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1练习题1（二极管的单向导电性）一、判断题：1、晶体二极管加一定的正向电压时导通。（）2、晶体二极管加一定的反向电压时导通。（）3、晶体二极管具有单向导电性。（）二、选择题：1、如果二极管的阳极电位为1.5V，阴极的电位为0.8V，二极管将会（）。A导通B截止C烧坏二极管D无法确定2、晶体二极管的阳极电位是—7V，阴极电位是—5V，该晶体二极管处于（）。A正偏B反偏C零偏D无法确定3、半导体二极管加正向电压时，（）A、电流大电阻小B、电流大电阻大C电流小电阻小D、电流小电阻大三、如右图所示，哪个灯亮？为什么？练习题2（PN结）一、判断题：1、当晶体二极管的PN结导通时，参加导电的是多数载流子。（）2、本征半导体就是不加杂质的纯净半导体。（）3、在硅单晶体中加入微量的硼元素可得到P型硅。（）4、N型半导体中空穴是多数载子，自由电子是少数载流子。（）5、晶体二极管内部有一个具有单向导电性的PN结。（）6、二极管的正极从N型区引出，负极从P型区引出。（）7、在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（）二、选择题：1、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为（）。A本征半导体BP型半导体CN型半导体D无法确定2、（）又称为空穴型半导体。A本征半导体BP型半导体CN型半导体D无法确定3、（）又称为电子型半导体。A本征半导体BP型半导体CN型半导体D无法确定4、（）内部空穴数量多于自由电子数量。A本征半导体BP型半导体CN型半导体D无法确定L1L2V1V225、（）内部自由电子是多数载流子。A本征半导体BP型半导体CN型半导体D无法确定练习3（二极管的伏安特性）一、判断题：1、二极管两端只要加正向电压就一定导通。（）2、晶体二极管的正向电压小于门坎电压时，二极管呈现电阻很大仍处于截止状态。（）3、晶体二极管的反向电压增加到某一数值时，反向电流会突然急剧增大，这种现象称为反向电击穿。（）4、晶体二极管击穿后立即烧毁。（）5、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极小，当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。（）二、填空题：1、硅管的截止电压为，锗管的截止电压为。硅管的导通电压为，锗管的导通电压是。三、选择题：1、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的区，而且所受的正向电压小于其门槛电压时，二极管相当于（）A小阻值电阻B断开的开关C闭合的开关D不确定2、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（）。A减小B增大C不变D不确定3、当硅晶体二极管加上0.4V的正向电压时，该晶体二极管相当于（）A小阻值电阻B断开的开关C闭合的开关D被烧毁4、如果把二极管的阳极接到1.5V电源的正极，把阴极接到电源的负极，将会（）。A导通B截止C烧坏二极管D无法确定5、二极管导通时其两端所加的是（）电压。A正向B反向C击穿D门坎6、当二极管两端正向电压大于（）电压时，二极管才能导能。A门坎B截止C死区D导通7、二极管两端的反向电压增大时，在达到（）电压之前，通过的电流很小。A门坎B导通C最大D击穿8、二极管两端的正向电压小于（）电压时，二极管仍然处于截止状态。A门坎B导通C最大D击穿9、二极管两的反向电压小于反向击穿电压时，二极管中的电流称为（）电流。A反向饱和B反向击穿C导通D死区10、二极管两的反向电压大于反向击穿电压时，二极管中的电流称为（）电流。A反向饱和B反向击穿C导通D死区3练习题4（二极管的测试）一、判断题：1、万用表的红表笔接内电源的正极。（）二、选择题：1、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（）挡。