MOS管驱动基础和时间功耗计算

MOS管驱动基础和时间功耗计算我们先来看看MOS关模型：Cgs：由源极和沟道区域重叠的电极形成的，其电容值是由实际区域的大小和在不同工作条件下保持恒定。Cgd：是两个不同作用的结果。第一JFET区域和门电极的重叠，第二是耗尽区电容（非线性）。等效的Cgd电容是一个Vds电压的函数。Cds：也是非线性的电容，它是体二极管的结电容，也是和电压相关的。这些电容都是由Spec上面的Crss，Ciss和Coss决定的。由于Cgd同时在输入和输出，因此等效值由于Vds电压要比原来大很多，这个称为米勒效应。由于SPEC上面的值按照特定的条件下测试得到的，我们在实际应用的时候需要修改Cgd的值。开启和关断的过程分析：功耗的计算：MOSFET驱动器的功耗包含三部分：1.由于MOSFET栅极电容充电和放电产生的功耗。与MOSFET栅极电容充电和放电有关。这部分功耗通常是最高的，特别在很低的开关频率时。2.由于MOSFET驱动器吸收静态电流而产生的功耗。高电平时和低电平时的静态功耗。3.MOSFET驱动器交越导通（穿通）电流产生的功耗。由于MOSFET驱动器交越导通而产生的功耗，通常这也被称为穿通。这是由于输出驱动级的P沟道和N沟道场效应管（FET）在其导通和截止状态之间切换时同时导通而引起的。