工艺流程

AllRightsReserved2015AllRightsReserved2015工艺流程1AllRightsReserved2015目录1.光刻工艺2.蒸镀工艺3.器件测试4.总结2AllRightsReserved20151.1光刻光刻胶是长链聚合物，正胶在感光时，曝光对聚合物起断链作用，使长链变短，使聚合物更容易在显影液中溶解。主要用来做金属层及绝缘层；负胶在曝光后，使聚合物发生交联，在显影液中溶解变慢，主要用来做隔离层。负胶正胶图正胶与负胶做出的图形示意图光刻：利用光刻胶感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点，将掩模板上的图形转移到基片上。AllRightsReserved20151.2光刻的用途光刻被广泛用于集成电路、平板显示（FPD、LCD、PDP）、照明（LED、OLED）等。光刻在OLED领域具有重要的应用，可制作金属层、绝缘层、隔离柱及光萃取薄膜等。AllRightsReserved20151.3光刻流程UV清洗检查检查前烘检查涂胶曝光显影检查去胶检查UV后烘刻蚀检查后清洗烘干注注：在做绝缘层和隔离柱时，要擦边，此外，在做隔离柱时要中烘（90℃，10min）AllRightsReserved2015序号工艺步骤仪器工艺参数备注1UV光清洗UV光清洗机120s目的分解有机物2旋转清洗旋转清洗机经过水洗、洗涤剂洗、超声水洗、氮气吹干检查薄膜清洁度，水膜均匀，无水珠3脱水处理洁净烘箱130℃烘干20min4涂胶旋转涂胶机胶液10~15ml，800rpm，20s，厚度约为1~1.5um涂胶前一定要洗手、风淋，确保操作环境整洁5检查检查涂胶脏点，单片未涂满1单粒，单片涂胶脏点3确保胶完全覆盖发光区域1.4光刻工艺AllRightsReserved2015序号工艺步骤仪器工艺参数备注6前烘洁净热板95℃，20min主要目的是除去胶液中的溶剂7检查光刻胶收缩现象，检查胶面收缩小于2mm8曝光OAI/ABM曝光机50~60mj/cm2，30s对位准确，保证曝光完全9显影旋转显影机先水洗，再旋转喷涂显影液30s，最后氮气吹干程序设定10检查激光修补机ITO图形尺寸与光刻板对应尺寸偏差不超过5um，图形要完整不能出现过显或者显影不足，否则会出现黑斑1.4光刻工艺AllRightsReserved2015序号工艺步骤仪器工艺参数备注11后烘洁净烘箱/热板110℃烘干20min主要起坚膜的作用12UV光清洗UV光清洗机清洗120s主要起分解有机物的作用13刻蚀旋转刻蚀机温度60℃，先将背面刻蚀以防止导电采用设定的程序刻蚀①14去胶半自动去胶机纯水中清洗，再放入碱性去胶液中去胶，温度40℃Mo/Al/Mo基板的去胶液与ITO基板的不同②15检查检查有无胶残留，否则重新去胶1.4光刻工艺注：①刻蚀液为HCl：HNO3：H2O=10：1：10（体积比）②Mo/Al/Mo基板的去胶液与ITO基板的去胶液不同，Mo/Al/Mo基板的去胶液的碱性偏弱AllRightsReserved20152.1蒸镀原理真空蒸镀是将待成膜的物质置于真空中进行蒸发或升华，使之在基片表面析出的过程。在OLED器件中，要求形成的薄膜具有高致密性、均一性及平整性。影响因素：材料的物性沉积速率、蒸发源、蒸发方式、腔室的结构、真空度、基板的清洁度等等。第1、2项AllRightsReserved20152.2蒸镀工艺1加料1.1确认任务书、蒸镀材料和坩埚，核对生产/研发任务书，检查物料是否齐全；1.2确认坩埚是否干净，数量和类别满足任务书要求；1.3将腔室充至大气状态，打开腔室（温度低于150℃方可充气）；1.4材料质量要求：主体材料大于2g，染料大于0.8g，其他材料大于2.5g。注意事项：1.材料的位置、蒸发源、膜厚检测器及任务书要求保持一致；2.选择合适的坩埚，若熔融，选择石英坩埚；3.EV51,EV53蒸发源位置的小挡板不能同时打开，不能同时蒸镀；4.金属腔室使用氮化硼材质的坩埚；5.一般采用蒸镀金属来优化腔室的气氛，Ag（800Å），Al（1500Å）。第9、10、11项AllRightsReserved20152蒸镀2.1装载mask，将其正面朝上装入cassette内（扁孔位于左侧），将处理过的基片膜面向下装入基片holder内，将cassette放入loading室，注意mask与基片的装载位置，方向及正反面；2.2按照任务书的要求将基片和mask传递至所蒸材料的腔室内，准备蒸镀膜层。升高到一定的温度，等到材料的速率稳定后方可蒸镀。每层材料蒸镀完成后速率下降为0时，才能蒸镀下一层。对于蒸镀的薄膜比较厚时，可采用双源蒸镀方式。注意事项：1.蒸镀主操手要正确传递基片或者mask到各个腔室，巡检人员要确认基片或者mask传递到位，记录人要记录蒸镀封装记录；2.新材料要标膜，蒸镀之前调整相应的工具因子。第3、4、5、6、11项2.2蒸镀工艺AllRightsReserved20153封装3.1封装片清洗，利用holder检查封装片的尺寸，将封装片放入超声波清洗机槽内，加入5%的碱液超声20min，然后在纯水槽中超声清洗10min，连续3次，最后一次要用50℃的水。完成后在130℃的烘箱中烘烤2小时；3.2点胶，查看封装胶出胶粗细，调节压力的大小，保证出胶均匀，在封装片上点胶，然后放入封装holder中，通过过渡腔室传递至手套箱内；3.3封装，在封装槽中贴干燥片后放在机械手臂上，手动向封装室传递封装片，注意露点仪应小于-78。封装完成后，检查，要达到无气泡和一定的展宽（2-3mm），若不符合要求，可适当调相应的平台顶紧压力和平台的平整度，封装完成后，将基片放入80℃烘箱干燥1-2小时，交给切割工序。注意事项：1.封装时，水氧指数1ppm，压强-0.02MPa~-0.03MPa；2.实验片正面UV照射3min30s，屏体正面照2min，反面照5min。第7、8、11项2.2蒸镀工艺AllRightsReserved20153OLED测试OLED的B-I-V测试主要采用Keithley2602、PR655光谱仪和亮度计进行测试。器件的寿命采用PolaronixM6000OLED寿命测试系统AllRightsReserved2015AllRightsReserved2015谢谢14