞)hν]0.5对hν做图，利用直线部分外推至横坐标交点，即为禁带宽度值。前者为间接半导体禁带宽度值，后者为直接半导体禁带宽度值。