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重庆航伟光电科技有限公司AssociatedOpto-Electronics(Chongqing)Corp.四象限SiPIN光电探测器GT111,112技术指标(Ta=23℃)参数符号测试条件典型/单元单位光敏面直径ΦGT111GT112μm光谱响应范围λ0.4-.1.1响应度ReVR=40V,λ=1060nmVR=40V,λ=900nm0.20.450.20.45A/W光参数响应时间trVR=40V68暗电流IDVR=40V1010反向击穿电压VBRIR=10μA8080电参数电容Cjf=1MHz,VR=40V58工作电压VR40V管座型号TO-8型特性曲线特点应用原理器件是反向偏置的半导体二极管阵列，由于器件是象限化的，因此当被测物体的光幅射到器件各个象限的辐射通量相等时，则各个象限输出的光电流相等。而当目标发生偏移时，由于象限间辐射通量的变化，引起各个象限的输出光电流的变化，由此可测出物体的方位，从而起到跟踪、制导的作用。u低暗电流u高均匀性、高对称性u高可靠性u盲区小u激光瞄准、制导跟踪及探索装置u激光微定位、位移监控等精密测量系统。图1光谱响应曲线图2电容与电压关系曲线图外形尺寸及使用简图(管脚皆为背面示意图)11.04.20.50.513.017.993214.075515.214.0A2BD5CTO-8型注意事项²器件在反向偏置条件下工作。.²使用中防止剧烈震动、冲击，以免光窗损坏。²在贮运、使用过程中必须采取静电防护措施，以免器件失效。GT111、GT112ABCD2、500.10.20.30.40.50.60.40.50.60.70.80.911.11.2波长um响应度Re（A/W）0102030400102030405060电压（V）电容（PF）