可控硅工作原理及参数详解

流管结构用于个控压、由昀控制只三Q2都 可控硅全称管（Thyristor构简单、功能于各种电子产其原理图符 从可控硅的控制极G，正是大电流的大可控硅的基三个PN结昀外层P型半制极G，由昀三极管电路。下面我们来如下图所示都处于截止状1 称“可控硅整），是一种具能强，可起到变产品中，如调符号如下图所的电路符号可是它使得可控大功率器件，基本结构如下结（J1、J2、半导体材料引外层的N型 来看看可控硅示，初始状态状态，两者地Au 可控整流元件”（Si具有三个PN结变频、整流、光灯、摄像机所示： 可以看到，它和控硅具有与二随着设计技下图所示： J3）组成4出的电极作半导体材料引硅的工作原理态下，电压VA地盘互不侵犯uthor: Jackie Lo All控硅参数详ilicon Contro结、四层结构、逆变、无触机、无线电遥和二极管一样二极管完全不术和制造技术层P1‐N1‐P2为阳极A，由引出的电极称： AK施加到可控犯。 ong rightsreserved,详解 lled Rectifier构的大功率半触点开关等多遥控、组合音 样是一种单方不同的工作特术的进步，越2‐N2结构的半由中间的P型称为阴极K，控硅的A、KNOSpreading），简写为S半导体器件。多种作用，因音响等。 方向导电的器特性。可控硅越来越大容量半导体器件对型半导体材料它可以等效两个端，此时withoutAuthorSCR，别名晶可控硅体积因此现已被广器件，只是多硅是可以处理量化 。  对外有三个电料引出的电极效成如图所示时三极管Q1ization 体闸积小、泛应了一理耐高 电极，极称为示的两1与电压Repe产生也为大于伏，此时VAK电压压VDRM（Peaetitive Off‐St 如下图所示生了基极电流为0，电阻R2于VBE2，即使因此，三极2 压全部施加到k Repetitive tate Current）示，电压VGK施流IB2，此时Q2上也没有压使是在测试数据极管Q2的发射Au 到A、K两极 Off‐State V） 施加到G、KQ2尚处于截止压降，因此Q据手册中的参射结正偏、集uthor: Jackie Lo All 极之间，这个允Voltage），相两极后，Q2止状态，可控Q2的集电极‐参数时，VAK集电结反偏，ong rightsreserved,允许施加的昀相应的有断态2的发射结因控硅阳极电流发射电压VC也至少有6V开始处于放NOSpreading昀大电压VAK重复峰值电流因正向偏置而流IA为0，QE2为VAK，这V，实际应用放大状态。  withoutAuthor 即断态重复流IDRM（Pea而使其导通，Q1的基极电流这个电压值通用时VAK会有几ization 峰值ak 从而流IB1通常远几百门极VGK） 为IC小（时的只有在G、极触发电压V），此时流过刚刚进入放C2，其值为（（但是已经不的Q2的集电极3 K加上正向电VGT（Gate Trig过控制极的电流放大状态（微导（IB2×β2），不为0了），极‐发射极压Au 电压后，才可gger Voltage流称为门极触导通）的三极尽管放大了电阻R2中也压降仍然很大uthor: Jackie Lo All可以触发可控），这个值就触发电流IGT极管Q2将基β2倍，但此也有微小电流。 ong rightsreserved,控硅的导通，就是一个PN结（Gate Trigg基极电流IB2进此时的IC2还流，可以看成NOSpreading这个触发电结的结电压er Voltage）进行放大，相比较小，因此成一个完整的withoutAuthor电压的昀小值（不是电池电  相应集电极的此IA与IB1也的电流回路，ization 值称为电压电流比较但此只要极电机终经Q与此同时，三要基极设置合电流IC2的出现处于微导通终于成熟了，Q1放大后，其4 三极管Q1的合适的电压，现，使得三极通状态的三极三极管Q1也其集电极电流Au 发射极一直就可以进入放极管Q1有机极管Q2形成的也因此刚刚进流IC1=（IB2×uthor: Jackie Lo All是VAK（昀高电放大状态，所可乘。 的回路使三极进入放大状态×β2×β1），ong rightsreserved,电压），集电极所以一直卧薪极管Q1基极态（微导通）！这个电流值NOSpreading 极一直是较低薪尝胆、蛰伏极所欠缺的电压！由于IB1与值又比IC2增大withoutAuthor低的电压（VBE伏待机。Q2集压一步到位IC2是相同的大了β1倍。 ization E2），集电，时的，IB1 这边电流×β大，结电On‐S案”，面了用时可控K两流IG加的可控Reve三极管Q1放边来，因为电流IB2被替换成所谓人多好β2×β1×β在这个过程昀终Q2饱和当Q1与Q2电压VBE2 + Q2State Voltage 可以看到，V，原来R2电了。  可控硅完全时，VAK通常是控硅元件可以两极的电流即GM（Forward当VAK是交流的昀大电压称控硅阻断时的erse Blocking 5 放大后的集电电压VGK肯定比成了（IB2×β好办事，这个更2），然后又程中，三极管和了（Q1也2充分导通后2集电极‐发射e） VAK的电压值电阻上没有任全导通后，流是交流电压以连续通过的为门极电流d Peak Gate V流电源的负半称为反向重复的电阻不是无g Current）。 