Hall8800霍尔效应测试仪(300K)

Hall8800霍尔效测试仪（300K）HallEffectMeasurementSystemHALL8800(300K)PrecisionSystemsIndustrialLimited.普西工业有限公司概述HALL8800型霍尔效应测量系统主要为结合霍尔效应及vanderpauw方法四点测量分析薄膜材料的电阻率，载子浓度（NType&PTYPE）及迁移率等相关参数信息，温度范围在室温(300K)及77K环境下测试；另外HALL8686型及HALL8888型可提供变温环境测试，温度范围分别为：77K-423K/77K-623K。薄膜材料包括Si，Ge，sige,sic,gaas,ingaas,inp,gan,zno,graphene等各类半导体材料，HALL系列霍尔效应测试仪可应用于科学研究，教育以及产品测试等研发应用。产品应用应用范围：研究半导体器件和半导体材料电学特性、精密测量半导体材料的载流子浓度、迁移率、电阻率、霍尔系数等重要参数；规格2-1samplesize:10mmx10mm----20mmx20mm样品尺寸:10mmx10mm---20mmx20mm(可定制其它各类尺寸)Samplethickness：~3mm厚度：~3mm2-2MeasurementTemperature:roomtemperature、77K(option)测试温度:室温~300K(可以选配77K低温组件)2-3MeasurementMaterial:SemiconductorsmaterialsuchasSi,SiGe,SiC,GaAs,InGaAs,InP,GaN,ITO(NType&PType)测试材质:半导体类材质、如：Si,SiGe,SiC,ZnO,GaAs,InGaAs,InP,GaN,ITO等所有半导体薄膜(P型和N型)2-4MagnetFluxDensity:0.48Tesla～0.68Tesla磁场强度:0.48Tesla～0.68Tesla(视磁铁间距不同而有所差异)2-5MagbnetStability:±2%over1years稳定性:±2%（超过一年）2-6Uniformity:±1%over30mmdiameterfromcenter均匀度：±1%(从中心点至20mm直径圆范围内)2-7PoleGap:20mm磁极间隙：20毫米2-8Outputcurrent::1nA~100mA输出电流：1nA~100mA2-9Inputvoltagerange:1μVto300V输入电压范围：1μV~300V2-10Hallvoltagerange:10uVto2000mV霍尔电压范围:10uVto2000mV2-11Resistivity(Ohm.cm):10-5to107电阻率(Ω.㎝):10-5to1072-12Mobility(cm2/Volt.sec):1~107迁移率(cm2/Volt.sec):1~1072-13CarrierDensity(cm-3):107~1021载流子浓度(1/cm-3):107~10212-14Dimensions(L/W/H):390mm*360mm*120mm尺寸：390mm*360mm*120mm2-15Weight:6.2kg重量：6.2kg