MOSFET基础知识介绍分析

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FET基礎知識及電參數測試介紹场效应三极管只有一种载流子参与导电,且利用电场效应来控制电流的三极管,称为场效应管,也称单极型三极管。场效应管分类结型场效应管绝缘栅型场效应管特点单极型器件(一种载流子导电);输入电阻高;工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。DSGN符号结型场效应管一、结构图1N沟道结型场效应管结构图N型沟道N型硅棒栅极源极漏极P+P+P型区耗尽层(PN结)在漏极和源极之间加上一个正向电压,N型半导体中多数载流子电子可以导电。导电沟道是N型的,称N沟道结型场效应管。P沟道场效应管图2P沟道结型场效应管结构图N+N+P型沟道GSDP沟道场效应管是在P型硅棒的两侧做成高掺杂的N型区(N+),导电沟道为P型,多数载流子为空穴。符号GDS二、工作原理N沟道结型场效应管用改变UGS大小来控制漏极电流ID的。GDSNN型沟道栅极源极漏极P+P+耗尽层在栅极和源极之间加反向电压,耗尽层会变宽,导电沟道宽度减小,使沟道本身的电阻值增大,漏极电流ID减小,反之,漏极ID电流将增加。耗尽层的宽度改变主要在沟道区。二、工作原理N沟道结型场效应管用改变UGS大小来控制漏极电流ID的。GDSNN型沟道栅极源极漏极P+P+耗尽层*在栅极和源极之间加反向电压,耗尽层会变宽,导电沟道宽度减小,使沟道本身的电阻值增大,漏极电流ID减小,反之,漏极ID电流将增加。*耗尽层的宽度改变主要在沟道区。1.设UDS=0,在栅源之间加负电源VGG,改变VGG大小。观察耗尽层的变化。ID=0GDSN型沟道P+P+(a)UGS=0UGS=0时,耗尽层比较窄,导电沟比较宽UGS由零逐渐增大,耗尽层逐渐加宽,导电沟相应变窄。当UGS=UGS(off),耗尽层合拢,导电沟道被夹断,夹断电压UGS(off)为负值。ID=0GDSP+P+N型沟道(b)UGS0VGGID=0GDSP+P+(c)UGS=UPVGG2.在漏源极间加正向VDD,使UDS0,在栅源间加负电源VGG,观察UGS变化时耗尽层和漏极ID。UGS=0,UDG,ID较大。GS(off)UGDSP+NISIDP+P+VDDVGGUGS0,UDG,ID较小。GS(off)UGDSNISIDP+P+VDD注意:当UDS0时,耗尽层呈现楔形。(a)(b)GDSP+NISIDP+P+VDDVGGUGS0,UDG=|UGS(off)|,ID更小,预夹断UGS≤UGS(th),UDG|UGS(off)|,ID0,夹断GDSISIDP+VDDVGGP+P+(1)改变UGS,改变了PN结中电场,控制了ID,故称场效应管;(2)结型场效应管栅源之间加反向偏置电压,使PN反偏,栅极基本不取电流,因此,场效应管输入电阻很高。(c)(d)三、特性曲线1.转移特性(N沟道结型场效应管为例)常数DS)(GSDUUfIOUGSIDIDSSUGS(off)圖5转移特性UGS=0,ID最大;UGS愈负,ID愈小;UGS=UGS(off),ID0。两个重要参数饱和漏极电流IDSS(UGS=0时的ID)夹断电压UGS(off)(ID=0时的UGS)UDSIDVDDVGGDSGV+V+UGS圖4特性曲线测试电路+mA1.转移特性OuGS/VID/mAIDSSUGS(off)图6转移特性2.漏极特性当栅源之间的电压UGS不变时,漏极电流ID与漏源之间电压UDS的关系,即结型场效应管转移特性曲线的近似公式:常数GS)(DSDUUfI)0()1(GS)(2)(GSDSSD时当UUUUIIoffGSoffGS≤≤IDSS/V)(GSDSoffGSUUUID/mAUDS/VOUGS=0V-1-2-3-4-5-6-7V8)(offGSU预夹断轨迹恒流区击穿区可变电阻区漏极特性也有三个区:可变电阻区、恒流区和击穿区。2.漏极特性UDSIDVDDVGGDSGV+V+UGS图7特性曲线测试电路+mA图8漏极特性场效应管的两组特性曲线之间互相联系,可根据漏极特性用作图的方法得到相应的转移特性。UDS=常数ID/mA00.511.5UGS/VUDS=15V5ID/mAUDS/V0UGS=00.4V0.8V1.2V1.6V101520250.10.20.30.40.5结型场效应管栅极基本不取电流,其输入电阻很高,可达107以上。如希望得到更高的输入电阻,可采用绝缘栅场效应管。图9在漏极特性上用作图法求转移特性绝缘栅型场效应管由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管,或简称MOS场效应管。特点:输入电阻可达109以上。类型N沟道P沟道增强型耗尽型增强型耗尽型UGS=0时漏源间存在导电沟道称耗尽型场效应管;UGS=0时漏源间不存在导电沟道称增强型场效应管。