尼曼 半导体物理与器件第十章

高等半导体物理与器件0高等半导体物理与器件第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件1主要内容•双端MOS结构•电容-电压特性•MOSFET基本工作原理•频率限制特性•小结第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件210.1双端MOS结构•MOSFET的核心为一个称为MOS电容的金属-氧化物-半导体结构金属可是铝或其他金属，更为通用的是多晶硅图中tox是氧化层厚度，εox是氧化层介电常数基本MOS电容结构第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件3（1）能带图借助平行板电容器加以解释加了负栅压的p型衬底MOS电容器的电场，存在空穴堆积层加了负栅压的p型衬底MOS电容器的能带图第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件4加了小的正栅压的p型衬底MOS电容器的电场，产生空间电荷区加小正栅压的p型衬底MOS电容器的能带图第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件5随着正栅压的增大，半导体与氧化物接触的表面处能带继续弯曲，出现导带距费米能级更近，呈现出n型半导体特点，从而产生了氧化物-半导体界面处的电子反型层。第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件6对于n型衬底MOS电容器正栅压小负栅压第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件7随着负栅压的增大，半导体与氧化物接触的表面呈现出p型半导体特点，从而产生了氧化物-半导体界面处的空穴反型层。第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件8（2）耗尽层厚度lnafptiNVn电势fp是EFi和EF之间的势垒高度：122ssdaxeN表面势s是体内EFi与表面EFi之间的势垒高度，是横跨空间电荷区的电势差。因此，空间电荷区宽度可类似单边pn结，写为1/22sbiRaVVWeN第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件9p型半导体在阈值反型点时的能带图表面处的电子浓度等于体内的空穴浓度，该条件称为阈值反型点，所加栅压为阈值电压。当外加栅压大于这一值之后，其变化所引起的空间电荷区变化很小。空间电荷区最大宽度xdT为1242sfpdTsfpaxeeeN此时第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件10对于n型衬底MOS电容器lndfntiNVn电势fn同样是EFi和EF之间的势垒高度：1242sfndTsfndxeeeN此时同样第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件电子反型电荷密度与表面电势的关系16310stncm第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础11（3）表面电荷浓度expFFiiEEnnkT由第4章中可知，导带中的电子浓度写为expexpfpssittnnVVp型半导体衬底，电子反型电荷浓度写为其中，△s是表面电势超过2fp的部分。expsssttnnV则，电子反型电荷浓度可写为其中，反型临界点的表面电荷密度nst为expfpstitnnV高等半导体物理与器件12（4）功函数2gmsmfpEe金属-半导体功函数差定义为：第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件13（5）平带电压定义：当半导体内没有能带弯曲时所加的栅压。此时净空间电荷为零。前面的讨论中假设氧化物中的净电荷为零，而通常为正值的净固定电荷可存在于氧化物中靠近氧化物-半导体界面。ssGFBmsoxQVVC平带电压为单位面积电荷数单位面积的栅氧化层电容第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件14（6）阈值电压忽略反型层电荷，由电荷守恒原理，可得maxmTssSDQQQ其中阈值电压定义：达到阈值反型点时所需的栅压。阈值反型点的定义：对于p型器件当s＝2fp时或对于n型器件当s＝2fn时的器件状态。maxSDadTQeNx阈值电压可表示为：max2SDTNFBfpoxQVVC第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件15p型、n型MOS电容器栅压比较：•p型MOS电容器，负栅压表明其为耗尽型器件；正偏栅压将产生更多的反型层电荷电子。•n型MOS电容器，负栅压表明其为增强型器件；负偏栅压将产生更多的反型层电荷空穴。第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件1610.2电容-电压特性•MOS电容结构是MOSFET的核心•器件的电容定义dQCdV其中，dQ为板上电荷的微分变量，它是穿过电容的电压dV的微分变量函数。第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础17堆积模式下栅压微变时的微分电荷分布（1）理想C-V特性堆积模式下MOS电容器的单位电容C'，即栅氧化层电容oxoxoxCaccCtMOS电容器在堆积模式时的能带图toxεox负栅压假设栅氧化层中和氧化层-半导体界面处均无陷阱电荷。高等半导体物理与器件181oxoxoxoxoxdSDsCCdeplCtxCC'（耗尽层）随空间电荷宽度的增大而减小栅氧化电容与耗尽层电容串联，电压微小变化将导致空间电荷宽度和电荷密度的微小变化。总电容为MOS电容在耗尽模式时的能带图耗尽模式当栅压微变时的微分电荷分布εsεoxtox第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件19minoxoxoxdTsCtx实线为理想MOS电容器的净电容平带由于达到阈值反型点时，空间电荷区宽度达到最大，此时强反型，理想情况，MOS电容电压微小变化将导致反型层电荷微分变量发生变化，而空间电荷宽度不变。