模电复习手册新

1C1ov1iv2iv1R2R2R3R3Rov1绪论1.1模拟信号和数字信号（1）.数字电路与数字信号的基本概念；（2）.放大电路的主要性能指标；1.2基本要求（1）．理解数字信号的基本概念，明确数字信号与模拟信号的区别；（2）了解放大电路的几个主要性能指标：输入电阻、输出电阻、增益、频率响应、非线性失真例：1、模拟信号是时间和数值都（）的物理量。（连续）2、数字信号是时间和数值都（离散）的物理量。（离散）1.3考核要求本章的考核评价内容为*数字信号与模拟信号的基本概念和放大电路的主要性能指标。2集成运算放大器2.1基本内容（1）.虚短、虚断；（重点）（2）.基本线性运放电路、同相输入和反相输入放大电路的其他应用法；（重点）（3）.同相输入和反相输入放大电路的其他应用。（难点）2.2基本要求（1）.掌握虚短虚断的概念并能够熟练运用。（2）使用理想集成运放的特点和“虚短”、“虚断”的概念，能够利用线性电路理论分析由理想运放和电阻、电容等元件构成的简单应用电路，包括基本的同相放大电路，反相放大电路和求差（减法）、求和（加法）、积分、微分电路等典型电路的分析计算。例：1.电路如图所示，设集成运放为理想器件，求电路Vi1、Vi2的关系。2参考答案：dtdvCRvio111)(11223123223dtdvCRvRRvRRvRRviioio2.电路如图示，设运放是理想的，已知Vui6.01，Vui8.02,求放大器的输出电压ou。参考答案：)(2.16.05010011211VkkuRRuio232201222)(iouRRuRRuV8.1)8.03350)2.1(10050(3.集成运放工作在线性区时的两个特点是__________、__________。（虚短、虚断）4.理想集成运放开环放大倍数uA__________。无穷大（很大）5.电路如图所示，设运放是理想的，试求1ou、2ou及ou的值。-+A1-+A2R4R1R2R3uOuP3uN3uO1uO2-+A3R5V33V4V3Vk30k30k30k15k30参考答案：i1uu1R21R3R0122Ri2uu02R100K50K100K50K33K3A1、A2组成电压跟随电路VVuVVuoo4,32211利用叠加原理，当V3=0，反相加法时，A3的输出电压为1223113ooouRRuRRuV当VVVuVuoo3,0,0321时，V235453VRRRupA3的输出电压为6V)//1(3213pouRRRuV5ooouuu6.电路如图所示，则该电路为_________相比例电路。（同）iu+-ou1R2R7.集成运放的中间级的主要作用是提高__________增益，它一般由一级或多级放大电路组成。（电压）8.集成运放的电压传输特性分两个区，分别是__________和__________。（线性区、非线性区）9.集成运放线性区应用的必要条件是（）A.必须引入负反馈B.必须引入深度负反馈C.必须引入正反馈D.必须引入深度正反馈参考答案：B10.希望运算电路的函数关系是332211xaxaxay（其中1a，2a和3a是常数，且均为负值），应该选用（）A.比例运算电路B.同相求和运算电路4C.反相求和运算电路D.加减运算电路参考答案：C11.由于比例或求和电路的电压负反馈很强，输出电阻几乎等于零，因此在计算双运放加减运算电路时，一般可以不考虑后级输入电阻对前级的影响。（√）2.3考核要求集成运算放大器的应用电路是学习的重点，也是考核的重点，主要通过笔试以计算题的形式出现，要求学员根据电路写出输出表达式并能讲清其所完成的功能。3二极管及其基本电路3.1基本内容（1）.半导体的基本知识；（2）.PN结的形成及特性；（重点、难点）（3）.二极管、二极管的基本电路及其分析方法、特殊二极管；（重点、难点）3.2基本要求（1）.了解半导体的基本知识，解释本征半导体、P型半导体、N型半导体的特点和自由电子及空穴的导电原理；（2）.说出二极管的结构及其主要参数；（3）.解释PN结的单向导电性，描述二极管的伏安特性曲线，使用二极管的简化模型分析典型的限幅电路、开关电路、稳压管稳压电路等。（4）.能识别变容二极管、肖特基二极管和相关的光电子器件。例：1.P型半导体是在本征半导体内掺入少量的3价元素杂质，其少数载流子为__________，半导体呈__________性。（自由电子、中）2.PN结的形成过程为：多子的运动形成__________电流，少子的运动形成__________运动，当两种运动达到平衡时，就在P区和N区的交接面附近形成一个PN结，又称为耗尽层或空间电荷区或势垒区。（扩散、漂移）3.若要使PN结正向导通，则P区加正向电压，N区加负向电压，当PN结外加反向电压时电阻__________，因此PN结具有__________特性。（趋于无穷大、单向导电）4.稳压二极管在正常使用时，应该工作在__________，即P区接电源的__________极。（反向击穿区、负）5.N型半导体是在硅晶片上掺入少量的__________而形成的，其多数载流子是__________。5（少量磷（5价元素）、自由电子）6.已知电路如图，输入信号iu的波形如图a。kRRVEtVui10,10,sin2021，画出abu和ou的波形。iut（a）参考答案：Vui/tVuab/tVuo/t2020107.在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于（）A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷参考答案：C8.半导体二极管中参与导电的粒子是6A.自由电子，空穴B.自由电子，空穴，正、负离子C.自由电子D.空穴参考答案：A9.下列关于半导体二极管的描述，哪个正确（）A.