硅太阳能电池工艺流程

硅太阳电池制备工艺制备工艺流程硅片清洗与去损去除表面损失和沾污硅片制绒形成表面陷光结构碱制绒与酸制绒硅片清洗与制绒00.10.20.30.40.50.60.730040050060070080090010001100Wavelength(nm)Reflectancesmoothtexture绒面减少反射的机理碱制绒各向异性腐蚀高质量的碱制绒均匀的金字塔高覆盖率-100%最佳金字塔(111)晶面间形成尖锐交角平均反射率在9%左右酸制绒是各向同性腐蚀使用HNO3和HF的混合液单晶和多晶硅都适用需要表面有缺陷和损伤可以与H2O,H3PO4,H2SO4等混合使用As-cutAlkaliAcidic酸制绒一般使用CF4等离子体轰击表面优点低温，环境影响小易单面制绒硅片应力小缺点成本当λ500nm时，QE降低RIE(反应离子刻蚀)制绒扩散方法沉积磷源在硅片表面高温加热磷扩散到硅基体中扩散过程需要折衷考虑的因素蓝光响应（死层）串联电阻金属接触电阻温度——杂质和应力等吸杂磷扩散边缘刻蚀去除边缘PN结，防止上下短路磷硅玻璃磷硅玻璃P型硅N型硅N型硅边缘刻蚀P型硅N型硅N型硅去磷硅玻璃去磷硅玻璃用HF酸把上下表面的磷硅玻璃去除串联电阻有时与刻蚀边结同时进行减反射膜减反射SiNxSiNx/SiOxAl2O3表面等离子体沉积深蓝色减反膜SiNx:H膜。折射率玻璃~1.5硅~3.4介质~2.2钝化作用最常用少子寿命较低的情况下，寿命提高对电池效率的影响比较明显少子寿命较高时，表面复合对效率影响更加重要为什么要钝化随着电池片的减薄，绝大多数硅片体寿命已经大于硅片厚度，提高少子寿命对电池性能的提高已经比较有限；同时，随着硅片厚度减薄，表面复合所占比重越来越大，表面钝化显得更加重要。低温快速热处理后，Si-SiNx界面态密度减少热处理前后Si-SiNx界面态密度随表面势的变化减反射膜的钝化作用PPECVD生长SiNx可钝化表面，低温快速热处理可进一步提高钝化效果2---SiHSiNHSiSiNH350-500℃，Si-H和N-H峰强均有下降600-800℃，峰强进一步降低H释放，钝化Si-SiNx界面的悬挂键H从界面处逸出快速热处理提高SiNx薄膜钝化的机理热处理前后SiNx的傅里叶红外谱背电极背电极的印刷在太阳电池背面丝网印刷印上引出电极浆料：银浆或银铝浆在太阳电池背面丝网印刷铝浆通过烧结和p型硅形成良好的接触形成铝背场高低结电场吸杂背电场背电场的印刷在太阳电池正面丝网印刷银浆，形成负电极正面电极有主栅线和副栅线组成主栅线副栅线前电极的印刷TheEnd