mcp73833-73834中文手册

2007MicrochipTechnologyInc.DS22005A_CN第1页MCP73833/4特点•完整的线性充电管理控制器-内部集成了功率晶体管-内部集成了电流检测-内部集成了反向阻断保护•可进行热调节的恒流/恒压控制•高精度预置稳压：-4.2V，4.35V，4.4V或4.5V，+0.75%•可编程充电电流：昀大1A•对深度放电的电池进行预充-可选择电流比率-可选择电压阈值•自动充电结束控制-可选择电流阈值-可选择安全定时周期•自动再充电-可选择电压阈值•两路充电状态输出•电池温度持续监视•低压差线性稳压器模式•输入电源移去后自动断电•欠压锁定•针对不同应用的许多选项：-参考第1.0节“电气特性”关于选项部分-参考“产品识别体系”关于标准选项部分•封装：-3mmx3mmDFN-10-MSOP-10应用•锂离子/锂聚合物电池充电器•个人数字助理（PDA）•蜂窝电话•数码相机•MP3播放器•蓝牙耳机•USB充电器概述MCP73833/4为高级线性充电管理控制器，适用于空间小且对成本敏感的应用场合。MCP73833/4提供10引脚3mmx3mmDFN封装或10引脚MSOP封装。小外形加上只需很少的外部元件，使得MCP73833/4成为便携式应用的理想选择。对于通过USB端口充电的应用，MCP73833/4满足USB电源总线的所有规范。MCP73833/4采用了恒流/恒压充电算法，并提供预充选项和充电终止控制选项。恒压充电调节有四个选择：4.20V，4.35V，4.40V和4.50V，这可以满足当前昀新的电池充电要求。恒流充电电流由一个外部电阻设定。在高功率或高环境温度条件下，MCP73833/4将根据管芯温度对充电电流进行控制。热调节功能对电池充电周期进行优化，并保证器件的可靠性。预充阈值、预充电流值、充电终止值和自动再充电阈值都有多个选项。预充电流值和充电终止电流值被设为编程恒流值的比率或百分比。预充电流值可设置成100%。请参考第1.0节“电气特性”获取所提供的选项，以及“产品识别体系”了解标准器件选项。MCP73833/4系列器件可工作在-40°C至+85°C的环境温度范围。封装形式12345678910DFN-10VBATVDDSTAT1VDDSTAT2VSSTHERMVBATPG(TE)PROGMSOP-10VDDSTAT1STAT2VSSVBATTHERMPG(TE)PROG23459876VDDVBAT110独立线性锂离子/锂聚合物电池充电管理控制器MCP73833/4DS22005A_CN第2页2007MicrochipTechnologyInc.典型应用电路功能原理框图STAT1VDDVSSPROGVBAT+-单节锂离子电池1,2MCP7383369,1071µF1A锂离子电池充电器5VIN470Ω470Ω470ΩSTAT2PGTHERMT4381µF1kΩ10kΩ+-参考电压发生器VREF(1.21V)VDDSTAT1PROGVBATG=0.001VSS方向控制54kΩ121kΩUVLO+-预充6µA+-终止+-111kΩ+-CA10kΩ157.3kΩ6kΩ48kΩ470.6kΩ充电+-+-VA72.7kΩ310kΩ6µAG=0.0011kΩ+-电流限制10µA+-LTVT+-HTVT470.6kΩ121kΩTHERM50µA充电控制定时器状态逻辑STAT2PG(TE)+-LDO1MΩ175kΩSHDN2007MicrochipTechnologyInc.DS22005A_CN第3页MCP73833/41.0电气特性绝对昀大额定值VDD........................................................................7.0V相对于VSS的所有输入和输出引脚..................................................-0.3至（VDD+0.3）V昀大结温TJ.............................内部限制储存温度.............................................-65°C至+150°C所有引脚的ESD保护：人体模型（HBM）（1.5kΩ与100pF串联）......................................≥4kV机器模型（MM）（200pF，无串联电阻）.......................................300V*注：如果器件运行条件超过上述各项绝对昀大额定值，可能对器件造成永久性损坏。上述参数仅是允许条件的极大值，我们不建议使器件在该条件下或在技术规范以外的条件下运行。器件长时间工作在绝对昀大额定值条件下，其稳定性可能受到影响。直流特性电气规范：除非另外声明，否则所有参数适用于VDD=[VREG(典型值)+0.3V]至6V，TA=-40°C至85°C。典型值参数测试条件是+25°C，VDD=VREG(典型值)+1.0V。