晶硅太阳电池表面钝化

1晶硅太阳电池表面钝化孙振华2Outline晶硅太阳电池表面钝化的必要性晶硅太阳电池表面钝化的类型3晶硅太阳电池表面钝化的必要性悬挂键表面态能级的位置与表面态密度有关。表面态密度越大，能级越趋于深能级，复合能力越大。4晶硅太阳电池表面钝化的必要性5晶硅太阳电池表面钝化的类型氧化层钝化非晶SiNx钝化SiO2/SiNx叠层钝化背场钝化6氧化层钝化CTO(经典热氧化)：1050℃+38min=105nm氧化层RTO(快速热氧化)：1050℃+2min=12nm氧化层氧化层厚度越厚，钝化效果越好。SiO2对n型硅的钝化效果要比p型硅好。SiO2钝化层需要高温长时间热处理，容易造成材料污染，材料体质量的恶化。由于SiO2的绝缘性，使用时需要设计特殊的接触结构。7非晶SiNx钝化SiH4+NH3=SiNx+H28非晶SiNx钝化SiNx的钝化效果还受热处理温度、热处理气氛等的影响9SiO2/SiNx叠层钝化先在硅表面热氧化一层薄氧化层，然后PECVD一层SiNx。钝化效果好仍需要设计特殊的背接触结构10各种钝化方法间的比较11背场钝化B背场需要用离子注入，或者高温热扩散，成本高。铝背场容易实现，生产效率高，处理温度较低。铝背场的钝化效果与烧结温度、印刷重量和铝背场形成的均匀性有关。12Thanksforyourattention!