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纲目纲目概述Á概述À封装À主要功能À主要功能Á设计建议À走线规则设置ÀLayout建议¿RF¿PMUMCP¿MCP¿Audio¿Peripheralequipments:CameraLCMUSBT-flashMT6620(BT/FM/WIFI/GPS)Camera,LCM,USB,Tflash,MT6620(BT/FM/WIFI/GPS)¿ESD¿Other2012/4/160纲目纲目概述Á概述À封装À主要功能À主要功能Á设计建议À走线规则设置ÀLayout建议¿RF¿PMUMCP¿MCP¿Audio¿Peripheralequipments:CameraLCMUSBT-flashMT6620(BT/FM/WIFI/GPS)Camera,LCM,USB,Tflash,MT6620(BT/FM/WIFI/GPS)¿ESD¿Other2012/4/161MT6573芯片外形尺寸图MT6573芯片外形尺寸图2012/4/162MT6573MT6573管脚分布图管脚分布图管脚分布管脚分布2012/4/163主要功能主要功能Processor:Multimedia:Processor:ÁARM11,650MHzModem:QuadBandGSM/EDGEoperationMultimedia:ÁSupports8MPcamera/MIPIcameraÁSupports2LCDsÁ24-bitparallel/MIPILCMinterfaceÁQuad-BandGSM/EDGEoperationÁQuad-BandWCDMA-FDD/HSDPA/HSUPA(Release6)IttiÁLCDresolutionuptoFWVGA(854×480)Connectivity:ÁBTwithA2DPIntegration:ÁBasebandÁPMUÀIntegrates12LDOs,5bucksÁBTwithA2DPÁDedicatedaudiochannelforFMÁWIFIÁGPSMemory:ÁNANDbootingStLPDDRÁIrDAÁSupports2SIMsÁUSB2.0HS(480Mbps)/FS/LSÁMP3/MP4ÁSupportsLPDDRÁ4SDIOinterface2012/4/164纲目纲目概述Á概述À封装À主要功能À主要功能Á设计建议À走线规则设置ÀLayout建议¿RF¿PMUMCP¿MCP¿Audio¿Peripheralequipments:CameraLCMUSBT-flashMT6620(BT/FM/WIFI/GPS)ATVCamera,LCM,USB,Tflash,MT6620(BT/FM/WIFI/GPS),ATV¿ESD¿Other2012/4/165走线规则设置Á最小线宽/线距:芯片内部的每一层都是3/3mil，芯片外部是4/4mil。Á孔类型:ÀBlindViaÎ4/12milÀBlindViaÎ4/12milÀBuriedViaÎ10/18milÀThroughViaÎ12/20mil6层板层定义:Á6层板层定义:Layer1:主元件/信号线/地Layer2:信号层Layer3:主地层信线信Underchip芯片内部Layer4:信号层（阻抗线、重要信号）Layer5:信号层Layer6:元件/信号线/地Outofchip芯片外部8层板层定义:Layer1:主元件/信号线/地Layer2:信号层Layer3:主地层芯片外部Layer4:信号层（阻抗线、重要信号）Layer5:地层Layer6:信号层Layer7:信号层Layer8:元件/信号线/地2012/4/166Layer8:元件/信号线/地层定义六层板（不建议）:主元件放在top层，第三层为主地层。优点：成本低；缺点：走线较困难，布板面积较大，性能有风险。八层板（强烈建议）：主元件放在top层第三/五层为主地层义八层板（强烈建议）：主元件放在top层，第三/五层为主地层。优点：好走线，布板面积小，性能有保障；缺点：成本高于六层板。Layer1Layer2Layer3Layer4Layer5Layer6Layer1Layer2Layer3Layer4Layer5Layer6Layer7Layer82012/4/1672012/4/16Copyright©MediaTekInc.Allrightsreserved7MT6573MT6573FanoutFanout方式方式最外面第一和第二圈的球从第一层出线。大部分第三到第五圈的球从第二层出线，盲孔一般打在焊盘正中。局部第五圈和大部分第六圈的球需要通过盲孔+埋孔从内层出线；同时请注意调整埋孔的位置从而保证在主地层有良好的地通道在主地层有良好的地通道。2012/4/168参考板的PlacementMIC(BT/GPS/WIFI)AntennaAudioJackMaincameraMICReceiverMT6620MT5192(ATV)SubcameraSpeakerMT6620(FM/BT/GPS/WIFI)MCPSIMMT6573SDcardMT6162BatteryLCMDebugyconnMiniUSBLCMRF/FMMIC2012/4/169AntennaMIC走线规则(RF1/6)1)Duplexer/SAW&RXMatching要靠近LNA(MT6162)摆放；2G/3GPA尽量远离LNA；ThermalSensor靠近3GPA摆放。2)所有的RF信号线都要做好阻抗控制，TX/PDET/CPL(单端50Ω)和RX(单端50Ω或差分100Ω)，一般L1参考L3,L4参考L3&L5。为了达到良好的阻抗控制，尽量加大RF信号与同层的地的距离（间距最好不小于一倍线宽），包括信号焊盘与地的距离。3)RF屏蔽框内也要铺地不需要挖空屏蔽框上尽量多打地孔连到主地层屏蔽框内外沿建议隔开周围的地3)RF屏蔽框内也要铺地，不需要挖空；屏蔽框上尽量多打地孔连到主地层；屏蔽框内外沿建议隔开周围的地。