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浙江大学硕士学位论文MOCVD法生长硅基六方相GaN薄膜及其性质研究姓名：洪炜申请学位级别：硕士专业：材料物理与化学指导教师：叶志镇20050601MOCVD法生长硅基六方相GaN薄膜及其性质研究作者：洪炜学位授予单位：浙江大学本文链接：
