制造三部品质控制计划-最终版

产品名称产品型号文件编号版本版次页码DMOST/D/E系列SI5.412F2001GZKB数量频率来料检验□1材料接收1表面无亮点、划伤紫光灯每片每批来料投片来料检验记录SQE通知供应商处理:□打标打标机1表面字迹清晰目检1片每批投片检验记录通知工程师□2时间10分钟面板显示时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师□3温度65±5℃面板显示温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师□4周期2小时内做片记录1次每次做片前扩散MOS清洗液更换记录通知工程师□5配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照设备上贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换酸扩散每次配液前查看配比标签通知工程师□6颗粒度0.5um以上颗粒增加数量≤100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师□擦片擦片机7颗粒度0.5um以上颗粒增加数量≤100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师□1时间10分钟面板显示时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师□2温度65±5℃面板显示温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师□3周期2小时内做片记录1次每次做片前扩散MOS清洗液更换记录通知工程师异常处理控制表单记录责任部门/工序检查和测量方法(仪器工具)产品规范.公差和要求特性编号机器、装置、夹具、工装清洗台清洗台小流程1#液清洗1#液清洗过程名称操作描述正面刻标一次氧化控制类型制程控制流程图序号23抽样计划制造三部质量控制计划2014/9/24“□”代表操作△代表仓储管制重点方法深圳深爱半导体股份有限公司SHENZHENSISEMICONDUCTORSCO.,LTD.品质控制计划□样件□试产■批量生产部门：文件名称制定日期1□4配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照设备上贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换酸扩散每次配液前查看配比标签通知工程师□5颗粒度0.5um以上颗粒增加数量≤100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师□1换液周期12小时查看做片记录1次每次做片前扩散MOS清洗液更换记录通知工程师□2清洗液配比HF：H2O=1：20按照设备上贴的配比标签配液，用量杯取液1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签通知工程师□3漂酸时间20秒面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师□4颗粒度0.5um以上颗粒增加数量≤200个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师□1炉温1000±1℃控制面板显示的温度口、中、里3点位置每炉记录1次扩散MOS扩散程序运行点检表通知工程师□4气体流量N2：8±0.4LO2：4±0.20LH2：7±0.35L控制面板显示的气体流量1次每炉记录1次扩散MOS扩散程序运行点检表通知工程师□6排风0.5--1.5inchofwater查看表头显示1次每班扩散日常点检记录通知工程师□7颗粒度0.5um以上颗粒增加数量≤100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每1周扩散颗粒度测试记录通知工程师□8CV、Vgs测试CV:|shift|0.2VVgs0.08V/ACV测试仪，576测试仪1次每两周扩散电子表格通知工程师□测试膜厚仪1氧化层厚度参照工艺流程卡膜厚测试仪5点/片1片/篮检测SPC控制通知工程师□腔体温度：220±3℃设备自动检测1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师□排风静压力：大于等于1.0Kpa或10mm水柱设备自动检测1次每班光刻点检记录通知工程师□HMDS液面在下刻度线以上设备自动检测1次每次运行光刻设备自动报警按操作规程添加新液。过期的残液报废，设备定期确认项目1清洗台清洗台3#，8#，19#DNS、TEL1#液清洗20：1HF氧化匀胶一次氧化一次光刻制程控制342□2匀胶程序G线程序操作界面显示1次每次运行光刻工艺流程卡通知工程师□3光刻胶厚度12000±200A膜厚测试仪1次每班光刻SPC控制通知工程师□4热板温度95±3℃设备自动检测1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师□5光刻胶液面高于规定下限设备自动检测1次每次运行光刻设备自动报警更换新胶瓶□6设备排风大于等于1.0Kpa或10mm水柱界面数值显示1次每班光刻点检记录通知工程师□光强：I-Line光强大于400，均匀性≤3.5%光刻机测试1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师□平整度：MAX-MIN40，相邻点的极差20光刻机测试1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师□聚焦偏移：TPR：≤0.3um显微镜检查1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师□互套：倍率、旋转绝对值不大于1.5光刻机测试1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师□套刻精度：AVR+3SIG0.13光刻机测试1次每周光刻光刻机参数测试登记表通知工程师□2光刻机空调温度23±0.5℃界面显示1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师□3确认掩膜版信息MES掩膜板信息与所使用掩膜版名称一致目视1次每批光刻工艺流程卡更正，培训操作者光刻版操作规范，班组□4确认曝光时间根据各机台标签操作界面显示1次每批光刻工艺流程卡填写NCW记录，硅片隔离，工艺工程□5样片检验参照“检验卡”显微镜、紫光灯5点1片/批光刻MOS光刻检验样片记录表通知工程师□1显影液温度22±2℃温控箱界面显示1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师□2确认储罐内显影液容量高于最低液面刻度线液面高度指示计显示\