模拟电子技术课程习题-第一章--常用半导体器件

第一章常用半导体器件1.1在晶体管放大电路中，测得晶体管的各个电极的电位如图1.1所示，该晶体管的类型是[]A.NPN型硅管B.PNP型硅管C.NPN型锗管图1.1e2V6VcD.PNP型锗管1.3Vb1.2某三极管各个电极的对地电位如图1-2所示，可判断其工作状态是[]A.饱和B.放大C.截止图1.2D.已损坏1.3在如图1.3所示电路中，当电源V=5V时，测得I=1mA。若把电源电压调整到V=10V，则电流的大小将是[]A.I=2mAB.I2mAC.I2mAD.不能确定图1.31.4在如图1-7所示电路中电源V=5V不变。当温度为20OC时测得二极管的电压UD=0.7V。当温度上生到为40OC时,则UD的大小将是[]A.仍等于0.7VB.大于0.7VC.小于0.7VD.不能确定图1.41.5在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于[]A.温度B.掺杂工艺C.杂质浓度D.晶体缺陷1.6对于同一个晶体管而言，反向电流最小的是[]A.ICBOB.ICESC.ICERD.ICEO1.7二极管的主要特性是[]A.放大特性B.恒温特性C.单向导电特性D.恒流特性1.8温度升高时，晶体管的反向饱和电流ICBO将[]A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.9下列选项中，不属三极管的参数是[]A.电流放大系数βB.最大整流电流IFC.集电极最大允许电流ICMD.集电极最大允许耗散功率PCM1.10温度升高时，三极管的β值将A.增大B.减少C.不变D.不能确定1.11在N型半导体中，多数载流子是[]A.电子B.空穴C.离子D.杂质1.12下面哪一种情况二极管的单向导电性好[]A.正向电阻小反向电阻大B.正向电阻大反向电阻小C.正向电阻反向电阻都小D.正向电阻反向电阻都大1.13在如图1.13所示电路中，设二极管的正向压降可以忽略不计，反向饱和电流为0.1mA,反向击穿电压为25V且击穿后基本不随电流而变化，这时电路中的电流I等于[]A.0.1mAB.2.5mAC.5mAD.15mA图1.131.14在P型半导体中，多数载流子是[]A.电子B.空穴C.离子D.杂质1.15下列对场效应管的描述中，不正确的是[]A场效应管具有输入电阻高，热稳定性好等优点；B场效应管的两种主要类型是MOSFET和JFET；C场效应管工作时多子、少子均参与导电；D场效应管可以构成共源、共栅、共漏这几种基本类型的放大器。1.16在放大电路中，场效应管应工作在漏极特性的[]A.可变电阻区B.截止区C.饱和区D.击穿区1.17表征场效应管放大作用的重要参数是[]A.电流放大系数βB.跨导gm=ΔID/ΔUGSC.开启电压UTD.直流输入电阻RGS1.18下列选项中，不属场效应管直流参数的是[]A.饱和漏极电流IDSSB.低频跨导gmC.开启电压UTD.夹断电压UP1.19双极型晶体三极管工作时参与导电的是[]A多子B少子C多子和少子D多子或少子1.20双极型晶体三极管在放大状态工作时的外部条件是[]A发射结正偏，集电结正偏B发射结正偏，集电结反偏C发射结反偏，集电结反偏D发射结反偏，集电结正偏1.21选择括号中的答案填空（只填答案a、b、c、……）。1、在杂质半导体中，多数载流子的浓度主要取决于，而少数载流子的浓度则与有很大关系，（a.温度，b.掺杂工艺，c.杂质浓度，d.晶体缺陷）2、当PN结外加正向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。当PN结外加反向电压时，扩散电流漂移电流，耗尽层。(a.大于，b.小于，c.等于，d.变宽，e.变宽f.不变)3、温度升高时，晶体管的电流放大系数β，反向饱和电流ICBO，正向结电压UBE。(a.变大，d.变小，c.不变)4、温度升高时，晶体管的共射输入特性曲线将，输出特性曲线将，而且输出特性曲线之间的间隔将。(a.上移，b.下移，c.左移，d.右移，e.增大，f.减小，g.不变)1.22用大于号()、小于号()或等号(=)填空：1、在本征半导体中，电子浓度空穴浓度；2、在P型半导体中，电子浓度空穴浓度；3、在N型半导体中，电子浓度空穴浓度。1.23判断下列说法是否正确，并在相应的括号内画√或×。1、P型半导体可通过在纯净半导体中掺入五价磷元素而获得。（）2、在N型半导体中，掺入高浓度的三价杂质可以发型为P型半导体。（）3、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（）4、PN结构的扩散电流是载流子在电场作用下形成的。（）5、漂移电流是少数载流子在内电场作用下形成的。（）6、由于PN结交界面两边存在电位差，所以，当把PN结两端短路时就有电流流过。（）7、PN结方程可以描述PN结在的正向特性和反向特性，也可以描述PN结的反向击穿特性。（）8、通常的BJT管在集电极和发射极互换使用时，仍有较大的电流放大作用。（）9、通常的JFET管在漏极和源极互换使用时，仍有正常的放大作用。（）10、有人测得某晶体管的UBE=0.7V，IB=20μA，因此推算出rbe=UBE/IB=0.7V/20μA=35kΩ。（）11、有人测得晶体管在UBE=0.6V，IB=5μA，因此认为在此工作点上的rbe大约为26mV/IB=5.2kΩ。（）12、有人测得当UBE=0.6V，IB=10μA。考虑到当UBE=0V时IB=0因此推算得到0.6060()100BEbeBUrkI（）1.24选择正确的答案填空：1、用万用表判别放大电路中处于正常工作的某个晶体管的类型（指NPN型还是PNP型）与三个电极时以测出最为方便。