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1._非常纯净的单晶体结构的半导体_称本征半导体。2.杂质半导体分_N_型半导体和_P_型半导体，前者中多数载流子是_自由电子_，少数载流子是_空穴_，后者中多数载流子是_空穴_，少数载流子是_自由电子_。3.本征硅中若掺入5价元素的元素，则多数载流子应是_自由电子_，掺杂越多，则其数量一定越_多_，相反，少数载流子应是_空穴_，掺杂越多，则其数量一定越_少_。4.P区侧应带_负电_，N曲一侧应带_正电_。空间电荷区内的电场称为_内电场_，其方向从_N区_指向_P区_。5.在PN结两侧外加直流电压，正端与P区相连，负端与N区相连，这种接法称之为PN结的_正向_偏置。6.半导体三极管的输入特性曲线与二极管的正向特性相似，而输出特性曲线可以划分为三个工作区域，它们是_截止_区、_饱和_区和_放大_区。7.温度变化对半导体三极管的参数有影响，当温度升高时，半导体三极管的β值_增大_，ICBO值_增大_，UBE值_减小_。8.半导体三极管能够放大信号，除了内部结构和工艺特点满足要求外，还必须具备的外部工作条件是_发射结正偏、集电结反偏_。9.工作在放大区的某晶体管，当IB从20微安增大到40微安时，Ic从2毫安变为4毫安，它的β值约为_100_。10.半导体三极管的三个极限参数是_CMI_、_CEORBU)(_、_CMP_。11.NPN型硅三极管处于放大状态时，在三个电极电位中，其电位高低关系为_EBCUUU_；基极和发射极电位之差约等于_0.7V_。12.半导体三极管从结构上分可以分为_PNP_型和_NPN_型两大类，他们工作时有_自由电子_、_空穴_两种载流子参与导电。13.在用万用表测量二极管的过程中，如果测得二极管的正反向电阻都为0Ω，说明该二极管内部已_击穿_；如果所测得的正反向电阻都为无穷，说明该二极管已_断路损坏_。14.在如图所示电路中，若仅是RL增大，则电压放大倍数的绝对值将_增大_(增大?减小?或不变?)，输出电阻值将_不变_(增大?减小，或不变?)。15.二极管最重要的特性是_单向导电性_。16.半导体二极管导通的条件是加在二极管两端的正向电压比二极管的死区电压_大_。17.若给三极管发射结施加反向电压，可使三极管可靠的_截止_。18.温度升高时，晶体管的电流放大倍数β和反向饱和电流ICEO将增大，共射输入特性曲线将左移，输出特性曲线之间的间隔将变大。19.三极管其内部三个区域具有以下特点：发射区掺杂浓度较大，基区薄，掺杂少，集电区比发射区体积大且掺杂少。20.晶体管的CBOI对温度十分敏感，它是造成晶体管工作点不稳定的主要原因。21.硅稳压管是利用PN结的反向击穿特性工作的而普通二极管是利用PN结的单向导电性工作的。22.由于静态工作点设置得偏低就会产生截止失真，此时ci波形的负半周出现平顶，减小截止失真方法是使bR减小静态工作点Q上移。23.直流负反馈的作用是_稳定静态工作点_，交流负反馈的作用是_改善放大器性能。24.直流负载线是反映_静态_时电压和电流的变化关系，由直流通路决定，主要用来确定静态工作点_。25.在图1-25所示固定偏置放大电路中，输入信号为正弦电压时，输出电压波形变为如图中所示，判断这种失真为_截止_失真，要减小这种失真，应调节RB，使其阻值_减小_。26.2CZ是硅材料的整流二极管，用万用表的欧姆档测得二极管的电阻较大，则与黑表笔相连的是二极管的负极极。27.多数放大器中，前级是后级的信号源,后级是前级的负载，只有当负载电阻RL和信号源内阻rs相等时，负载获得的功率最大，这种现象称为阻抗匹配。28.为了放大变化缓慢的微弱信号，放大电路采用直接耦合方式，为了实现阻抗变换，放大电路采用变压器耦合方式。29.在图1-49中，二极管为理想器件，V1工作在截止状态，V2工作在导通状态，VCD为－6VV。30.如果望减小放大电路从信号源索取的电流，则可采用串联反馈；信号源内阻很大，希望取得较强的反馈作用，则宜采用并联反馈；如希望负载变化时输出电压稳定，则应采用电压反馈。