AR×100Ω或R×1kΩBR×10ΩCR×10kΩDR×1Ω2、测试一个正常的二极管，将万用表的红黑表笔分别接二极管的两端，若测得电阻很小，则（）表笔所接的是二极管正极。A红B黑C不确定3、用万用表测试二极管时，若两次测得的都很小表明（）A二极管正常B二极管内部短路C二极管内部断路D不确定4、用万用表测试二极管时，若两次测得的都很大表明（）A二极管正常B二极管内部短路C二极管内部断路D不确定5、用万用表测试二极管时，若一次测得的电阻值很大，一次测得的电阻值很小表明（）A二极管正常B二极管内部短路C二极管内部断路D不确定练习题5（二极管的分类、型号和参数）一、判断题：1、最大整流电流IFM是二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。（）2、最高反向工作电压VRM是二极管允许承受的反向工作电压平均值。（）3、反向漏电流IR是在规定的反向电压和环境温度下测得的二极管反向电流值。（）4、反向漏电流值越大，二极管单向导电性能越好。（）5、通常标定的最高反向工作电压是反向击穿电压的一半或三分之一。（）6、二极管工作时的正向电流平均值不能超过最大整流电流，否则二极管会被损坏。（）二、选择题：1、面接触型晶体二极管比较适用于（）A小信号检波B大功率整流C大电流开关D稳压2、点接触型晶体二极管比较适用于（）A小信号检波B大功率整流C大电流开关D稳压3、一个二极管上标有“2CW50”字样，该二极管是（）材料。A锗B硅C不确定4、一个二极管上标有“2CW50”字样，该二极管是什么类型的？（）A普通管B微波管C稳压管D参量管三、画电路图符号：普通二极管稳压二极管发光二极管光敏二极管变容二极管4练习题6（单相半波整流电路）一、填空题：1、利用（）把单相交流电转换成直流电的电路称为二极管单相整流电路。2、（）的电压和电流称为脉动直流电。二、选择题：1、把交流电转换为直流电的过程称为（）A整流B滤波C稳压D以上均不对2、单相半波整流电路负载两端电压的平均值与变压器二次电压有效值的关系是（）AVL=V2BVL=0.45V2CVL=0.9V2DVL=1.41V2三、判断题：1、半波整流二极管允许最大反向电压应大于随的反向峰值电压。（）2、流过半波整流二极管的正向工作电流等于流过负载的电流的一半。（）3、半波整流二极管截止时承受的反向峰值电压是变压器副线圈电压v2的最大值。（）四、画出半波整流电路图。若负载电阻为3kΩ，负载电流为10mA，求：⑴流过二极管的平均电流，⑵电源变压器的二次电压，⑶整流二极管承受的最大反向电压。练习题7（桥式整流电路）一、选择题：1、桥式整流电路负载两端电压的平均值与变压器二次电压有效值的关系是（）AVL=V2BVL=0.45V2CVL=0.9V2DVL=1.41V22、单相桥式整流电路中若有一个二极管内部短路，整流电路会出现什么现象？（）A正常工作B负载上只有半波信号C烧毁电路D负载上无电流3、单相桥式整流电路中若有一个二极管虚焊（断路），整流电路会出现什么现象？（）A正常工作B负载上只有半波信号C烧毁电路D负载上无电流4、单相桥式整流电路中若有一个二极管内部极性接反了，整流电路会出现什么现象？（）A正常工作B负载上只有半波信号C烧毁电路D负载上无电流二、判断题：1、桥式整流电路中每个二极管截止时承受的反向峰值电压是变压器副线圈电压v2的最大值。（）2、流过桥整流二极管的正向工作电流等于流过负载的电流的一半。（）三、画出半波整流电路图。若输出电压为1V，负载电流为5mA，求：⑴流过二极管的平均电流，⑵电源变压器的二次电压，⑶整流二极管承受的最大反向电压。5练习题8（滤波器）一、选择题：1、能把脉动直流电中脉动万分滤掉的电路称为（）A整流B滤波C稳压D以上均不对二、判断题：1、电容滤波电路中，电容器C的容量越大或负载电阻越大，电容器C放电越慢。（）2、电容滤波电路中，电容器C的容量越大或负载电阻越大，输出的直流电压就越平滑，并越接近V2的峰值。（）3、电容滤波电路适用于负载电流较大并经常变化的场合。（）4、电感滤波器适用于负载电流较小的场合。（）5、电感滤波器中电感器的电感量越大，滤波效果越坏。