原理图评审要素表

特别提示：责任人负责对全公司范围内使用次要素表产生的任何疑问、建议作出必要反馈维护责任人：维护责任部门：注1：“审查结果”为“否”需在“结论说明”中注明内容实例，结论为“免”需在结论说明中注明理由注2：根据具体情况，在审查结果中选择“是、否、免”其中一项，以便于主审人统计注3：在备注栏中标注“★”的为A类检视要素，任何一条不通过，检视将做不通过处理统计结果总数是总计710审查结果大类编号1234567891011121314151617181920电源开关电源的MOSFET的Vgs要充分考虑，寻找电源芯片Vgs的大小,并核对MOSFET手册中Vgs随温度变化以及Min值电源芯片反馈脚（FB）分压电阻是否使用1%精度的，非5%精度使用MOSFETRds（on）作为过流反馈电阻时，要充分考虑Rds（on)随温度，Vgs的变化而变化，一般Rds（on）会有50%以上的变化开关电源上下开关MOSFET的Gate级使用0ohm电阻串联，便于调整上下管开关波形，一般串联电阻要小于10ohm通用温度监控温度传感器数量是否满足要求（盒式设备1个、插框设备主控板2个、义务板1个；设备有多个温度薄弱点视成本决定传感器数量关注背板接口电路故障隔离设计，单板内器件失效是否不影响其他单板正常运行风扇后级存在反复充放电的电路，如风扇负载，是否避免使用钽电容，无法避免时钽电容要求降额30%以上单点故障发生导致单个风扇或某组风扇故障时，是否能保证在系统规格温度范围内设备的安全性（各器件温度＜最高温度-5℃）风扇保险丝建议使用慢熔型12V总线是否必要使用高分子电容，成本考虑，有些可以用铝电解电容替代系统中任意风扇/风扇框的故障是否不相互影响；最大程度减少多风扇同事停转情况，如风扇分组供电，重点关注风扇电路设计以及对应风扇插座位置风扇侧的FUSE，由于受感性充放电影响，其负载为特定频率电流，有资料表明受趋肤效应或InverseProximityeffect影响，电流需要进一步降额风扇电路中的驱动三极管是否选择得当，散热是否可以满足要求以及是否需加散热片开关电源注意输入侧电容波纹电流大小是否满足，输出侧电容注意容值是否满足，具体参考电源芯片手册评审要素小类硬件设计是否保证器件参数在规格范围内的参数漂移，影响参数漂移的主要因素包括寿命、温度、出厂精度等是否进行了简化设计，最大程度减少晶振、电源等器件的数量选用的器件是否进行了降额的考虑，并符合降额规范要求设备是否支持监控温度功能强迫风冷的设备是否支持风扇调速功能选用的温度传感器需要支持负温度显示原理图评审要素表空712122232425262728293031323334353637383940414243444546474849电容是否避免选用Z5U、Y5U介质的陶瓷电容器，如果选用了Z5U、Y5U介质陶瓷电容器时，需要确定其他电容量的大幅度漂移特性不会影响线路功能不同容量规格的片状电容并联进行滤波，如果并联电容容量都在0.01uF以下，需要确认相互电容容值相差是否不超过5倍，以避免并联谐振晶振选用是否满足对电源电压的要求，在+5V电路中要选+5V晶振，在+3.3V电路中要选+3.3V晶振，混用会造成晶振跳频、停振；电源电压纹波不得大于如果使用电解电容，请关注电解电容寿命电源时钟对于以太网接口的时钟，不要使用锁相环功能，具体锁相环功能/禁止参考器件手册注意晶振、频率驱动和对应器件的电平匹配，以前出现过频率驱动芯片3.3V时，时钟输入芯片2.5V的情况晶体注意两个管脚的电容是否合适一般为25uF，具体要参考晶体器件手册，该电容容值太小会引起晶体驱动增加降低可靠性，容值太大会引起晶体频率变慢晶体和时钟驱动电路是否使用磁珠隔离，并并联电容，电容容值选取对于双极型和MOSFET，要了解其工作状态，双极型在放大区，MOSFET在电阻区时，要关注功率降额和散热晶振、频率驱动芯片的电源输入侧使用LC滤波，L使用磁珠便于时钟稳定工作，同时减少对电源平面的EMI干扰晶振和对应驱动芯片的LC电路不要合用