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资料Si3N4在化学上是一种惰性的绝缘材料，具有较高的热稳定性和介电性能。它于SiO2相比，具有以下优点：1）Si3N4的掩蔽能力很强，不仅能掩蔽SiO2所能掩蔽的硼、磷、砷等杂质的扩散，而且还能掩蔽SiO2所不能掩蔽的镓、锌、氧等杂质的扩散；2）Si3N4的介电强度和对同种杂质的掩蔽能力都比SiO2强，因而可得到更高的击穿电压和更薄的钝化膜，提高光刻的分辨率；3）Si3N4的化学惰性远比SiO2强，离子在Si3N4中的漂移速度比在SiO2中小，对于严重影响表面稳定性的Na+之类的离子具有阻断作用，使器件性能更为稳定；4）Si3N4通常是在较低温度下由其相淀积生成的，因此应用较为广泛。目前，一般采用SiO2-Si3N4双层或多层结构钝化膜来进一步改善表面保护的性能。腐蚀是利用化学或物理方式对氧化硅膜、氮化硅膜和金属膜等进行刻蚀加工的工艺。刻蚀分为使用腐蚀液的湿法腐蚀和采用原子游离基、分子游离基以及离子等的干法刻蚀两种方法。湿法刻蚀是利用溶液中发生化学反应来进行腐蚀的方法。以光刻胶作为掩蔽，湿法刻蚀在纵、横两方向将以同样比例进行腐蚀，称此为各向同性腐蚀。SiO2光刻胶光刻胶SiO2A）各向同性B）各向异性·湿法刻蚀·干法刻蚀·干法刻蚀干法刻蚀有等离子刻蚀的各向同性方法，但是，反应离子刻蚀（RIE）、溅射刻蚀由于在纵向是选择性刻蚀，故称为各向异性刻蚀。Si3N4等离子刻蚀的气体通常有CF4、SF6、SiCl4、NF3等置入等离子场中的分子因等离子能量的激励，生成了活性的游离基分子、原子，这些活性游离基分子、原子引起化学反应，形成挥发性产物，而使被蚀物剥离去掉。游离基种类不受电场影响而处于向四面八方的热运动之中，故成为各项同性。另外，当用氧气作为反应气体时，氧等离子可以去除生成的光刻胶等的有机物。游离基分子、原子挥发性生成物掩模等离子刻蚀氮化硅是一种具有很高的化学稳定性的绝缘材料,它比二氧化硅更加耐酸,除HF和热磷酸能缓慢地腐蚀它外,其他的酸几乎不与它反应.但是氮化硅对强碱和氧化剂是不稳定的.由于氮化硅膜致密,气体和水气难以透入,疏水性好,针孔密度低,导热性能比SiO2好.氮化硅的掩蔽能力很强,不仅能掩蔽二氧化硅所能掩蔽的硼、磷、砷等杂质的扩散，而且还能掩蔽二氧化硅所不能掩蔽的镓、锌和氧等杂质的扩散；氮化硅的介电强度和对同种杂质的掩蔽能力都比二氧化硅强，因而得到更高的击穿电压和更薄的钝化膜，提高光刻的分辨率。由于金属-氮化硅-半导体（MNS）结构具有界面不稳定性，而且由于硅-氮化硅之间的匹配不如硅-二氧化硅，有较大的界面态，一般都要求氮化硅与硅之间有一层二氧化硅，以改进界面性能。采用这种复合介质层的器件结构，常称为金属-氮化硅-二氧化硅-半导体（MNOS）结构。这样一来，氮化硅起着屏蔽外界离子和减小钠离子漂移的作用，而夹在中间的二氧化硅层则有降低界面态密度、提高表面载流子迁移率的作用，从而就兼有了二氧化硅-硅界面及氮化硅的双重好处。