发生电击穿而未发生热击穿的半导体二极管，实际已经被损坏。B.半导体二极管具有单向导电性，但是当反向电压过大时，一定会被击穿。C.面接触型二极管适合应用于频率较高的场合。D.发生雪崩击穿的二极管，通常都已损坏。参考答案：B10.具有晶体结构的纯净半导体称为本征半导体。（）参考答案：√11.外加正向电压对正向电流的影响很小，温度对反向电流的影响很小。（）参考答案：×3.3考核要求基本概念主要出现在填空、选择等题目中；限幅、开关、稳压管稳压电路等相关内容主要出现在画波形题中。4双极结型三极管及其放大电路4.1基本内容（1）.三极管；（2）.基本共射放大电路、放大电路的分析方法；（重点、难点）（3）.放大电路静态工作点的稳定；（重点、难点）（4）.共集电极放大电路和共基极放大电路、组合放大电路、放大电路的频率特性；（难点）4.2基本要求（1）了解双极结型三极管的结构、工作原理和主要参数，描述三极管的伏安特性曲线和三种工作状态的不同特点；（2）掌握共发射极基本放大电路静态分析方法，计算静态工作点；（3）能够利用图解法和小信号模型的方法对放大电路进行动态分析，会利用小信号模型计算电压增益、输入电阻和输出电阻。（4）解释温度对静态工作点的影响，掌握射极偏置电路的分析方法，稳定静态工作点的原理，7静态工作点的计算和电压放大倍数、输入电阻和输出电阻的计算。（5）掌握共集电极放大电路和共基极放大电路的静态分析和动态分析，知道不同组态电路的特点和应用范围。描述不同组合放大电路的分析方法。描述不同放大电路的频率响应，其中包括单级共射极放大电路、共基极和共集电极电路的频率响应。例：1.BJT的输出特性曲线包括三个工作区，分别是__________，__________，__________。（放大区、截止区、饱和区）2.BJT处于截止状态时，发射结处于__________偏，集电结处于__________偏。（反、反）3.温度升高会使BJT参数CBOI__________，使电流放大倍数__________。升高（增大）、升高（增大）4.射极输出器的特点是：输入输出__________相（同相或反相），电压放大倍数约为__________。（同、1）5.测量某硅BJT各电极对地的电压值为:VVVVVVEBC0,7.0,6，则管子工作在__________区。（放大）6.下列说法正确的是()。A.BJT处于放大状态时，发射结处于正偏，集电结处于反偏B.因静态工作点Q偏低而产生的失真称为饱和失真C.集电结反向饱和电流CBOI的大小取决于基区和集电区的多子浓度D.温度升高会使BJT参数CBOI减小，并使电流放大倍数升高参考答案：A7.发现输出波形失真，这说明静态工作点一定不合适。()参考答案：×8.下图所示电路能否实现对交流信号的放大作用__________。（不能）9.关于三极管的主要参数，下列说法错误的是()TCRBR2C1CCCV8A.在三极管中，参数和含义是不同的，但在三极管输出特性曲线比较平坦时，可认为。B.反向饱和电流CBOI随温度增加而增加。C.一般希望反向饱和电流CEOI尽量小些。D.集电极最大允许耗散功率CMP的大小与环境温度、管子的散热方式无关。参考答案：D10.下图所示电路中，已知CCU12V，CR4K，300,37.5,4BLRkRk，试求放大电路的电压放大倍数uA。+-++-+-+-+-+RSeSuiC1RBRCC2uBEuCETRLuOiBiC参考答案：ARUIBCCB40，mAIIIBCE5.1kImVrEbe967.026)1(3006.77beLurRA，kRRRLCL2//11.电路如图所示，已知kRkRkRkRVUBBECCC10,20,2,2,1221kRL6，晶体管的5.37（1）求静态值（2）求oiurrA,,9+-++-+-+-+-++RSeSuiC1RB1RCC2uBEuCETRLiBiCRB2RECE+参考答案：VURRRVCCBBBB4212mARUVIIEBEBEC7.1AIICB45VIRRUUCCECCCE2.5)(kIrEbe89.026)1(3002.63beLurRAkrrbei89.0kRrCo24.3考核要求本章是模拟电路考核的重点章节，放大电路的分析计算是重点内容，一般是以计算题的形式出现。当然，也有一些基本概念是以填空、选择题的形式出现。本章在试卷中所的比重应该在25%—30%的范围内。5场效应管放大电路5.1基本内容（1）.MOS场效应管、MOS场效应管放大电路；（重点、难点）（2）.结型场效应管及其放大电路。（重点、难点）5.2基本要求（1）.了解结型场效应管、MOS场效应管的基本概念、伏安特性曲线及场效应管的主要特性参数；10（2）.比较场效应管放大电路的三种组态：共源极、共漏极和共栅极电路的特点；（3）.说出场效应管的工作原理，掌握共源、共漏电路的静态工作点的计算方法，能够运用小信号模型进行电压放大倍数、输入电阻、输出电阻的计算。例：1.场效应管是一种利用__________来控制其电流大小的半导体器件。（电场效应）2.按照导电载流子的带电极性分类，MOSFET可分为__________型MOSFET和__________型MOSFET。（N沟道、P沟道）3.在0GSv时没有导电沟道，而必须依靠栅源电压的作用，才形成感生沟道的FET称为__________型FET。（增强型）4.场效应管按照工作方式可分为增强型和__________型，其中__________型管在不加栅源偏压时就存在导电沟道。某种场效应管的输出特性曲线如图所示，则该场效应管属于哪种类型：__________。（耗尽、耗尽、耗尽）DSvDiVvGS0V1V2V35.BJT有两种载流子参与导电，MOSFET只有一种。()参考答案：√6.关于场效应管，以下说法错误的是()。A.是一种电压控制型