8.3.3 光刻-紫外曝光技术

1第四单元光刻技术8.3.3紫外光曝光技术光源：主要是UV，DUV水银弧光灯：i线365nm；h线405nm；g线436nm氙汞灯：200-300nm准分子激光：KrF248nm；0.35-0.18µm工艺，ArF193nm，可用于0.13µm的CMOS工艺2第四单元光刻技术8.3.3紫外光曝光技术1:1曝光系统4或5倍缩小曝光系统接触式曝光接近式曝光投影式（步进）曝光3第四单元光刻技术接近式曝光S≈5μm4第四单元光刻技术sR8.21s≥5µm，λ=400nm，a≥2µm，R=250/mm。只能用于3µm工艺接近式曝光5第四单元光刻技术投影式曝光fNAy2DnsinNA,61.0数值孔径两像点能分辨最小间隔NA在0.2-0.45之间，取0.4λ=400nm,δy=0.61μm