集成电路设计基础复习

1.在P衬底硅片上设计的PMOS管可以分为n+层、SiO2层、多晶硅层、金属层和N井层。2.在集成电路设计中，制造厂商所给的工艺中有R□为它成为（方块电阻）。3.MOS管元件参数中的Cox是栅极单位面积所具有的（电容值）。4.对于NMOS而言，工作在饱和区中，其漏电流ID等于（21()2DPoxGSTHWICVVL），不能使用β或K来表示。5.对于PMOS而言，工作在饱和区中，其漏电流ID等于（21(||)2DPoxSGTHWICVVL），不能使用β或K来表示。6.对于工作在饱和区的NMOS而言，其gm等于（2DmGSTHIgVV），只能有ID和过驱动电压表示。7.对于工作在饱和区的NMOS而言，其gm等于（2mnoxDWgCIL），只能有ID、W、L以及工艺参数表示。8.根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域，可以作为MOS电阻的区域为（深度三极管区）。9.根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为电流源的区域为（饱和区）。10.对于NMOS而言，导电沟道形成，但没有产生夹断的外部条件为（VDS小于VGS-VTH）。11.差动信号的优点，能（有效抑制共模噪声），增大输出电压摆幅，偏置电路更简单和输出线性度更高。12.分析MOS共栅放大电路，其电流增益约等于（1）。13.差动信号的优点，能有效抑制共模噪声，增大输出电压摆幅，偏置电路更简单和（输出线性度更高）。14.共源共栅电流镜如下图所示，当VX电压源由大变小的过程中，M2和M3管，（M3）先退出饱和区。1.根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为电流源的区域为（B）。A线性区B饱和区C截止区D三极管区2.根据MOS管特征曲线划分的四个工作区域中，可以作为MOS电阻的区域为（A）。A深度三极管区B饱和区C截止区D放大区3．通常要形成N型半导体需要在本征半导体中掺入（A）杂质。A磷B硼C碳D铝4．通常要形成P型半导体需要在本征半导体中掺入（B）杂质。A磷B硼C碳D铝5.在P衬底工艺下，PMOS管的导电沟道是由N井中的（B）形成的。A自由电子B空穴C负电荷D正电荷6.在P衬底工艺下，NMOS管的导电沟道是由P衬底的（A）形成的。A自由电子B空穴C负电荷D正电荷7.对于NMOS而言，工作在饱和区的外部条件为（A）。AVGS大于VTH，VDS大于VGS-VTHBVGS大于VTH，VDS小于VGS-VTHCVGS小于VTH，VDS大于VGS-VTHDVGS小于VTH，VDS小于VGS-VTH8.对于NMOS而言，工作在三极管区的外部条件为（B）。AVGS大于VTH，VDS大于VGS-VTHBVGS大于VTH，VDS小于VGS-VTHCVGS小于VTH，VDS大于VGS-VTHDVGS小于VTH，VDS小于VGS-VTH9.在集成电路设计中，由MOS管物理特性制作的MOS电容，导电沟道形成后，其电容值等于（C）。AWCovB(2/3)WLCox+WCovCCoxWLD(1/2)WLCox+WCov10.在集成电路设计中，无源器件扩散电阻R=R□(L/W)，其中R□是由工艺（A）所决定的。A单位面积上的电阻B输出电阻C输入电阻D交流电阻11.下图为共模差分放大电路，M1和M2之间存在失配，下列哪种情况不会引入差模增益（D）。AW/L失配BVTH失配CRD失配D尾电流源ISS的内阻不是无穷大12.电流镜如图所示，已知(W/L)1=(W/L)0，(W/L)2=2(W/L)0，(W/L)3=3(W/L)0，(W/L)4=4(W/L)0，问I1和I4的电流等于（B）AI1=IREF，I4=4IREFBI1=IREF，I4=8/3IREFCI1=2IREF，I4=4/3IREFDI1=2IREF，I4=2IREF1.用流程图的表达方式说明模拟集成电路的设计流程。2.说明下图差分放大电路的缺点，并画出改进后的差分电路图。1.负载式共源放大电路如图所示，假定M1工作在饱和区，其特性参数为：W/L=50μm/1μm,μnCox=1.34×10-4A/V2,λ=0.05V-1。静态时的漏电流ID=2mA；RD=2kΩ；考虑沟道长度调制效应和体效应；求：（1）画出等效电路图；（2）计算小信号电压增益和输出电阻；325.210mNoxDWAgCIVL110oDrkI//8.7VmoDAgrR110outDrkI//1.7outoDrrRk2.电路如图所示，已知(W/L)1=40，I1=1mA，IS=0.75mA，μnCox=1.34×10-4A/V2,μpCox=3.84×10-5A/V2，VTHN=0.7V，VTHP=-0.8V,当M1工作在饱和区和三极管区的临界上时，忽略沟道长度调制效应和体效应。求：(W/L)2。∵M1工作在三极管和饱和区边界，M2工作在饱和区∴可以得到下面四组方程式211112DNoxGSthnWICVVL222212DPoxSGthpWICVVL12DDSIIIoutinthnVVV21.31,5.16inWVVLGNDgmVGSroRDvinvout1.已知电路如下图所示，忽略沟道长度调制效应和体效应，VDD=3V，R1=R2，VTH=-0.8V，Vx从0V变到3V，画出Ix和Vx的函数曲线草图。注意临界点的Vx数值要标注。112SDSGSGthSG21DDth12132303VVVVVPMOSV0.81.5-0.50.8R101.4PMOSV-V+V2R+R1.4PMOS=0SGDDxxSDDDxxxxxxPoxxxxRVVVVRRVVVVVVWVICLVV从，所以，只要，就工作在饱和区，饱和区,；，截止区，；2.已知电路如下图所示，忽略沟道长度调制效应和体效应，VDD=3V，R1=R2，VTH=0.7V，Vx从0V变到3V，画出Ix和Vx的函数曲线草图。注意临界点的Vx数值要标注。2GS12DSDSGSGSthGS22NDDth12132303VVVVVNMOSV0.71.5-0.50.7R101.6NMOSV-V-V2R+R1.6PMOS=0DDxxDDxxxxxxoxxxxRVVVVRRVVVVVVWVICLVV从，所以，只要，就工作在饱和区，饱和区,；，截止区，；1.4v3vIxVx1.6v3vIxVx3.集成电路版图题YNA1A2A1A2vddgnd