a.中极间电阻b.各极对地电位c.各极电流2、一个硅二极管在正向电压UD=0.6V时，正向电流ID=10mA。若UD增大到0.66V（即增加10%），则电流ID。a.约为11mA（也增加10%）；b.约为20mA（增大1倍）；c.约为100mA（增大到原先的10倍）；d.仍为10mA（基本不变）。3、设电路中保持V=5V不变，当温度为20℃时测得二极管的电压UD=0.7V。当温度上升到40℃时，则UD的大小将是。a.I=2mAb.I2mAc.I2mA1.25填空：1、半导体中载流子的基本运动形式有：和。2、二极管的最主要特性是，它的两个主要参数是反映正向特性的和反映反向的特性的。3、在常温下，硅二极管的开启电压约V，导通后在较大电流下的正向压降约V；锗二极管的开启电压约V，导通后在较大电流下的正向压降约V。4、场效应管从结构上分成和两大类型。它们的导电过程仅仅取决于载流子。5、场效应管属于控制型器件。6、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参于导电。7、双极型晶体管从结构上看可以分成和两种类型，它们工作时有和两种载流子参与导电。场效应管从结构上分成和两大类型，它们的导电过程仅仅取决于载流子的流动。8、场效应管属于控制型器件，而晶体管若用简化的h参数等效电路来分析则可以认为是控制型器件。9、晶体三极管用来放大时，应使发射结处于偏置，集电结处于偏置。10、晶体管穿透电流ICEO是集-基反向饱和电流ICBO的倍。在选用管子时，一般希望ICEO尽量。11、某晶体管的极限参数PCM=150mW，ICM=100mA，U(BR)CED=30V。若它的工作电压UCE=10V，则工作电流IC不得超过mA；若工作电压UCE=1V，则工作电流不得超过mA；若工作电流IC=1mA，则工作电压不得超过V。12、已知某晶体管的fT=150MHz，050，则当其工作频率为50MHz时||。1.26对于硅二极管：1、在室温下，当反向电流达到其反向饱和电流Is的95%时，反向电压是多少？2、计算偏压为+0.1V和-0.1V时，相应的正向电源和反向电流的比的绝对值。3、设反向饱和电流为10mA，计算电压为0.6V时的电流，并说明此结果与实际不符的原因。1.27指出以下几种半导体器件中，哪些是普通硅二极管，哪些是普通锗二极管，哪些是硅稳压管：3AX22，2CZ11，3DG4。2AP6，3DJ13，2CP10，3DO1，2CW11。1.28甲、乙、丙三个二极管的正、反向特性如表1.28所示，你认为哪一个二极管的性能最好？请在相应的括号内画√（只允许画一个）。表1.28管号加0.5V正向电压时的电流加反向电压时的电流哪个性能最好？甲0.5mA1μA()乙5mA0.1μA()丙2mA5μA()1.29在表1.29中，比较晶体管和场效应管两种器件的性能，在你认为正确的栏中画√：表1.29性能晶体管场效应管静态输入电流哪个小些？放大作用哪个大些（静态电流相同时）？受温度影响哪个小些？1.30在某放大电路中，晶体管三个电极的电流如图1.30所示。已量出I1=-1.2mA，I2=-0.03mA，I3=1.23mA。由此可知：1、电极①是极，电级②是极，电极③是极。2、此晶体管的电流放大系数约为。3、此晶体管的类型是型（PNP或NPN）。1.31测得工作在放大电路中两个晶体管的三个电极电流如下图所示l1l2l3T①②③图1.30（1）判断它们各是NPN管还是PNP管，在图中标出e，b，c极；（2）估算(b)图晶体管的和值。1.32判断各图1.32中二极管导通状态，并标出oU的值。各二极管导通电压DU0.7V。1.33已知晶体管工作在放大区，并测得各电极对地电位如图1.33所示。试在图中画出各晶体管的电路符号，并说明是锗管还是硅管。1.34写出晶体管在共基接法下的电流分配关系式ic=f(iE)：。写出晶体管在共射接法下的电流分配关系式ic=f(iB)：。1.35NPN型晶体管在什么情况下IB=-Ic？设电流正方向为流向电极。1.36下列四组晶体三极管的关系式分别代表三极管的什么特性曲线？1、()|EEBCBifuU(共极输特性)；2、()|CCBEifuI(共极输特性)；3、()|BBECEifuU(共极输特性)；图1.32图1.334、()|CCEBifuI(共极输特性)；1.37写出晶体三极管α与β之间的关系式。1.38扼要回答PN结、双极型晶体管和场效应管的主要特性及其相对应的主要用途。1.39计算：1.已知晶体管的电流放大系数a=0.98，Ic=1mA，求IB。设忽略ICBO。2.已知场效应管的IDSS=5mA，UGS(off)=-4V，求当UGS=-2V时的gm。两个2CW15型稳压管，其稳定电压分别是8V和7.5V，正向压降为0.7V。如果把这两个稳压管串联，试问可能得到几种不同的稳压值（画出电路加以表示）？1.41电路如图1.41所示，若UI=10V，R=100，稳压管DZ的稳定电压UZ=6V，允许电流的变动范围是Izmin=5mA,Izmax=30mA,求负载电阻RL的可变范围。图1.411.42二极管电路如图1.42（a）所示，设二极管为理想的。（1）试求电路的传输特性（vo～vi特性），画出vo～vi波形；（2）假定输入电压如图1.42（b）所示，试画出相应的vo波形。1.43稳压管稳压电路如图1.43所示。已知稳压管稳压值为5伏，稳定电流范图1.42图1.43围为10mA~50mA，限流电阻R=500。试求：（1）当?1,200UKRVULi时，（2）当?100,200URVULi时，