，分别LC滤波晶振NC管脚需要关注，以前有同一编码下此pin为Enable脚，需要上拉或下拉处理强制使用作参考电压的分压电阻是否选用1%精度且参数漂移小的电阻电源输入端子是否考虑防掉线设计，如交流电源线的卡钩和直流电源线的螺钉固定检测电源的器件其供电电源是否不受被检测电源故障的影响注意MOSFET不只有开关态，还有电阻态，当Vgs超出Vgsth不多时，其电阻会较大，此时需要关注功率降额、压降和散热电源上电顺序是否保证不会导致器件闩锁上电时总线上器件的输出信号状态是否可以避免总线冲突线形DC/DC电源的输出侧是否考虑电容ESR的大小，不适当的ERS会导致反馈异常，电源输出不稳定，铝电解电容不推荐使用线形DC/DC电源的ADJ脚是否增加钽电容提高输出电压的波纹抑制线性电源注意输入电压和输出电压差降额，压差太大会引起线性电容发热增加但也要符合最小压差要求（如LDO）芯片模拟电源pin脚一般需要干净的电源，尽量使用磁珠、电容和数字电源隔离，比如PHY芯片芯片内部时钟/锁相环部分的电源pin脚一般需要干净的电源，尽量使用磁珠、电容和数字电源隔离，比如PHY芯片关键芯片电源的buck电容是否足够LDO注意输出侧不要串电感或磁珠，避免输出反馈振荡对于纹波电流要求高的场合，LDO的FB脚可以并联一个10uF的电容，抑制纹波，具体可以参考LDO器件手册DC/DC模块的PowerGood信号要适当考虑引入逻辑监控，便于故障定位可插拔单板缓启电路前级，要避免使用大容值电容，避免大电流冲击，影响集中电源信号和板内fuseLDO注意输出电容不要用铝电解电容，该电容低温ESR增加会引起反馈振荡，使用钽电容50515253545556575859606162636465666768697071保险管其他SFP光模块和Serdes芯片之间的交流耦合器电容是否去掉SFP光模块内空气放电管注意动作电压不要低于正常工作电压，如出乎以太网接口需要选用动作电压在140V以上的管子千兆PHY和MAC等对PLLVDD和SPLLVDD电源要求严格的芯片需要特别注意滤波电容的选取，推荐使用钽电容，容值要严格参考芯片资料选取现场不可更换的单元避免使用DTMM条，DTMM条失效率高，装配也可能引入不可靠因素电感注意电流和温升的对应关系，在设计时提前考虑电流降额BTM插座在最终产品上不要使用，失效率较高电磁继电器输入侧需要增加去耦电路，放置输入侧线圈电感对设备的影响。电磁继电器的开关次数需要考虑寿命是否足够主备单板在工作时是否不允许出现双主双备状态，避免双主的设计由硬件逻辑保证，避免双备的设计由软件保证插座、连接器等器件选择时是否避免使用会发生电偶腐蚀的电偶对（镍和锡铅等）以及锡、镍、铜等金属作为触点的外镀层（锡、镍、铜的氧化物/钝化层是电发光管侧串阻选择方法：根据CRT和输入电流曲线，选择CRT最高时的电流（一般在5-10mA左右）然后计算电阻大小CRT要考虑温度、寿命的降额，在输出侧电阻选择时要注意磁珠选择要注意直流电阻和高频阻抗的影响，一般直流电阻小且高频电阻大的优选是否选用配有缓存电池的阵列卡，以确保异常掉电不会造成硬盘数据丢失对于失效率高的器件，如硬盘、光模块、风扇等，是否使用现场可更是否保证硬盘正确的下电顺序，在系统SHUTDOWN前先关闭硬盘外购模块的散热和环境等指标是否和整机指标匹配，外购模块包括:电缆、电源模块、硬盘等注意fuse的降额，IEC规格和UL规格是不同的开放给用户的USB接口、CF卡接口、硬盘接口，是否提供电源隔离或保护，避免这些接口外挂器件故障导致系统故障检测电路的取样器件（如过流保护取样电阻、温控电路）的参数漂移是否足够小，或者误差已经考虑光耦器件CTR计算时是否考虑寿命期内的参数老化，保证全寿命内的可靠性对于后级上电电流较大的电路如果使用传统保险管，是否使用慢熔是否使用可自恢复保险管（PPTC）代替传统保险管注1：“审查结果”为“否”需在“结论说明”中注明内容实例，结论为“免”需在结论说明中注明理由否免00结论说明备注原理图评审要素表