TFT制程简介

TFTprocessTFT(ThinFilmTransistor)流程ThinFilmPhotoEtch五道光罩制程即是指上述流程经过五次TFT制程简介PreCleanThinFilmDeposition1.Macro-Inspection2.Nano-Inspection3.AOI-InspectionPRcoatingExposureDeveloping1.ADI2.CDmeasurement3.AOIDryorWetEtchingResiststripping1.AEI2.CDmeasurement3.Etchratemonitor4.AOIPreClean1.Testkey2.Functiontest3.LaserrepairPhotoProcessThinFilmProcessEtchingProcessFinaltestingTFTProcessFlow目前TFT1100至5880流程5880AOVN025800STRP031850AOIH/AOIL2800STRP053930NANO015400WETX021800STRP2400DRYP023970ADSI075405DRYP/T1400WETX032350AOIH3940STRP075300TLCD061300TLCD052300TLCD033900DRYT065200ITSP011200MTSP042305STRP033400WETX014400DRYT021106WETX05/072250AOIL3300TLCD064370PTLCD041150SUFS2200CVDB023200MTSP054210MACO011100ICLN022100PCLN013100PCLN014200CVDA05量測/檢測機台DRY機台WET機台其它部門的機台SHIBAURA機台MTSP:MetalSputter(金属层溅镀)CVDA:AKTCVD(绝缘层镀膜)CVDB:BPSCVD(绝缘层镀膜)ITSP:ITOSputter(ITO层溅镀)薄膜设备代码:TLCD:TelCoater/Develop(光阻被覆/显影)NIKN:Nikonexposure(曝光)黄光设备代码:CANO:Canonexposure(曝光)WETX:Wetetch(湿式蚀刻)STRP:Stripper(光阻去除)蚀刻设备代码:DRYT:TelDryetch(干式蚀刻)DRYP:PSCDryetch(干式蚀刻)AOIH:AutoOpticalInspectionHighResolutionSUFS:SurfaceScan检验设备代码:AOIL:AutoOpticalInspectionLowResolutionADSI:AfterDevelop/StripinspectionSUFP:SurfaceProfileNANO:NANOmeterELIP:Ellipsometer何谓TFTTFT(thinfilmtransistor)薄膜晶体管作为光线的开关(控制液晶分子的转动)TUnit-Pixel电路模型TF各LayerTotal厚度约14500Å(1.45x10-5mm):GLASS厚度0.7mm≈1:5000TFTTFT结构及制作流程ALNd/AL/Mo1.镀上AlNd/Al/Mo(Gate)G-I-N2.G:GateSiNx(氮硅化合物,绝缘层)I:a-Si(非结晶硅,通道层)N:N+(高浓度磷(PH3)的硅)降低界面电位差,使成为奥姆接触(Omiccontact)MoN/AL/MoN3.镀上MoN(氮化钼),pureAl(source,drain)PASSIVATION4.镀上保护层(把金属部份盖住)5.镀上ITO(铟锑氧化物,画素电极)ITO镀膜(sputter,cvd)上光阻(coater)对准,曝光(stepper)光罩(reticle)显影(developer)显影液蚀刻(etch)去光阻液stripper去光阻酸,气体镀下层膜TFT循环制程图解TFT制程简介(第一层)M1M11375ALNd：850AAL：1500AMO：700A光阻上光阻光阻厚度：15800AMOALNdGlassALABAB27“(含)以上ALNd：1000AL：2000Mo：7001850waterDiHNOCOOHCHPOH%)9.4(%)9(%)68(3343蝕刻液成份：ALNd：850AAL：1500AMO：700A光阻光阻厚度：15800A湿蚀刻MOALNdGlassALABAB27“(含)以上ALNd：1000AL：2000MO：7001875去光阻MOALNdGlassALALNd：850AAL：1500AMO：700AABAB27“(含)以上ALNd：1000AL：2000MO：700TFT制程简介(第二层)M1GINM1GIN2250G(SiNx)：1800AG1沉积G(SiNx)ABAB2251G2沉积N(n+Si)I(a-Si)G(SiNx)G(SiNx)G(SiNx)：1800AG(SiNx)：1800AI(a-Si)：1100AN(n+Si)：250AABAB2375上光阻光阻光阻厚度：15800AG(SiNx)：1800AG(SiNx)：1800AI(a-Si)：1100AN(n+Si)：250AN(n+Si)I(a-Si)G(SiNx)G(SiNx)ABAB2850干蚀刻光阻N(n+Si)N(n+Si)I(a-Si)G(SiNx)G(SiNx)G(SiNx)：1800AG(SiNx)：1800AI(a-Si)：1100AN(n+Si)：250AABAB2875去光阻G(SiNx)：1800AG(SiNx)：1800AI(a-Si)：1100AN(n+Si)：250AN(n+Si)N(n+Si)I(a-Si)G(SiNx)G(SiNx)ABABTFT制程简介(第三层)M1M2GINM1M2GINM23250M2沉积BOTTOMMONTOPMONA1TOPMON：450AA1：2000ABOTTOMMON：250AABAB47“TOPMON：450AA1：2500ABOTTOMMON：250A3375上光阻光阻厚度：15800ATOPMON：450AA1：2000ABOTTOMMON：250A光阻BOTTOMMONTOPMONA1ABAB47“TOPMON：450AA1：2500ABOTTOMMON：250A3850waterDiHNOCOOHCHPOH%)9.4(%)9(%)68(3343蝕刻液成份：湿蚀刻TOPMON：450AA1：2000ABOTTOMMON：250A光阻BOTTOMMONTOPMONA1ABAB47“TOPMON：450AA1：2500ABOTTOMMON：250A3875去光阻TOPMON：450AA1：2000ABOTTOMMON：250ABOTTOMMONTOPMONA1ABAB47“TOPMON：450AA1：2500ABOTTOMMON：250ATFT制程简介(第四层)M1M2PASSGINM1GINM2PASSPASS4250护层沉积Passivation2Passivation1Passivation1：2250APassivation2：250AABAB4375上光阻Passivation1：2250APassivation2：250A光阻厚度：15800A光阻Passivation2Passivation1ABAB4850干蚀刻光阻Passivation1：2250APassivation2：250APassivation2Passivation1ABAB4875去光阻Passivation1：2250APassivation2：250APassivation2Passivation1ABABTFT制程简介(第五层)M1GINM2PASSITOM1GINM2PASSPASSITO5250ITO：500AITO沉积ITOABAB5375ITO：500A上光阻光阻光阻厚度：15800AITOABAB5850%)7.3~3.3(2草酸蝕刻液成份：COOHITO：500A湿蚀刻光阻ITOABAB58755852ITO：500A去光阻ITOABABGlassSubstrateContactHoleTransparentelectrodeGatemetal(ITO)S/Dmetala-Sin+a-SiPassivation(P-SiNx)Insulator(G-SiNx)TFTLayers1)GateMetal:AlNd/Mo(N)=1600/1100A1800/9002)GIN:G-SiNx=3500I/N=13503)S/DMetal:MoN/Al/MoN=300/1800/400250/2000/3504)Passivation:P-SiNx=32005)ITO:670