模电第二章(习题)

（1）在本征半导体中加入元素可形成N型半导体，加入元素可形成P型半导体。A.五价B.四价C.三价（2）当温度升高时，二极管的反向饱和电流将。A.增大B.不变C.减小判断下列说法是否正确（1）在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（）（2）因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（）（3）PN结在无光照、无外加电压时，结电流为零。（）ACA√√×模电第二章习题1、杂质半导体中少数载流子浓度（）本征半导体浓度。Ａ、大于Ｂ、等于Ｃ、小于２、在室温附近，温度升高，杂质半导体中（）浓度明显增加。Ａ、载流子Ｂ、多数载流子Ｃ、少数载流子３、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（），而少数载流子浓度同与（）有很大关系。A、温度B、掺杂工艺C、杂质浓度D、晶体缺陷CACC4、当PN结外加正向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。当PN结外加反向电压时，扩散电流（）漂移电流，耗尽层（）。Ａ、大于Ｂ、等于Ｃ、小于D、变宽E、变窄F、不变5、用万用表的R×100档测某二极管的正向电阻阻值为500Ω,若用万用表的R×1K档测同一二极管,则其正向电阻阻值()A、增加Ｂ、不变Ｃ、减小Ｄ、不能确定ＡＣＤＥＡ６：二极管：死区电压=0.5V，正向压降＝0.7V(硅二极管)理想二极管：死区电压=0，正向压降=0RLuiuOuiuott二极管半波整流７：二极管的应用RRLuiuRuotttuiuRuo８.二极管的应用:桥式整流9：稳压二极管的应用RLuiuORDZiiziLUZ稳压二极管技术数据为：稳压值UZW=10V，Izmax=12mA，Izmin=2mA，负载电阻RL=2k，输入电压ui=12V，限流电阻R=200。若负载电阻变化范围为1.5k~4k，是否还能稳压？RLuiuORDZiiziLUZUZW=10Vui=12VR=200Izmax=12mAIzmin=2mARL=2k(1.5k~4k)iL=uo/RL=UZ/RL=10/2=5（mA）i=（ui-UZ）/R=（12-10）/0.2=10（mA）iZ=i-iL=10-5=5（mA）RL=1.5k,iL=10/1.5=6.7（mA）,iZ=10-6.7=3.3（mA）RL=4k,iL=10/4=2.5（mA）,iZ=10-2.5=7.5（mA）负载变化,但iZ仍在12mA和2mA之间,所以稳压管仍能起稳压作用10、如图10-1(a)(b)所示，设硅稳压管Dz1、Dz2的稳定电压分别为5V和8V，正向压降均为0.7V，求图中各电路的输出电压Vo。图题10-1(a)图题10-1(b)11、V1=15V，下图示电路输出电压V2的值是。12.设二极管是理想的，分析图中各二极管的导通或截止情况，并求AO两端的电压UAO。+VD-D5VR=3KΩ12VA+O-解分析方法：先将要分析的二极管断开，求VDVD=(-5V)-(-12V)=7V0所以二极管导通VAO=-5VD1D23V2K5VA+O-解分析方法：如果电路中有两个二极管，则先将不分析的二极管所在的支路断开，再按前面所学的方法分析。但VD1VD2管压降大的管子优先导通,二极管D2先导通从而导致二极管D1截止VAO=-3VVD1=5V0所以二极管D1导通VD2=5V-(-3V)=8V0所以二极管D2导通13设二极管是理想的，分析图中各二极管的导通或截止情况。解分析方法：先将要分析的二极管断开，求VDＢ+_+15VＤＡ10V18KO25K140K10K2K5KVVKKVA115)10140(10VVKKVKKVVVOBOB5.115)525(5)10()218(2因为VBVA所以D截止.作业：P602.4.32.4.10