Au 电极电流IC1比VBE2要高，β2×β1），比更大的基极电又重复被两个Q2的集电极也不甘示弱，后（可控硅导射极饱和电压值昀终全部加任何压降，VG过A、K两极（如220VAC）的工频正弦半IG（Gate CurVoltage） 半周时，可控复峰值电压VR无穷大，此时的uthor: Jackie Lo All无处可逃，只，水往低处走比原来增加了电流IB2第二三极管交互进极‐发射极压降节奏妥妥地导通），A、K两压VCE1，这个到电阻R2上K电压触发可极的电流即为），因此常将波电流（在一rrent），这个控硅因为A、RRM（Peak Re的电流称之为ong rightsreserved,只好往Q2的走），IC1就变了（β2×β次被三极管进行正反馈放降越来越小，跟上），昀后两极之间的压个电压称为正上面，整个过程可控硅后，VA为通态电流IT将此参数标记一个周期内）个门极控制电K两极加反epetitive Rev为反向重复峰NOSpreading的基极去钻（不变成了IB2，三1）倍。 Q2放大，此放大，周而复阳极电流IA后就成为下图 压降很小，其正向通态电压程就是由电压AK电压就全部（On‐State C记为通态平均）的平均值，电流不应超过向电压而阻断erse Blocking峰值电流IRRMwithoutAuthor不会跑到电阻三极管Q2的基此时的IC2就是复始。 A的电流也越图所示的： 其实就是Q1压VTM（Forwa压VGK引发的部加在电阻RCurrent），实电流IT（RMS），，而此时流过过门极昀大峰断，此时允许g Voltage），M（Peak Repetization 阻R1基极是（IB2越来越发射ard 的“血R2上实际应，指过G、值电许施由于titive 控硅有很对应灯泡这两个值与硅阻断状态下 如果在可控很小的反向漏应的电压称为  上面我们只泡，如下图所当G、K两极6 与之前介绍的下测量的，而控硅阳极A与漏电流流过。为反向不重复只是把R2（与所示： 极没有加正向Au IDRM、VDRM是而IRRM、VRRM是与阴极K间加当反向电压增复峰值电压VR与R1）作为象向电压时，Author: Jackie Lo All是一样的，只是在可控硅A加上反向电压增大到某一数RSM（Peak No象征性的限流A、K之间相当ong rightsreserved,只不过IDRM、A、K极接反时，开始可控数值时，反向on‐Repetitive流电阻，其实当于是断开的NOSpreadingVDRM是在控反向电压下测控硅处于反向向漏电流急剧e Surge Volta实R2完全可以的，灯泡不亮withoutAuthor控制G极断开量的。 向阻断状态，剧增大，这时age）。 以是负载，如亮 ization 开、可只时，所如电 发光当G、K加上光。  由地盘之争 但是还有下 如果在A、 7 上正向电压后争引发的血案下文哦！ K之间充分导Au 后，A、K之间案就此完结！导通后，我们uthor: Jackie Lo All间相当于短路们拿掉电压Vong rightsreserved,路，所以VAKVGK企图让灯NOSpreadingK电压全部加泡熄灭，如下withoutAuthor加在电灯泡上下所示： ization  上使其VGK硅的流IH并移数倍 很遗憾，没已经没有利用的继续导通。 在门极G开H（Holding c移除G极触发倍。 导演，我没看8 没有成功，灯用价值了，尽 开路时，要保urrent）。还有发信号后，能看懂这两者有Au 灯泡还是一往尽管没有VG保持可控硅能有一个擎住电能维持导通所有什么区别！uthor: Jackie Lo All往无前地发射GK，可控硅内能处于导通状电流IL（Latc所需的昀小电其实这与数字ong rightsreserved,射出嘲笑我们内部还是会有状态所必须的ch current），电流。对于同字电路中的电NOSpreading的刺眼光芒有三极管电流的昀小正向电是可控硅刚一可控硅，通电平是相似的withoutAuthor 芒，因为这个流正反馈维持电流，称为维刚从断态转入通常IL约为的，如下图所 ization 时候持可控维持电入通态IH的所示： 个低可，阻断大B硅就什么简单下图但还极峰 极、如果一个低低电平变成了维持这个高 那么有什么 有一种办法断了，灯泡也BOSS，但让我就断开了（或 但问题是，么让我下台？狡兔死，走单的办法让灯图所示：  将电压VGK还是无法成功如果反向电峰值电压IGM 上面我们讨阳极端受控9 低电平要让另了高电平，继高电平的代价么办法让电灯法很明显，就也会随之熄灭我为你开路总或在A、K两极大多数时候老子有的是走狗烹，电压灯泡熄灭。你反向接入G功，因为可控电压增大到某（Reverse Pe讨论的是常用控的可控硅，其Au 一方认为是继续让另一方认价显示更低一灯泡灭呢？ 就是使电流IA灭，也就是把总得留下点买极加反向电压VAK的电压不是钱！ VGK深谙其中丫的，我给你、K两极后，控硅导通后处某一数值时，反eak Gate Volt的P型门极其原理图符号uthor: Jackie Lo All高电平，那必认为是高电平些。 A下降到不足VAK电压降下买路钱吧！只压，其实这与不会那么容易中道理，也早你立下汗马功想让三极管于深度饱和状反向漏电流急tage），使用极、阴极端受号如下图所示ong rightsreserved,必须要超过平，只需要不足以维持内部下来。这个地只要降低电压与降低电压V易（主动）下早早从“门极功劳不让我当管Q2截止继状态，就算加急剧增大，此时不应超过此受控的可控硅示，两者的原NOSpreadingVOH（上图的不低于VIH（部正反馈过程地球人都知道压VAK让IA小VAK是一个道理下降，我帮主极关断可控硅当帮主，只有继而让可控硅加反向电压也此时所对应的此值。 ，还有一种不原理是完全一withoutAuthor的4.5V），一旦上图的3.5V程，可控硅自道，你VAK虽小于IH，那么理）。 主当得好好的硅”手中重金有拆你的台了 硅进入阻断状也是无效的。的电压称为反不常用的N一样的，读者ization 旦这）即然就虽然是可控的，凭金买