报警1次每次运行光刻设备自动报警停机，加液光刻机参数1DNS、TEL、SVGDNS、TELI7、I8、I9、I11对位显影匀胶一次光刻制程控制43□3确认使用程序MES信息程序名与设备使用程序名一致操作界面显示1次每批光刻工艺流程卡停机，更改程序□镜检显微镜1图形检查参照“检验卡”显微镜参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡”□目检紫光灯1表面检查参照“检验卡”紫光灯参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡”□坚膜温度110±5℃设备自动检测1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师□坚膜时间2分钟操作界面显示1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师□打底膜IPC40001反射功率小于等于50设备自动显示1次每班刻蚀电子表格通知工程师□换液周期参照“MOS光刻BOE腐蚀作业指导书”BOE腐蚀操作记录1次每批做片前光刻光刻清洗换酸登记表换酸□氧化层腐蚀速率675±50Å/min膜厚测试仪5点/片1片/每班光刻SPC控制通知工程师□腐蚀液温度20±1℃设备自动检测1次每次运行光刻设备自动报警通知工程师□测试膜厚仪1剩余氧化层参照工艺流程卡膜厚测试仪5点/片1片/篮检测工艺流程卡通知工程师□1烘箱坚膜温度120±15℃温度计一次每月一次注入烘箱点检□2坚膜时间30min计时器一次每批注入工艺流程卡□□□□□□□□□□□通知工程师停止做片，通知工艺，设备工程师处理停止做片，通知设备工程师处理停止做片，异常片隔离，通知工艺处理停止做片，通知设备工程师处理每天查看SPC监控数据员工做片前检查员工做片前检查确认分析器数值是否在范围内员工做片前检查注入注入注入注入每天一次；更换源气；设备大清理维修后；设备参数调整；动力条件停供恢复后每批每批每批一片一次一次一次RS75面板显示操作人员确认操作人员确认940±90Ω/□5.00E-06350D-1:13.0±0.5350D-2：13.0±0.5300XP：12.0±0.5主波形成M状，X轴Y轴波形3个波峰一致，左右对齐扫描波形设备SPC监控初始真空注入离子种类411123DNS、TEL、SVGGCA、SVGBOE腐蚀槽烘箱350D-1/350D-2/300XP显影坚膜BOE腐蚀21℃坚膜P+注入一次注入一次光刻一次腐蚀制程控制4564□□□□□1压力PRE=2±0.7Torr控制面板显示1次每次运行刻蚀设备自动报警通知工程师□2MFC气体流量O2=2±0.5L/minN2=0.2±0.05L/min控制面板显示1次每次运行刻蚀设备自动报警通知工程师□1换酸周期参照“MOS光刻3#液去胶作业指导书”光刻去胶登记表1次每批做片前光刻光刻清洗换酸登记表换酸□2去胶液温度标准温度145度，控制范围125-170℃；温度计1次1次/班光刻光刻清洗温度检控表通知工程师□目检紫光灯1表面检查参照“检验卡”紫光灯参照“检验卡”参照“检验卡”检测工艺流程卡参照“检验卡”□1煮酸时间10分钟面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师□2酸液温度125±5℃控制面板显示的温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师□3换液周期12小时以内或1800±200片做片前查看扩散工序清洗记录换液时间和累计做片量Inspectcleaningrecord1次每次做片前扩散MOS清洗液更换记录通知工程师□4清洗液配比H2SO4(10L):H2O2(0.5L)=20:1按照设备上贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制□5颗粒度0.5um以上颗粒增加数量≤100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录设备down机标识，打扫相关部位卫生，测试合格后生产Markdown,cleaningequipment,checkout停止做片，隔离，通知工艺工程师处理停止做片，隔离，通知工艺工程师处理员工做片前检查员工做片前检查注入注入每次做片前每次做片前一次一次面板显示面板显示4.5±1uA80kev3.2E12能量/剂量注入束流563#液清洗槽清洗台350D-1/350D-2/300XP915/A1000等离子去胶H2SO4+H2O2H2SO4+H2O2P+注入一次注入一次腐蚀去胶一次扩散制程控制6785□1煮酸时间10分钟面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师□2酸液温度65±5℃控制面板显示的温度1次每次做片前扩散目视控制面板温度显示通知工程师□3换液周期2h内有效查看做片记录1次每次做片前扩散MOS清洗液更换记录通知工程师□4清洗液配比NH4OH：H2O2:H2O=1:1:5按照设备上贴的配比标签配液，按瓶上刻度配酸1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制□5颗粒度0.5um以上颗粒增加数量≤100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师□1换液周期12小时查看做片记录1次每次做片前扩散MOS清洗液更换记录通知工程师□2清洗液配比HF：H2O=1：20按照设备上贴的配比标签配液，用量杯取液1次每次换液扩散每次配液前查看配比标签停用，重新配制□3漂酸时间20秒面板显示的时间1次每批扩散程序控制器计时，报警通知工程师□4颗粒度0.5um以上颗粒增加数量≤200个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每周扩散颗粒度测试记录通知工程师□1洗管干洗管道/1周2次，湿法洗管/每2月1次工艺记录，洗管记录1次每2月扩散洗管记录通知工程师□2炉温1150±1℃1000±1℃控制面板显示的温度口、中、里3点位置每炉记录1次扩散MOS扩散程序运行点检表通知工程师□3气体流量N2：8±0.4LO2：4±0.20LH2：7±0.35L控制面板显示的气体流量1次每炉记录1次扩散MOS扩散程序运行点检表通知工程师□4排风0.5--1.5inchofwater查看表头显示1次每班扩散日常点检记录通知工程师□5颗粒度0.5um以上颗粒增加数量≤100个使用4500表面沾污测试仪测试颗粒个数1次每1周扩散颗粒度测试记录通知工程师□6CV、Vgs测试CV:|shift|0.2VVgs0.08V/ACV测试仪，576测试仪1次每两周扩散电子表格通知工程师清洗台清洗台9#，22#1#液清洗20：1HFP+扩散（程序）一次扩散制程控制86□测试膜厚仪1氧化层厚度Tox：9500±500Å膜厚测试仪(1#程序)5点/片2片/批扩散SPC控制通知工