31.完成数制的转换：（101）2=（0101）8421BCD32.在电路中，如果ICICM，将导致β急剧下降；如果PCPCM，将导致三极管过热烧毁；如果VCEV（BR）CEO，将导致三极管击穿。33.射极输出器的反馈类型为电压串联负反馈，是因为它把输出的全部反馈到输入端，反馈系数为1。34.三极管放大电路的三种基本组态是_共基_、_共集_和_共射_，其中_共集_组态输出电阻低、带负载能力强；_共射_组态兼有电压放大作用和电流放大作用。35.放大电路没有输入信号时的工作状态称为_静态_；放大电路有输入信号作用时的工作状态称为_动态_。36.在三极管放大电路中，若静态工作点偏低，容易出现_截止_失真；若静态工作点偏高，容易出现_饱和_失真。37.在固定偏置放大电路中，当输出波形在一定范围内出现失真时，可通过调整偏置电阻加以克服。当出现截止失真时，应将偏置电阻调_小_，使静态工作点_上移_；当出现饱和失真时，应将偏置电阻调_大_，使静态工作点工作点_下移_。38.画三极管的简化微变等效电路时，其B、E两端可用一个_电阻_等效代替，其C、E两端可用一个_受控恒流源_等效代替。39.多级放大电路的耦合方式有_阻容耦合__、_直接耦合_和_变压器耦合_三种。40.根据功放管的静态工作点位置不同，功率放大器可分为三种工作状态。这三种工作状态分别是_甲类_、_乙类_和_甲乙类_。41.分析运算放大电路的线性应用时，有两个重要的分析依据。一个是俗称“_虚短_”；一个是俗称“_虚断_”。V13KCDVCD6V12VV2图附242.集成运放有两个输入端，一个叫_同向输入输入_端，另一个叫_反向输入输入_端。43.集成运放内部电路通常由_输入级_、_中间级_、_输出级_、_和_偏置电路_四部分组成。44.要使输出电压稳定又具有较高的输入电阻，则应选用_串联电压_负反馈。45.有一信号源，其内阻较大，则宜选用_电流_负反馈电路与它配合使用。46.有一负载其阻值很小，则宜选用_电压_负反馈电路与它配合使用。47.射极输出器属_串联电压_负反馈。48.直流稳压电源一般由_电源变压器_、_整流器_、_滤波器_、_稳压器_等部分组成。49.整流电路的作用是_将交流电变成单向脉动直流电_。50.将单门限电压比较器与滞回比较器相比，_单限比较器_的灵敏度高；_滞回比较器_的抗干扰能力强。二．选择题1.图示理想运算放大器的输出电压U0应为（A）A．－6VB．－4VC．－2VD．－1V2.工作在放大状态的NPN三极管，其发射结电压UBE和集电结电压UBC应为（A）A．UBE＞0，UBC＜0B．UBE＞0，UBC＞0C．UBE＜0，UBC＜0D．UBE＜0，UBC＞03.晶体管共发射极输出特性常用一族曲线表示，其中每一条曲线对应一个特定的（C）A、icB、ucEC、iBD、iE4.检查放大电路中的晶体管是否饱和的最简便的方法是测量（B）A、IBQB、VBEQC、ICQD、VCEQ5.某放大电路，要求稳定电压且输入电阻大应引入（A）负反馈。A、电压串联B、电流并联C、电压并联D、电流串联6.如图3-56，一只标有“220V，100W”的灯泡，当把它接在图中所示的电路中，其消耗的功率为（A）。A、100WB、50WC、20.25WD、10.5W7.两级放大电路第一级的电压增益为48，第二级的电压增益为12，则两级总的电压增益为（A）A、60B、30C、36D、188.下列器件符号中，（A）器件具有放大作用。9.电路如图3-16所示，已知两个稳压管的1zV=5V、2zV=7V，它们的正向压降均为0.7V，则输出电压为（C）。A、5伏B、7.7伏C、12伏D、5.7伏10.某人用万用表测量一电子线路中的晶体管测得EV=-3V、VCE=6V、VBC=-5.4V，则该管是（C）。A、PNP型，处于放大工作状态B、PNP型处于截止工作状态C、NPN型，处于放大工作状态D、NPN型处于截止工作状态11.