反型层电荷跟得上电容电压变化，则总电容就是栅氧化电容oxoxsCinvCp型衬底MOS电容低频第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件20通过改变电压坐标轴的符号，可得到n型衬底MOS电容器的理想C-V特性曲线。正偏压时为堆积模式，负偏压时为反型模式。n型衬底MOS电容器理想低频电容和栅压的函数关系图第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件21（2）频率特性反型层中的电子浓度不能瞬间发生改变；高频时，只有金属和空间电荷区中的电荷发生改变，MOS电容器的电容就是前面所述的C'min。反型层电荷密度改变的电子来源：•一是来自通过空间电荷区的p型衬底中的少子电子的的扩散，即反偏pn结中理想饱和电流的产生；•二是在空间电荷区中由热运动形成的电子-空穴对，即pn结中反偏产生电流。反型模式第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件22p型衬底MOS电容器低频和高频电容与栅压的函数关系图（3）固定栅氧化层和界面电荷效应前面讨论的是理想情况下的C-V特性，实际上固定的栅氧化层电荷或氧化层-半导体界面的电荷会改变C-V特性曲线。第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础23不同有效氧化层陷阱电荷值下，p型MOS电容器高频电容与栅压的函数关系图氧化层界面处表明界面态的示意图高等半导体物理与器件第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础24当MOS电容器偏置时p型半导体中被表面态俘获的电荷及其能带图。禁带中央堆积模式反型模型高等半导体物理与器件第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础25MOS电容器的高频C-V特性曲线，说明界面态效应高等半导体物理与器件2610.3MOSFET基本工作原理•MOS场效应晶体管的电路是由于反型层以及氧化层-半导体界面相邻的沟道区中的电荷的流动形成。（1）MOSFET结构•MOSFET器件共有4种类型：n沟道增强型、p沟道增强型、n沟道耗尽型、p沟道耗尽型。•增强的含义：氧化层下面的半导体衬底在零栅压时不是反型的。•耗尽：栅压为零时氧化层下面已经存在沟道区。第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件27n沟增强型n沟耗尽型第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础Bp沟增强型p沟耗尽型高等半导体物理与器件28（2）电流-电压关系——概念•图（a），此种偏置下，无电子反型层，漏-衬底pn结反偏，漏电流为零（忽略pn结漏电流）。•图（b）电子反型层产生，加一较小VDS，反型层电子从源流到漏，电流从漏到源；此理想情况，无电流从氧化层向栅流过。第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件29dnnWgQLDdDSIgV•对于较小的VDS，沟道区具有电阻的特性式中，gd为VDS→0时的沟道电导。漏电压漏电流单位面积的反型层电荷数量栅压的函数基本MOS晶体管的工作机理为栅压对沟道电导的调制作用，而沟道电导决定漏电流•当VGSVT时，沟道反型层电荷密度增大，从而增大沟道电导。gd↑沟道宽度沟道长度第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件30•VGSVT，VDS较小时，相对电荷密度在沟道长度方向上为一常数。•随着VDS增大，漏端附近的氧化层压降减小，意味着漏端附近反型层电荷密度也将减小。dnnWgQL第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件31•VDS增大到漏端氧化层压降为VT时，漏端反型电荷密度为0，此时漏端电导为0。•VDSVDS（sat）时，沟道反型电荷为0的点移向源端。在电荷为零的点处，电子被注入空间电荷区，并被电场扫向漏端。第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础漏端氧化层压降为VT时的VDS高等半导体物理与器件32n沟道增强型MOSFET的ID-VDS特性曲线饱和区第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件33n沟道耗尽型MOSFET：一种情况n沟道是由金属-半导体功函数差和固定氧化层电荷生成的电子反型层；另一种情况沟道是一个n型半导体区。负栅压可在氧化层下产生一空间电荷区，从而减小n沟道区的厚度，进而gd减小，ID减小。正栅压可产生一电子堆积层，从而增大ID。为使器件正常截止，沟道厚度必须小于最大空间电荷宽度第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件34（4）跨导•MOSFET的跨导gm（晶体管增益）：相对栅压的漏电流的变化。•MOSFET电路设计中，晶体管的尺寸，尤其是沟道宽度W是一个重要的工程设计参数。（5）衬底偏置效应•前面讨论的情况，衬底（体）都于源相连并接地。•在MOSFET电路中，源和衬底不一定是相同电势。•源到衬底的pn结必须为零或反偏，以n型MOSFET为例，即VSB≥0。第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础高等半导体物理与器件第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础3510.4频率限制特性（1）小信号等效电路MOSFET被用于线性放大电路，用小信号等效电路进行分析，等效电路包括产生频率效应的电容和电阻。漏-衬底pn结电容栅极电容，体现栅极与源、漏附近沟道电荷间的相互作用寄生或交叠电容和源、漏极相关的串联电阻内部栅源电压，控制沟道电流高等半导体物理与器件第十章金属-氧化物-半导体场效应晶体管基础36（2）频率限制因素与截止频率MOSFET中有两个基本的频率限制因素。第一个因素为沟道输运时间。另一个因素为栅电极或电容充电时间。共源n沟MOSFET的高频小信号等效电路截止频率fT：器件的电流增益为1时的频率，或是当输入电流Ii等于理想负载电流Id时的频率。高等半导体物理与器件37小结•MOS电容器的三种工作模式，以及一些关键的参数•MOS电容器的理想C-V特性•MOSFET的基本物理结构•MOSFET的频率特性第十章金