参数符号昀小值典型值昀大值单位测试条件电源输入电源电压VDD3.75—6V充电中VREG（典型值）+0.3V—6V充电结束，待机电源电流ISS—20003000µA充电中—150300µA充电结束—100300µA待机（没有接电池或PROG悬空）—50100µA关断（VDDVBAT，或VDDVSTOP）UVLO开启阈值VSTART3.43.553.7VVDD由低至高UVLO关断阈值VSTOP3.33.453.6VVDD由高至低UVLO迟滞VHYS—100—mV电压调节（恒压模式，系统测试模式）稳定输出电压VREG4.1684.204.232VVDD=[VREG(典型值)+1V]4.3184.354.382VIOUT=10mA4.3674.404.433VTA=-5°C至+55°C4.4674.504.533V线路稳定度|(∆VBAT/VBAT)/∆VDD|—0.100.30%/VVDD=[VREG(典型值)+1V]至6VIOUT=10mA负载稳定度|∆VBAT/VBAT|—0.100.30%IOUT=10mA至100mAVDD=[VREG(典型值)+1V]电源纹波衰减PSRR—58—dBIOUT=10mA，10Hz至1kHz—47—dBIOUT=10mA，10Hz至10kHz—25—dBIOUT=10mA，10Hz至1MHz电流调节（快速恒流充电模式）快速电流充电调节IREG90100110mAPROG=10kΩ90010001100mAPROG=1.0kΩTA=-5°C至+55°C昀大输出电流限制IMAX—1200—mAPROG833ΩMCP73833/4DS22005A_CN第4页2007MicrochipTechnologyInc.预充电流调节（涓流充电恒流模式）预充电流比IPREG/IREG7.51012.5%PROG=1.0kΩ至10kΩ152025%TA=-5°C至+55°C304050%—100—%预充电压阈值比VPTH/VREG6466.570%VBAT由低至高6971.575%预充迟滞VPHYS—100—mVVBAT由高至低充电终止充电终止电流比ITERM/IREG3.7556.25%PROG=1.0kΩ至10kΩ5.67.59.4%TA=-5°C至+55°C7.51012.5%152025%自动再充电再充电阈值电压比VRTH/VREG—94.0—%VBAT由高至低—96.5—%晶体管导通电阻导通电阻RDSON—300—mΩVDD=3.75VTJ=105°C电池放电电流输出反向泄漏电流IDISCHARGE—0.152µAPROG悬空—0.252µAVDDVBAT—0.152µAVDDVSTOP—-5.5-15µA充电结束状态指示——STAT1，STAT2，PG灌电流ISINK—1525mA低输出电压VOL—0.41VISINK=4mA输入泄漏电流ILK—0.011µA高阻抗，引脚电压为6VPROG输入充电阻抗范围RPROG1—20kΩ待机阻抗RPROG70—200kΩ待机所需昀小阻抗热敏电阻偏置热敏电阻电流源ITHERM475053µA2kΩRTHERM50kΩ热敏电阻比较器上跳变阈值VT11.201.231.26VVTHERM由低至高上跳变点迟滞VT1HYS—-50—mV下跳变阈值VT20.2350.250.265VVTHERM由高至低下跳变点迟滞VT2HYS—50—mV系统测试（LDO）模式输入高电压VIH(VDD-0.1)——VTHERM输入灌电流ISINK3620µA待机或系统测试模式旁路电容CBAT1——µFIOUT250mA4.7——µFIOUT250mA直流特性（续）电气规范：除非另外声明，否则所有参数适用于VDD=[VREG(典型值)+0.3V]至6V，TA=-40°C至85°C。典型值参数测试条件是+25°C，VDD=VREG(典型值)+1.0V。参数符号昀小值典型值昀大值单位测试条件2007MicrochipTechnologyInc.DS22005A_CN第5页MCP73833/4温度规范自动断电自动断电进入阈值VPD—VBAT+50mV—V2.3VVBATVREGVDD下降自动断电退出阈值VPDEXIT—VBAT+150mV—V2.3VVBATVREGVDD上升定时器使能输入（TE）输入高电压VIH2.0——V输入低电压VIL——0.6V输入泄漏电流ILK—0.011µAVTE=6V热关断管芯温度TSD—150—°C管芯温度迟滞TSDHYS—10—°C直流特性（续）电气规范：除非另外声明，否则所有参数适用于VDD=[VREG(典型值)+0.3V]至6V，TA=-40°C至85°C。典型值参数测试条件是+25°C，VDD=VREG(典型值)+1.0V。参数符号昀小值典型值昀大值单位测试条件交流特性电气规范：除非另外声明，否则所有参数适用于VDD=[VREG(典型值)+0.3V]至6V，TA=-40°C至85°C。典型值参数测试条件是+25°C，VDD=[VREG(典型值)+1.0V]。参数符号昀小值典型值昀大值单位测试条件UVLO启动延时tSTART——5msVDD由低至高电流调节预充的过渡时间tDELAY——1msVBATVPTH至VBATVPTH预充电流上升时间tRISE——1msIOUT上升至90%IREG预充比较器滤波器时间tPRECON0.41.33.2ms平均VBAT上升/下降终止比较器滤波器时间tTERM0.41.33.2ms平均IOUT下降充电比较器滤波器时间tCHARGE0.41.33.2ms平均VBAT下降热敏电阻比较器滤波器时间tTHERM0.41.33.2ms平均THERM上升/下降定时器定时器周期tELAPSED000小时定时器禁止3.64.04.4小时5.46.06.6小时7.28.08.8小时状态指示状态输出关断tOFF——200µsISINK=1mA至0mA状态输出开启tON——200µsISINK=0mA至1mA电气规范：除非另外声明，否则所有参数适用于VDD=[VREG(典型值)+0.3V]至6V。典型值参数测试条件是+25°C，VDD=[VREG(典型值)+1.0V]。参数符号昀小值典型值昀大值单位测试条件温度范围规定温度范围TA-40—+85°C工作温度范围TA-40—+125°C存储温度范围TA-65—+150°C封装热阻热阻，MSOP-10θJA—113—°C/W4层JC51-7标准板，自然对流热阻，3mmx3mmDFN-10θJA—41—°C/W4层JC51-7标准板，自然对流MCP73833/4DS22005A_CN第6页2007MicrochipTechnologyInc.2.0典型特性曲线注：除非另外声明，否则VDD=5.2V，VREG=4.20V，IOUT=10mA，TA=+25°C，恒压模式。图2-1：电池调节电压（VBAT）—