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实验三基于0.13um工艺模型，三种MOS器件（普通、HVT、LVT）组成的两个串联反相器（W=0.52um，L=0.13um），在TT、SS、FF、FNSP、SNFP五种cornor下用Hspice模拟。VDD=1.2v，输入上升波形为10ps。一、实验内容分析序号实验描述对应条件10.13um工艺模型.lib'l013_v2p5.lib'TT2L=0.13；W/L=4W=0.52ul=0.13u3.1普通NMOS管N123.2普通PMOS管P123.3HVT-NMOS管NHTV123.4HVT-PMOS管PHTV123.5LVT-NMOS管NLTV123.6LVT-PMOS管PLTV124.1TT.lib'l013_v2p5.lib'TT4.2SS.lib'l013_v2p5.lib'SS4.3FF.lib'l013_v2p5.lib'FF4.4FNSP.lib'l013_v2p5.lib'FNSP4.5SNFP.lib'l013_v2p5.lib'SNFP5VDD=1.2PULSE(0.00V1.20V…6上升波形10ps0.1ns二、实验电路三、实验结果为方便比较曲线，本文上升沿采用10ps，高电平保持时间200ps，下降沿采用10ps，低电平保持时间200ps。1．10.13um工艺L=0.13um；W=0.52umN12P12TTVDDGNDV1V2G2G1OUT其中上升沿延时为26ps，下降沿延时为35ps，一个周期的平均功耗为2.184e-0.51．20.13um工艺L=0.13um；W=0.52umN12P12SS其中上升沿延时为26ps，下降沿延时为35ps，一个周期平均功耗为1.998e-051．30.13um工艺L=0.13um；W=0.52umN12P12FF上升沿延时：23ps；下降沿延时：30ps；一周期的平均功耗：2.261e-051．40.13um工艺L=0.13um；W=0.52umN12P12FNSP上升沿延时：26ps；下降沿延时：37ps一周期的平均功耗：2.081e-051．50.13um工艺L=0.13um；W=0.52umN12P12SNFP上升沿延时：26ps；下降沿延时：34ps；一周期的平均功耗：2.118e-052．10.13um工艺L=0.13um；W=0.52umNHVT12PHVT12TT上升沿延时：37ps；下降沿延时：51ps；一周期的平均功耗：2.305e-052．20.13um工艺L=0.13um；W=0.52umNHVT12PHVT12SS上升沿延时：48ps；下降沿延时：69ps；一周期的平均功耗：2.247e-052．30.13um工艺L=0.13um；W=0.52umNHVT12PHVT12FF上升沿延时：31ps；下降沿延时：40ps；一周期的平均功耗：2.336e-052．40.13um工艺L=0.13um；W=0.52umNHVT12PHVT12FNSP上升沿延时：42ps；下降沿延时：60ps；一周期的平均功耗：2.173e-052．50.13um工艺L=0.13um；W=0.52umNHVT12PHVT12SNFP上升沿延时：36ps；下降沿延时：48ps一周期的平均功耗：2.345e-053．10.13um工艺L=0.13um；W=0.52umNLVT12PLVT12TT上升沿延时：22ps；下降沿延时：27ps；一周期的平均功耗：2.196e-053．20.13um工艺L=0.13um；W=0.52umNLVT12PLVT12SS上升沿延时：26ps下降沿延时：33ps一周期的平均功耗：2.083e-053．30.13um工艺L=0.13um；W=0.52umNLVT12PLVT12FF上升沿延时：18ps；下降沿延时：22ps；一周期的平均功耗：2.355e-0.53．40.13um工艺L=0.13um；W=0.52umNLVT12PLVT12FNSP上升沿延时：23ps；下降沿延时：30ps；一周期的平均功耗：2.227e-053．50.13um工艺L=0.13um；W=0.52umNLVT12PLVT12SNFP上升沿延时：21ps下降沿延时：26ps一周期的平均功耗：2.274e-05四、实验结果分析延时分析表（ps）阈值CornerLVT普通HVTTT22-2726-3537-51SS26-3326-3548-69FF18-2223-3031-40FNSP23-3026-3742-60SNFP21-2626-3436-48功耗分析（e-05）阈值CornerLVT普通HVTTT2.1962.1842.305SS2.0831.9982.247FF2.3552.2612.336FNSP2.2272.0812.173SNFP2.2742.1182.345经分析，对于该电路的设计而言，可得出以下结论：1．同一阈值不同Corner中，延时由小到大为：FF，SNFP，TT，FNSP，SS；2．同一Corner不同阈值中，延时由小到大为：LVT，普通，HVT；3．同一阈值不同Corner中，功耗由小到大为：SS，TT，FNSP，SNFP，FF；4．同一Corner不同阈值中，功耗由小到大为：普通，LVT，HVT；因此，为关键路径选择器件，Corner为FF；阈值为LVT；为非关键路径选择器件，Corner为SS；阈值为普通。