八位竞赛抢答器电子系统电路分析与设计

八位竞赛抢答器电子系统电路分析与设计崔本亮,张雷(473061):设计一种实用的八位的竞赛抢答器,为学习电子的人提供一种电路的分析和设计方法,采用了电路系统的分析方法对实用电子技术电路进行分析和设计,最终得出一种创新的应用型电路:电子;电路分析;抢答器;555定时器:TN710;TP368.1:B:1004-373X(2009)20-198-02AnalysisandDesignofEight-bitSPC-QLElectronicCircuitCUIBenliang,ZHANGLei(PhysicsandElectronicEngineeringCollege,NanyangNormalUniversity,Nanyang,473061,China)Abstract:Akindofpraticaleight-bitcontestingSPC-QLisdesigned,itprovidesanalysisanddesignmethodsforthepeoplewhostudyelectron.Thepraticalelectroniccircuitisdesignedbyusingtheanalysisofcircuitsystem,aninnovationofappliedcircuitisgiven.Keywords:electronics;analysisofelectriccircuit;SPC-QL;555timer:2009-03-160,2060(SSI)(MSI,LSI)(VLSI),,,()(LSIVSI,)(ASIC),,,,,,,,,,1(1),S0~S7(2)S,(3),,(4),(30s)/0,,,0.5s(5),,,,(6),,,,002(1)1:,/0,,,;/0,,,:198:,/0/0图1原理图(2)274LS148,S0~S7BCD,474LS279RS74LS48:,,;:S/0,RS0,40,74LS148S/0,,(S5),74LS148RS,Q1=1,74LS48,Q4Q3Q2=101,/50,Q1=1,74LS148=1,,,74LS148Q1=1,Q1=1,74LS148,,S/0,,,74LS192,3(555,74LS192,74LS48)图2电路图图3定时电路(3)555(555)4555,f0=1.43/[(R1+2R2)C],PR,PR,,,(4)(G1G274LS18),:¹/0,,;º,,;»,,,4,55,G1CP,G274LS1485:/0/0,374LS279Q1=0,G2,A=1,CP74LS192CPD,,,/01,G20,74LS148,¹,Q1=1,G2,A=0,CP,;,G21,74LS148,º,/00,G2=1,74LS148,,G1,CP,00,»74LS121图4报警电路图5时序电路(5),6:图6整体电路框图3(1);(2),1Hz,(下转第202页)19956200920307þüA,QgVgs=12V,AVDMOS20.25nC30.57nC,33.67%4VDMOS,TCAD(ISE),AVDMOS,,VDMOS,参考文献[1].VDMOS[J].,1999,27(3):42-48.[2],.VDMOS[J].,1994,24(2):132-135.[3],,,.VDMOS[J].,2007,30(3):783-786.[4],,.PSPICEMOSFET[J].,1996,17(4):289-293.[5]AnandaSRoy,ChristianCEnz,Jean-MichelSallese.Source-DrainPartitioninginMOSFET[J].IEEETrans.onElec.Dev.,2007,54(6):1384-1393.[6],,,.VDMOS[J].,1998,25(1):98-101.[7]RaymondJEHueting,ErwinAHijzen,AncoHeringa,etal.AGate-DrainChargeAnalysisforSwitchinginPowerTrenchMOSFETs[J].IEEETrans.onElectron.De-vices,2004,51(8):1323-1330.[8],,,.VDMOS[J].,2005,35(3):305-307.[9]HakimH,BolognesiD,DePestelF.IntegratedVDMOSTransistorwithReducedJFETEffect[A].Solid-StateDe-viceResearchConference[C].Montreux,2006.[10].PowerVDMOS[J].,2005,22(8):141-143.[11],.VDMOSFET[J].,2007,30(16):174-176.[12],.VDMOS[J].,2007,30(14):163-166.[13],,,.VDMOSFET[J].,2005,28(4):114-117.郭丽莎女,1982年出生,山东威海人,硕士研究生主要研究方向为功率器件夏洋男,1963年出生,研究员,博士生导师主要研究方向为微电子工艺及设备(上接第199页),,;(3);(4),,4,,,,参考文献[1].[M].:,2003.[2],.[M].:,2006.[3].[M].:,2007.[4].##[M].:,2000.[5].400[M].:,2003.[6].[J].,2007(15):128.[7].[J].,2006(Z1):85-87.[8].[J].,2003(4):16-17.[9],.[J].,2001(3):97-100.[10],.[J].,2005(4):11-13.崔本亮男,1962年出生,副教授主要研究方向为应用电工技术应用电子技术和通信技术202:VDMOS