器件制备基础

4.1制备过程1、清洗2、氧化3、扩散或离子注入4、光刻5、薄膜沉积1、清洗•常用硅片清洗液Ⅰ号液：配方：NH4OH:H2O2:H2O=1:1:5-1:2:7使用条件：805C，煮10分钟作用：去油脂，去光刻胶残膜，去金属离子和金属原子Ⅱ号液：配方：HCl:H2O2:H2O=1:1:6-1:2:8使用条件：805C，煮10分钟作用：去金属离子和金属原子Ⅲ号液：配方：H2SO4：H2O2=3：1使用条件：12010C，煮15分钟作用：去油脂，去腊，去金属离子和金属原子2、氧化•干氧：Si+O2=SiO2膜层致密，理想的Si-SiO2界面，生长速度慢•湿氧：Si+2H2O=SiO2+2H2生长速度快，膜层致密性较差2、氧化氧化系统的简单说明图2、氧化（100）面和（111）面SiO2的氧化生长曲线3、扩散基本工艺流程3、扩散4.5磷的液态源扩散示意图3、扩散扩散温度900-1200C。P源：POCl3,B源：BN，BO3一般分为预扩散和再扩散预扩散后：222)2(221102211011)2(),(2(,tDxetDtDNtxNtDxerfcNtxN再扩散后4、光刻（1）涂胶（2）坚膜（3）掩膜板（4）瀑光（5）显影负光刻胶：光照后发生聚合反应，难以去除正光刻胶：光照后，感光剂发生分解，容易去除。5薄膜沉积二、pn结二极管的制备二、pn结二极管的制备