集成电路版图设计

整理文档很辛苦,赏杯茶钱您下走!

免费阅读已结束,点击下载阅读编辑剩下 ...

阅读已结束,您可以下载文档离线阅读编辑

资源描述

1Full-custom设计系统环境完整的Full-custom设计环境包含设计资料库-CadenceDesignFrameworkII-电路编辑环境-Texteditor/Schematiceditor–电路仿真工具–Spice/ADS/Spectre–版图设计工具-Cadencevirtuoso/(Ledit)–版图验证工具–Diva/Assura/Calibre/dracula系统环境–工作站与unix-based操作系统–PC与windows操作系统(非主流)2•与Cadence有关的几个重要文件•.cshrcshell环境设定执行档•.cdsinitCadence环境设定档•cds.libCadence环境资料库路径设定档•display.drfCadenceLayouteditor颜色图•样设定档•Technologyfile包含与工艺相关的参数345原理图编辑与仿真流程1.建库2.建底层单元3.电路图输入4.设置电路元件属性5.Check&Save6.生成symbol6一、建立自己的library,cell和viewLibrary自己将要设计的版图所要存放的库Cell设计的每一模块单元View单元的格式,有schematic,symbol,layout等1.建库7•在自己的目录下启动Cadence:icfb&•选择CIW中的菜单:File-New-Library…•指定库名、路径和工艺文件•或直接利用前面已经建好的library:lab891011121314新建一个库文件2.创建基本单元15库名定义为mydesign1,然后连接到所需要的库中(gpdk)16•选择CIW中的File-New-•CellView…•选择libraryname:•输入cellname:inverter•选择Tool:Composer-•schematic,这时Viewname•自动变为:schematic•按OK进入schematiceditor17新建一个cell,用来制作反相器18193.电路图输入20利用Add-instance添加元件,添加一个pmos21修改长度为350nm,宽为1um22同样生成一个nmos,长350nm,宽500nm234.定义元件属性2425Wire连接•单击wire(narrow)按钮•鼠标单击选中起始点;•再点击鼠标选中第二点;•双击——画出终点;•Wire(wide)的绘制方法与此相同,二者无本•质区别。26添加wirename•点击wirename按钮•输入节点名•点击目标wire,放置•Wirename相当于给•节点命名,同名节•点被认为是一个电•气节点。27基本编辑操作•复制/移动:点击工具栏复制/移动按钮或按“c”/“m”;–单击操作对象,该对象就会粘到鼠标指针上,如果想把几个对象作为一个整体一起移动,则要先选中所有操作对象;再次单击一下鼠标,放置对象。•删除:点击delete按钮或按“d”,选中要删除的对象;28基本编辑操作•Undo:点击Undo按钮或按“u”;•改变编辑模式:在按过功能按钮后系统会保持相应的编辑状态,因此可以连续操作。•模式切换:按其它按钮•退出当前模式:按Esc键。•查看、更改属性:点击”Instanceproperties”按钮或按“q”29生成以后进行连线,添加IO口之后得到如下图305.电路检查与保存•点击check&save按钮•错误内容:CIW窗口会显示错误说明。•常见的错误有:节点悬空、输出短路、输入开路316.自动创建symbol•选择COMPOSER的菜单:Design-CreateCellview-FromCellview…•弹出窗口中已自动设置好library:cellview,检查无误OK32自动创建symbol•设置PIN的名字和位置33修改symbolview34二版图编辑与验证•–建新的designlibrary:lab••点击FileÆnewÆlibrary弹出newlibrary窗口••在name框键lab,右边选attachtoanexistingtechfile••在弹出的窗口中选工艺库:chrt35rf•–在lab下建立一个cellview:inv:layout••点击FileÆnewÆcellview弹出createnewfile窗口••Libraryname:lab;cellname:inv;tool:选virtuoso1.新建一个library/cell/view35进入XL进行编辑3637在virtuoso中使用genfromsource命令生成器件,IO口修改为第一层金属,然后apply3839点OK之后出现下图进行display设置40修改displaylevels和单元间距然后就可以对器件进行放置,连线等OK41设置一个命令,此后每当你选择一个命令之后都会弹出一个菜单,根据需要可以修改相应的参数。42使用path命令弹出一个菜单,要连接栅极选择GT,修改宽度0.3543点击要连线的地方:44最后得到的反相器版图452.版图编辑操作•选取版图的层•–矩形(recangle)、线(path)•–标尺(ruler)的使用•–图形尺寸调整(stretch)•–图形的移动和旋转•–图形的复制,删除•–图形属性修改46版图编辑操作•图形的合并(merge)•–加contact(四种,三种接触孔,一种过孔)•–定义multipath•–加Pin•–调用已画单元(cell)•–注意热键的使用•–注意ESC的使用47•f:全景图ctrl+z:放大shift+z:缩小•shift+f:详细版图(非symbol)u:undo•w:上一界面i:调用器件•q:看属性r:画矩形•p:固定长度的可折线l:lable标注端口、电源、地等。所标识的金属层,用该层TEXT层标识。如,M6层金属则选择M6TEXT层。•s:拉伸收缩•Shift+C:把线断开(注意:先选中线,再操作)•Shift+M:merge(同上,先选中线)•k:标尺•shift+k:取消标尺•shift+x:进入调用器件的下层•shift+b:返回上层•在ICFB窗口的OPTIONS里选择USERPREFERENCES,改变undo次数。483.版图验证•由于加工过程中的一些偏差,版图设计需满足•工艺厂商提供的设计规则要求,以保证功能正•确和一定的成品率•–DRC:Designrulecheck49作业•1建立一个工作目录,姓名学号简称,然后进入该工作目录•2将display.drf拷到工作目录下。•3用Vi编写cds.lib加入INCLUDE•4启动ic5141•5在工作目录下新建一个库并用gpdk工艺,用最小尺寸做一个cell名为inv,画一个反相器•6生成symbol•7再做一个cell为invtest加入电源、地和vpulse(周期为1ns)•8仿真看瞬态波形5ns。•9打开inv生成layout•10用DRC检查直到error为0.•写实验报告,电子版。内容包括实验名称、实验内容、实验结果包括(电路图、symbol、测试电路、仿真结果(输入输出信号的波形)、版图、DRC报告(错误图及说明(中文)、修改结果)

1 / 49
下载文档,编辑使用

©2015-2020 m.777doc.com 三七文档.

备案号:鲁ICP备2024069028号-1 客服联系 QQ:2149211541

×
保存成功