（）练习题9（硅稳压二极管稳压电路）一、选择题：1、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（）A、反向偏置击穿状态B、反向偏置未击穿状态C、正向偏置导通状态D、正向偏置未导通状态二、判断题：1、稳压二极管在反向击穿区两端电压变化量与通过电流变化量之比值叫做动态电阻。（）2、稳压二极管的动态电阻越小稳压性能越好。（）三、画出一个带有硅稳压二极管稳压电路的桥式整流滤波电路，并在电路中标出整流、滤波、稳压和负载四部分。练习题10（三极管）一、选择题：1、关于三极管下列说法中正确的是（）A发射区掺杂浓度较小B基区很薄，掺杂多C集电区比发射区体积小且掺杂少D以上说法均不对2、三极管内有（）个PN结。A1B2C3D43、下列是共发射极接法的是（）二、判断题：61、三极管就是两个PN结的简单组合，它可以用两个二极管代替。（）2、三极管的发射极和集电极可以颠倒使用。（）三、画出NPN型和PNP型三极管的电路图符号。练习题11（三极管的电流分配）一、选择题：1、下列说法错误的是（）A三极管的反向饱和电流ICBO是发射极开路时集电结的反向电流B三极管的穿透电流ICEO基极开路时，集电极与发射极之间的电流CICEO会随温度的升高而增大DICEO越大说明三极管的温度稳定性越好2、已知三极管的β=100，若IB=10μA，则该管的IC=（）（忽略ICEO）A10μAB1mAC1.01mAD03、已知三极管的β=50，若IB=2mA，则该管的IE=（）（忽略ICEO）A40μAB2mAC2.04mAD0二、判断题：1、当三极管的IB有一个微小变化时，就能引起IC较大的变化。（）2、三极管中电流分配关系是IE=IC+IB。（）3、一般情况下，三极管的电流放大系数随温度的增加而变大。（）4、已知某三极管的射极电流IE=1.36mA，集电极电流IC=1.33mA，则基极电流IB=30μA。（）5、某三极管的IB=10μA时，IC=0.44mA；当IB=20μA时，IC=0.89mA，则它的电流放大系数β=45。（）练习题12（三极管的工作状态）一、选择题：1、三极管工作在放大区的条件是（）A发射结加正向电压，集电结加反向电压B发射结和集电结都要加正向电压C发射结加反向电压，集电结加正向电压D发射结和集电结都要加反向电压2、三极管工作在饱和区的条件是（）A发射结加正向电压，集电结加反向电压B发射结和集电结都要加正向电压C发射结加反向电压，集电结加正向电压D发射结和集电结都要加反向电压3、三极管工作在截止区的条件是（）A发射结加正向电压，集电结加反向电压B发射结和集电结都要加正向电压C发射结加反向电压，集电结加正向电压D发射结加反向电压或两端电压为零4、PNP型三极管三只管脚的电位关系为VB＞VC＞VE，则三极管工作在（）区。A截止B放大C饱和D无法确定5、PNP型三极管三只管脚的电位关系为VE＞VB＞VC，则三极管工作在（）区。A截止B放大C饱和D无法确定6、PNP型三极管三只管脚的电位关系为VE＜VB＜VC，则三极管工作在（）区。7A截止B放大C饱和D无法确定7、NPN型三极管三只管脚的电位关系为VB＞VC＞VE，则三极管工作在（）区。A截止B放大C饱和D无法确定8、NPN型三极管三只管脚的电位关系为VE＞VB＞VC，则三极管工作在（）区。A截止B放大C饱和D无法确定9、NPN型三极管三只管脚的电位关系为VE＜VB＜VC，则三极管工作在（）区。A截止B放大C饱和D无法确定10、三极管的两个PN结都反偏时，三极管处于（）状态。A截止B放大C饱和D无法确定11、用万用表测得NPN型三极管各电极对地的电位是VB=4.7V，VC=4.3V，VE=4V则该三极管的工作状态是（）A截止B放大C饱和D无法确定12、若三极管各电极对地的电位是VB=-2.3V，VC=-7V，VE=-2V，则该三极管的工作状态是（）A截止B放大C饱和D无法确定13、若三极管VBE＞0，VBE＜VCE，则该三极管的工作状态是（）A截止B放大C饱和D无法确定二、判断题：1、对于NPN型三极管，当VBE=0时，VBE＞VCE，则该管的工作状态是饱和状态。（）练习题13（三极管的输入和输出特性）一、选择题1、硅三极管的饱和压降为（）。A0.1VB0.3VC0.5VD0.7V