一、N沟道增强型MOS场效应管1.结构P型衬底N+N+BGSDSiO2源极S漏极D衬底引线B栅极G图10N沟道增强型MOS场效应管的结构示意图2.工作原理绝缘栅场效应管利用UGS来控制“感应电荷”的多少,改变由这些“感应电荷”形成的导电沟道的状况,以控制漏极电流ID。工作原理分析(1)UGS=0漏源之间相当于两个背靠背的PN结,无论漏源之间加何种极性电压,总是不导电。SBD图11(2)UDS=0,0UGSUGS(th)P型衬底N+N+BGSDP型衬底中的电子被吸引靠近SiO2与空穴复合,产生由负离子组成的耗尽层。增大UGS耗尽层变宽。VGG(3)UDS=0,UGS≥UGS(th)由于吸引了足够多的电子,会在耗尽层和SiO2之间形成可移动的表面电荷层——N型沟道反型层、N型导电沟道。UGS升高,N沟道变宽。因为UDS=0,所以ID=0。UGS(th)为开始形成反型层所需的UGS,称开启电压。(4)UDS对导电沟道的影响(UGSUGS(th))导电沟道呈现一个楔形。漏极形成电流ID。b.UDS=UGS–UGS(th),UGD=UGS(th)靠近漏极沟道达到临界开启程度,出现预夹断。c.UDSUGS–UGS(th),UGDUGS(th)由于夹断区的沟道电阻很大,UDS逐渐增大时,导电沟道两端电压基本不变,ID因而基本不变。a.UDSUGS–UGS(th),即UGD=UGS–UDSUGS(th)P型衬底N+N+BGSDVGGVDDP型衬底N+N+BGSDVGGVDDP型衬底N+N+BGSDVGGVDD夹断区DP型衬底N+N+BGSVGGVDDP型衬底N+N+BGSDVGGVDDP型衬底N+N+BGSDVGGVDD夹断区图12UDS对导电沟道的影响(a)UGDUGS(th)(b)UGD=UGS(th)(c)UGDUGS(th)3.特性曲线(a)转移特性(b)漏极特性ID/mAUDS/VO)(GSthGSUU预夹断轨迹恒流区击穿区可变电阻区UGSUGS(th),ID=0;UGS≥UGS(th),形成导电沟道,随着UGS的增加,ID逐渐增大。2)(GSDOD)1(thGSUUII(当UGSUGS(th)时)三个区:可变电阻区、恒流区(或饱和区)、击穿区。UGS(th)2UGS(th)IDOUGS/VID/mAO图13图14二、N沟道耗尽型MOS场效应管P型衬底N+N+BGSD++++++制造过程中预先在二氧化硅的绝缘层中掺入正离子,这些正离子电场在P型衬底中“感应”负电荷,形成“反型层”。即使UGS=0也会形成N型导电沟道。++++++++++++UGS=0,UDS0,产生较大的漏极电流;UGS0,绝缘层中正离子感应的负电荷减少,导电沟道变窄,ID减小;UGS=-UGS(off),感应电荷被“耗尽”,ID0。UGS(off)称为夹断电压图15N沟道耗尽型MOS管特性工作条件:UDS0;UGS正、负、零均可。ID/mAUGS/VOUGS(off)(a)转移特性IDSS图1.4.15MOS管的符号SGDBSGDB(b)漏极特性ID/mAUDS/VO+1VUGS=03V1V2V43215101520图16特性曲线场效应管的主要参数一、直流参数1.饱和漏极电流IDSS2.夹断电压UGS(off)/开启电压UGS(th)3.直流输入电阻RGS输入电阻很高。结型场效应管一般在107以上,绝缘栅场效应管更高,一般大于109。二、交流参数1.低频跨导gm2.极间电容用以描述栅源之间的电压UGS对漏极电流ID的控制作用。常数DSGSDmΔΔUUIg单位:ID毫安(mA);UGS伏(V);gm毫西门子(mS)这是场效应管三个电极之间的等效电容,包括CGS、CGD、CDS。极间电容愈小,则管子的高频性能愈好。一般为几个皮法。三、极限参数1.漏极最大允许耗散功率PDM2.漏源击穿电压U(BR)DS3.栅源击穿电压U(BR)GS漏极耗散功率转化为热能使管子的温度升高。当漏极电流ID急剧上升产生雪崩击穿时的UDS。场效应管工作时,栅源间PN结处于反偏状态,若UGSU(BR)GS,PN将被击穿,这种击穿与电容击穿的情况类似,属于破坏性击穿。种类符号转移特性漏极特性结型N沟道耗尽型结型P沟道耗尽型绝缘栅型N沟道增强型SGDSGD+++oSGDBUGSIDOUT表1-2各类场效应管的符号和特性曲线+UGS=UTUDSID+++OIDUGS=0VUDSOUGSIDUPIDSSOUGSID/mAUPIDSSO种类符号转移特性漏极特性绝缘栅型N沟道耗尽型绝缘栅型P沟道增强型耗尽型IDSGDBUDSID_UGS=0+__OIDUGSUPIDSSOSGDBIDSGDBIDIDUGSUTOIDUGSUPIDSSO__o_+_o+

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