常用电子器件

第一讲常用电子器件1、电阻的单位：国际单位为欧姆（Ω）。常用单位有：MΩ,KΩ,mΩ,µΩ.2、电阻按材料分可分成以下几类：a、碳膜电阻b、金属膜电阻1.1电阻1常用电子半导体器件c、绕线电阻d、水泥电阻B.标准功率：W,W,W,W,1W,2W,5W,50W,100W.C.精度：（1%，5%）绕线电阻有0.1%精度1.0，1.2，1.5，1.8，2.0，2.2，2.4，2.7，3.0，3.3，3.6，3.9，4.3，4.7，5.0，5.1，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2，9.10。116181412A.标称阻值。如：1Ω，10KΩ.1.2电容器1.电容器的符号2.电容单位3.电容器分类：a、瓷片电容，有高压低压之分，高压瓷片可做成几万伏耐压。b、CBB电容（金属化薄膜电容，高低压均有）6361101010uFFnFpFc、独石电容d、钽电容e、铝电解电容贴片元器件贴片钽电容贴片铝电解电容电容穿心电容4、电容元件的主要技术参数a、标称容量,如:电解电容100µF/25V,1.0，1.2，1.5，1.8，2.2，2.7，3.3，3.6，3.9，4.2，4.7，5.6，6.2，6.8，7.5，8.2。例：CBB电容2700pF/63V、272J(K)b、耐压：6.3V,10V,16V,25V,35V,50V,63V,100V,160V,250V,400V,450V,630V,1000V,1250V,2KV,3KV,5KV,10KV。c、精度：±5%(J级)±10%(K级)，±20%(M级)电解电容允许误差。d、损耗角：tgδe、串联等效电阻：ESR高频电路或开关电源中这两个参数很重要f、最大脉动电流：400V/10µF/280mAg、寿命：普通电容（CD11系列）寿命1000小时/85°下，工作温度每降低10°C，电解电容寿命增加一倍。每增加10°C，寿命减少一倍。h、漏电流：I=0.02CV+25µA、如：400V/10µF电容I=105µA•1.3电感•1、符号•空芯电感有铁芯电感2、分类：a、色码电感：（空芯电感，容量小，只有µH级）b、高频（铁氧体芯）电感：可做µH、mH级，非线性元件，电感量随工作频率而改变。c、低频（矽钢片）电感：可做mH级。3、单位（亨利）4、参数a、标称容量：（mH）b、额定电流：（载流能力）0.5A，1A。c、额定电压：高压应用场合，要考虑耐压问题。d、损耗：铁损：磁损耗，随频率的增加而大幅度增加铜损：漆包线电阻损耗3611010HmHuH1.4、三极管1、符号2、分类按材料分：a、硅管（PN结压降：0.7V）b、锗管（PN结压降：0.3V）3、主要技术指标：a、电流放大系数：β注意β标志：F标志β：50-70G标志β：70-90H标志β：100-120I标志β：120-150*管子耐压越高，额定工作电流（ICM）越大，则β越小。例:MJE13005，500V/5A，β:15-35之间S8050，45V/1A，β:70-200之间b、反向击穿电压：Ucbo(发射极开路)Uebo（集电极开路）Uceo（基极开路）c、集电极最大允许电流ICMd、集电极最大允许耗散功率PCMPc=Ic×Uce耗散功率与环境温度和散热条件有关（RoJ），手册上一般给出环境温度为20℃时PCM值。e、截止频率：共射极截止频率fb,定义为β降低到0.707倍时的频率称为fb三个参数中选最小一个为晶体管击穿电压，一般为Uebo4、封装形式：1.功率MOSFET的结构1.5功率场效应晶体管结构特点N+GSDP沟道b)N+N-SGDPPN+N+N+沟道a)GSDN沟道图1-19图1-19电力MOSFET的结构和电气图形符号2、MOS管特点a、电压控制元件，输入阻抗高。b、导通电阻Ron大.c、工作频率高（对功率器件而言）d、是一种元细胞集成器件,适合并联e、DS极之间内部寄生二极管3、主要技术指标：a、额定电压Uds,它主要由VMOS管的漏源击穿电压U(BR)DS决定b、最大漏极电流Idmax(标称MOS管电流额定参数)c、阀值电压Ugs(th)(又称门极开启电压)d、导通电阻：Rone、最高工作频率fm:Uds作用下，电子从源区（S）通过沟道到漏区所需要的时间f、开通时间和关断时间：开通和关断时间越大,则MOS管开关损耗越大.g、极间电容输入电容：Ciss=CGS+CGD输出电容：Coss=CDS+CGD5、常用MOS器件：2N700060V/0.2AIRFD01460V/1.7AIRFD210200V/0.6AIRFD110100V/1.0AIRF530100V/15AIRF630200V/9AIRF730400V/5.5AIRF830500V/4.5AIRF840500V/8AIRFBF20900V/1.7AIRFBF30900V/3.6A