3-存储器与并行口

8051单片机的存储器8051的存储器采用哈佛结构：程序存储器（ROM）和数据存储器（RAM）分别是两个存储空间。存储器与存储空间存储空间由一组连续的地址决定存储空间空间的大小由地址位数决定216=65536=64KB28=256Byte程序存储器选择：16位地址总线、PSEN数据存储器选择：16位地址总线、WR、RD8051总线组成程序存储器片外扩充程序存储器片内程序存储器0000H0FFFHFFFFHEA=01数据存储器0000HFFFFH外扩数据存储器及I/O接口片内RAM及特殊功能寄存器00H7FH80HFFHRAMSFR8052RAM内RAM00H-07H08H-0FH10H-17H18H-1FH20H2FH30H7FH8051内RAM为128Byte其中包括00H-1FH四组工作寄存器20H-2FH16字节128位位处理单元堆栈8051内RAM使用方便，但资源有限，所以使用时应精心分配。3区2区1区0区工作寄存器00H-1FH分为四组工作寄存器，由PSW中RS1、RS0选择。RS1RS0000区工作寄存器011区工作寄存器102区工作寄存器013区工作寄存器寄存器编号：R0—R7位处理单元20H21H22H2DH2EH2FH000102030405060708090A0B0C0D0E0F7F7E7D7C7B7A7978D0D7堆栈8051堆栈只能设置在内RAM中复位时堆栈指针初值为07H8051堆栈的操作方式为(SP)+1SP数据入栈数据出栈(SP)-1SP栈区从08H开始一般应将栈区移至高端RAM如：MOVSP,5FH特殊功能寄存器SFR特殊功能寄存器包括ACCBSPPSWDPHDPL并行口串行口定时/计数器中断控制寄存器IEIP等特殊功能寄存器地址从80H-FFH特殊功能寄存器中凡地址能被8整除的单元都有位寻址功能8051单片机的并行I/O口8051有4个8位并行I/O口：P0P1P2P3并行I/O口是特殊功能寄存器（SFR）并行I/O口8051单片机有4个8位并行I/O口分别为：P0口80H可用于组成DB和AB低8位P1口90HP2口0A0H可用于组成AB高8位P3口0B0H第二功能用于中断、串行口、计数输入及外RAM读写控制P0口为双向I/O口可带8个LSTTL负载P1~P3口为准双向I/O口，输入之前应先写“1”，可带4个LSTTL负载各并行口复位状态均为0FFH对各并行口的读操作分为：读端口（MOVA,Px指令）读锁存器（读-修改-写指令）并行口P1~P3内有上拉电阻P1口结构DCLQQTP1.n引脚VCC读锁存器读引脚写锁存器内部总线内部上拉电阻P1.n锁存器P1口功能用作双向I/O口，内部带上拉电阻用于输入时，对应的输出锁存器应写“1”负载能力为4个LSTTL负载P0口结构DCLQQT2P0.n引脚VCC读锁存器读引脚写锁存器内部总线P0.n锁存器T1MUX地址/数据控制P0口功能外扩存储器或接口时，用于数据总线和地址总线低8位作输出口时需要外加上拉电阻用于输入时，对应的输出锁存器应写“1”负载能力为8个LSTTL负载P2口结构DCLQQTP2.n引脚VCC读锁存器读引脚写锁存器内部总线内部上拉电阻P2.n锁存器MUX地址控制P2口功能外扩存储器或接口时作地址总线高8位作输出口时内部带上拉电阻用于输入时，对应的输出锁存器应写“1”负载能力为4个LSTTL负载MCS-51总线组成P3口结构DCLQQTP3.n引脚VCC读锁存器读引脚写锁存器内部总线内部上拉电阻P3.n锁存器第2输出功能第2输入功能P3口功能P3为多功能端口，第二功能见表1.4作输出口时内部带上拉电阻用于输入时，对应的输出锁存器应写“1”负载能力为4个LSTTL负载P3口第二功能P3.0RXD串行口输入P3.1TXD串行口输出P3.2INT0外部中断0输入P3.3INT1外部中断1输入P3.4T0计数器0脉冲输入P3.5T1计数器1脉冲输入P3.6WR片外数据存储器写选通P3.7RD片外数据存储器读选通8051的工作方式CHMOS低功耗方式两种低功耗方式空闲方式掉电方式低功耗方式由PCON控制注意PCON不能位控电源控制寄存器PCON(87H)SMOD=“1”串行口波特率加倍GF1,GF0通用标志PD=“1”进入掉电方式（时钟停振）IDL=“1”进入空闲方式（内部时钟封锁）正常空闲掉电80C51(12MHz)5V16mA5V3.7mA2V50nASMODXXXGF1GF0PDIDL空闲方式进入：置PCON中IDL（D0）位为“1”空闲方式切断CPU内部时钟，中断逻辑，定时器，串行口继续工作，CPU内部状态保持原样。Vcc=+5V，电流3mA。退出：中断或硬件复位掉电操作方式正常工作时由VCC提供+5V电源，掉电时，内RAM中数据将丢失。8051可通过在RST/VPD端加备用电源，保护内RAM中数据。检测到掉电后，将需保护的数据送入内RAM中。掉电方式进入：置PCON中PD（D1）位为“1”掉电方式振荡器停振，Vcc电源仅保持内部RAM及SFR不变。Vcc=2V，电流仅为50A退出：硬件复位