RX差分100Ω从MT6162到匹配元件这段参信号的地铜面元件这段，参考L2RF信号的pad地铜面RX差分100Ω从匹配元件开始，参考L32012/4/1610走线规则(RF2/6)4)26MHz晶振下方要看到完整的地，不需要像晶体那样把焊盘下方的地挖空。5)晶振输出的26MHz信号线以及SYSCLK26MHz信号线请务必上下左右包地。2012/4/1611走线规则(RF3/6)6)以下信号需要上下左右包地，其中I/Q信号的TX和RX之间务必要隔离。PCBNETNAMEICBallNameUMTSRXIPDLIPUMTSRX_IPDL_I_PUMTSRX_INDL_I_NUMTSRX_QPDL_Q_PUMTSRXQNDLQN___GSM_UMTSTX_IPUL_I_PGSM_UMTSTX_INUL_I_NGSM_UMTSTX_QPUL_Q_PGSM_UMTSTX_QNUL_Q_NVAPCAPCAFCAFC3G_TX_VGAVGAW_PA_VBAVB2012/4/1612走线规则(RF4/6)RX的地7)双工器注意事项（一）：a.尽量加大双工器地pin的铺地范围；bANTi对应的匹配元件的地要远离RX端的地AntANT的地b.ANTpin对应的匹配元件的地要远离RX端的地;RX1TXRX2ANT的地2012/4/1613走线规则(RF5/6)7)双工器注意事项（二）：c.ANT\RX\TX的出线方向尽量垂直，不能平行；dANT\RX\TX这三路信号之间要用地隔离好地孔尽量整齐排列成直线以便达到良好的隔离效果d.ANT\RX\TX这三路信号之间要用地隔离好，地孔尽量整齐排列成直线，以便达到良好的隔离效果。L1-8ViaL2-7ViaAntL2-7ViaL1-2ViaAntRX1RX2TXRX1RX2TX2012/4/1614走线规则(RF6/6)8)U31是VPA的地，需要与其周围的地隔开，单独。连到VPA的输入电容C308的地pin上，然后再远离BB下到主地，以免干扰周围的关键信号(USBGND)()2012/4/1615走线规则(ABB&PMU1/9)1)电容C363,C313,C372,C301必须优先靠近MT6573。2012/4/1616走线规则(ABB&PMU2/9)2)PinAJ22和AK22分别是AVSS12N环路的输入和输出，所以信号必须从AJ22出来，经过了C313之后再回到AK22，走线越宽越好（尽量保持8mil线宽以上）。此外AJ24最好先连接到的地上再起单点下主地接到C313的地pin上，再一起单点下主地。2012/4/1617走线规则(ABB&PMU3/9)3)AK18/AJ18一定要和AK17连接的下地电容的接地pin做单点下地。4)AH17和AL20不能直接相连，必须经过对应的外部滤波电容再相连。2012/4/1618走线规则(ABB&PMU4/9)5)VBAT必须按照星型走法，从电池连接器分别拉到各个主干上。BatteryconnectorVBAT=RF(60~80mil)VBAT=Digital/Analog(≥40mil)VBAT=Charging(≥40mil)ForDigital/Analog6)VBAT上的齐纳二极管要靠近电池连接器，所有的VBAT信号都希望被该齐纳二极管保护，齐纳二极管的接地pin需要多加管保护，齐纳极管的接地p需要多加地孔。ForRF2012/4/1619走线规则(ABB&PMU5/9)7)MT6573PMU模块在VBAT供电的时候，一定要注意线宽和星形走线。AVDD43_VCORE/VIO1V8/VPA/VPROC的线宽一定要大于15mil（换层的尽量2个盲孔）；AVDD43VRF/VCAMA/VD1/VD2/VF18的线宽一定要大于10mil。AVDD43_VRF/VCAMA/VD1/VD2/VF18的线宽定要大于10mil。8)W29/AC29/V29/Y29这4个下地点，尽量多打VIA1-2的孔接地，以保证接地性能。2012/4/1620走线规则(ABB&PMU6/9)9)VRF_S是VRF的反馈信号,所以VRF_S必须从VRF的滤波电容端拉回到pinAH30，线宽走4mil即可。VRFVRF_S2012/4/1621走线规则(ABB&PMU7/9)走线规则(ABB&PMU7/9)10）DC-DC走线的反馈信号线一定要从滤波电容pad处拉回来，4mil线宽即可。滤波电容VDD18_SWVDD18_FB2012/4/1622走线规则(ABB&PMU8/9)11)BATSNS&ISENSE是用于充电检测，必须以差分形式从IC走到Rsense两端，最好上下左右包地，如果不能做到至少要左右包地，上下避免与电源线平行。12)如果使用电池容量侦测功能FGN/FGP需要走差分线形式连接到电池负端的检测电阻12)如果使用电池容量侦测功能，FGN/FGP需要走差分线形式，连接到电池负端的检测电阻两端，上下左右包地，如果不能做到，至少左右包地，上下避免与电源线平行。2012/4/1623走线规则(ABB&PMU9/9)13)电源信号根据其负载电流决定走线的宽度，空间允许的情况下尽可能加宽，特别是VPROC/VCORE。需要保证VPROC:≥20mil；VCORE:≥20mil。越宽越好换层的VPROC/VCORE越宽越好，换层的时候尽可能多打孔，建议盲孔做到3个以上，埋孔2个以上。VPROC的滤波电容一定要尽量靠VPROC的滤波电容定要尽量靠近IC输入端L26PIN。VCORE的滤波电容也需要优先靠近IC。¾VPROC/VCORE/VRF18/VIO18靠近电感前后的走线一定要求大于20mil，尽量加宽。¾VSIM1/VSIM2/VUSB/VCAMA2/VCAMD/VCAMD2线宽大于6mil。¾VMC/VIBR线宽大于10mil。2012/4/1624走线规则(Memory1/2)1)BB和Memory各自的滤波电容尽量靠近各自balls摆