关于理想运算放大器的错误叙述是（A）。A、输入阻抗为零，输出阻抗也为零；B、输入信号为零时输出处于零电位；C、频带宽度从零到无穷大；D、开环电压放大倍数无穷大；12.半导体稳压性质是利用下列什么特性实现的（B）。A、PN结的单向导电性B、PN结的反向击穿特性C、PN结的正向导通特性D、PN结的反向截止特性13.在直流稳压电源中加滤波电路的主要目的是（B）A、变交流电为直流电B、去掉脉动直流电中的脉动成分C、将高频变为低频D、将正弦交流电变为脉冲信号14.射极输出器是一种（C）负反馈放大器。A、电压并联B、电流串联C、电压串联D、电流并联15.集成运放内部电路的耦合方式是（A）A、直接耦合B、变压器耦合C、阻容耦合D、电容耦合16.某二极管反向击穿电压180V，则其最高反向工作电压为（C）A、180VB、360VC、90VD、30V17.既能减轻前级信号源的负担，又能提高带载能力的反馈类型为（B）。A、电流串联负反馈B、电压串联负反馈C、电压并联负反馈D、电流并联负反馈18.检查放大器中的晶体管在静态时是否进入截止最简便的方法是测量（D）。A、IBQB、VBEQC、ICQD、VCEQ19.下列对串联型带放大环节稳压电源表述错误的是（C）A、有调整元件、比较放大、基准电源、采样电路B、放大对象是采样信号与基准电源的差值C、需要时，调整管才工作；不需要时，调整管不工作。D、比并联型稳压电路的输出电流大。20.电路如图3-54所示，VO=24V，下列说法正确的是（D）A、如一只二极管开路，则VO=12VB、如一只二极管开路，则VRM=28。28VC、如一只二极管断路，则VO=0VD、如一只二极管断路，则VRM=56。56V21.单相桥式整流电路中，如一只整流管接反，则(B)A、输出直流电压减小B、将引起电源短路C、将成为半波整流电路D、仍为桥式整流电路22.为了改善电路的性能，引进反馈后的集成运算放大器总是为（C）A、电流负反馈B、电压正反馈C、电压负反馈D、电流正反馈23.某放大器接入电阻RL=1.5KΩ时，其输出电压VO=150mV，当断开RL时，其输出电压VOˊ=330mV，由此可见其输出电阻为（C）A、1.5KΩB、3.3KΩC、1.8KΩD、3KΩ24.差动放大电路可以（D）。A、提高输入电阻B、减小输出电阻C、稳定放大倍数D、减小零点漂移25.要增大放大器的输入电阻，稳定输出电流，应选的负反馈类型是（C）。A、电压串联B、电压并联C、电流串联D、电流并联26.某放大电路在负载开路时的输出电压为4V，接入12kΩ的负载电阻后，输出电压降为3V，这说明放大电路的输出电阻为（c）A、10kΩB、2kΩC、4kΩD、3kΩ27.有一个基本放大器发生了削波失真，但在增大Rb后，失真必是(B）A、饱和失真B、截止失真C、频率失真D、交越失真28.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将___A___。a.增大b.不变c.减小29.工作在放大区的某三极管，如果当IB从12μA增大到22μA时，IC从1mA变为2mA，那么它的β约为__C___。a.83b.91c.100d.12030.P型半导体多数载流子是带正电的空穴，所以P型半导体（A）。a.带正电b.带负电c.没法确定d.电中性31.PN结加正向电压时，其正向电流是由（D）的。a.多数载流子扩散而成b.多数载流子漂移而成c.少数载流子扩散而成d.少数载流子漂移而成32.负反馈放大电路产生自激振荡的条件使___B_____.a.AF=0b.AF=1c.AF=∞d.AF=-133.为了满足振荡的相位平衡条件，反馈信号与输入信号的相位差应等于__B__。a.90b.180c.270d.36034.为了保证正弦波振荡幅值稳定且波形较好，通常还需要引入___D___环节。a.微调b.限幅c.放大d.稳幅三．判断题1.硅稳压管的正向伏安特性没有稳压作用。（×）2.单级交流放大器具有放大和反相的作用。（×）3.若输出相同的零点漂移电压，则